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시장보고서

주요 NAND형 플래시메모리 설계에 대한 지적재산권

Key NAND Flash Memory Design Intellectual Property

출판사	Forward Insights
출판일	2009/07	페이지	152 Pages
보고서 코드	91536
가 격	＄9,999

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영업일 기준 5-7일 전후로 자료 수령이 가능합니다.

Description

TOC

NAND형 플래시메모리의 센싱 아키텍처, 전원 전압의 노이즈 보상, 프로그래밍 알고리즘 등에 관련된 주요 지적재산권에 대해 조사 분석하고, 다중 NAND형 플래시메모리의 과제 등에 대해 전해드립니다.

1. 조사 방법

2. 다중 NAND형 플래시메모리의 과제

다중 메모리의 센싱 아키텍처
전원 전압의 노이즈 보상
Coarse and Fine Programming
순차적 페이지 프로그래밍
Floating Gate간의 노이즈 커플링 감소 및 배경 패턴의 의존
센싱 및 페이지 버퍼의 개선
Negative Threshold Sensing
프로그램 교란(Program Disturb)
온도 보상
고전압 스위치
충전 펌프
부호화 스킴과 에러 정정 코드

4. 리퍼런스

5. 저자에 대하여

6. 도표

Hynix
Micron
Samsung
SanDisk
STMicroelectronics
Toshiba

LSH

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