Ȩ Ä«Å×°í¸® ¸ÂÃãÇü½ÃÀåÁ¶»ç ±¹Á¦ÄÁÆÛ·±½º ±Û·Î¹ú ÆÄÆ®³Ê ¸ÞÀϸµ ¼­ºñ½º ȸ»ç¼Ò°³È¸»ç¼Ò°³ Contact Us
English Japaness Chinese
Ȩ > ±Û·Î¹ú ÆÄÆ®³Ê > Y > Yole Developpement
Áö¿ª
Ä«Å×°í¸®·Î ã±â
ÆÄ¸Ó½´Æ¼ÄÃ

Yole Developpement

ÇÁ¶û½º ¸®¿Ë¿¡ À§Ä¡ÇÑ Yole Development´Â MEMS ºÐ¾ßÀÇ ¼±µÎ ÁÖÀÚ·Î ½ÃÀåÁ¶»ç, ±â¼ú ºÐ¼®, Àü·« ÄÁ¼³ÆÃ ¼­ºñ½º¸¦ Á¦°øÇÕ´Ï´Ù. Yole Developpement´Â ¼¼°è ÁÖ¿ä ±â¾÷°ú R&D±â°ü ¹× ÅõÀÚÀÚ¿¡°Ô MEMS & ¼¾¼­, ÷´Ü ÆÐŰ¡, ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º, LED & ¿ÉÅäÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º, È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼¿Í ±âÆÇ, ž籤, ¸¶ÀÌÅ©·Î À¯Ã¼, ³ª³ëÅ×Å©³î·ÎÁö ºÐ¾ßÀÇ ½ÃÀå ¹× ±â¼ú µ¿Çâ¿¡ ´ëÇÑ ÀڷḦ Á¦°øÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.

»ó¼¼ ºÐ·ù

Á¦¸ñ °Ë»ö
1 - 25 ¸®ºä (Àüü£º 88 °Ç) Á¤·Ä Ç¥½Ã °Ç¼ö
Polymeric Materials for 3DIC & WLP Applications
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :239576
3Â÷¿ø IC ¹× WLP µî¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â Æú¸®¸Ó Àç·á ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®ÇßÀ¸¸ç, °¢Á¾ Æú¸®¸Ó Àç·áÀÇ Æ¯¼º, »óǰȭµÇ°í ÀÖ´Â °íºÐÀÚ È­Çй°Áú, WLP¿¡¼­ Æú¸®¸Ó Àç·áÀÇ ¿ªÇÒ, ¿µ±¸ À¯Àüü Àç·áÀÇ °¡°ø ±â¼ú, ¹Ìµå¿£µå WLP ¿ëµµ¿ë Ç÷§Æû, ½ÃÀå±Ô¸ð ¹× °ø±Þ¸Á Àü¸Á, ÁÖ¿ä Á¦Á¶¾÷ü °¢»çÀÇ °³¿ä¸¦ Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 05¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Deep Reactive Ion Etching: Equipment & Materials Market
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :240085
MEMS¿Í ÷´Ü ÆÐŰÁö, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º µîÀÇ »ý»ê¿¡ ÀÌ¿ëµÇ´Â DRIE ±â¼ú ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®ÇßÀ¸¸ç, 2017³â±îÁöÀÇ ¿¹Ãø, DRIE ÇÁ·Î¼¼½º¿¡ »ç¿ëµÇ´Â È­Çй°Áú ½ÃÀå°ú °ü·Ã ±â¾÷ °¢»çÀÇ °³¿ä, ¸¶ÀÌÅ©·Î ±â¾î¿Í ¿ÀÅäÆ÷Ä¿½º ±â±¸, ¸¶ÀÌÅ©·ÎÇ÷çÀ̵ñ½º, °øÁø±â µîÀÇ »õ·Î¿î ¿ëµµ¿¡ ´ëÇÑ Àü¸ÁÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 05¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :239909
ÈÞ´ëÆùÀ̳ª ÅÂºí¸´ µî¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â 14°³ Á¾·ùÀÇ MEMS µð¹ÙÀ̽º¿¡ ´ëÇØ Á¶»çÇϰí, ½ÃÀå ÇöȲ, 2017³â±îÁöÀÇ ¿¹Ãø, °¢Á¾ ÈÞ´ëÆù°ú ÅÂºí¸´ ½ÃÀå µ¿Çâ, ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â¿ë MEMS µð¹ÙÀ̽º º¸±ÞÀ» ÃËÁøÇÏ´Â ¿äÀÎ, ÁÖ¿ä Á¦Á¶¾÷ü¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ÇÑ °ø±Þ¸Á ºÐ¼® Á¤º¸¸¦ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 05¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
GaAs Wafer Market & Applications
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :237620
GaAs ¿þÀÌÆÛ ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®ÇßÀ¸¸ç, 2017³â±îÁöÀÇ ¿¹Ãø, ÁÖ¿ä Á¦Á¶¾÷ü °³¿ä¿Í Àü·«, 2011³â ¹ë·ùüÀÎ »óȲ, °¢»çÀÇ ¸ÅÃâ¾× ¹× ½ÃÀå Á¡À¯À² µîÀÇ Á¤º¸¸¦ Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Crystalline Silicon PV Technology, Equipment and Materials
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :235104
°áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄÜ PV »ê¾÷ÀÇ ±â¼ú, Àåºñ ¹× Àç·á µ¿Çâ¿¡ ´ëÇØ Á¶»ç ºÐ¼®Çϰí, Àåºñ °ø±Þ¾÷ü ¹× ¼¿ Á¦Á¶¾÷ü°¡ °í°´ÀÇ ¿ä±¸¸¦ ÆÄ¾ÇÇØ ¼±ÅÃÇØ¾ß ÇÒ Àü·«À» Æò°¡ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï PV ¼³Ä¡ °Ç¼ö ¹× PV ±â¼ú Á¡À¯À² ÃßÀÌ¿Í ¿¹Ãø(¡­2017³â), ¹Ú¸· žçÀüÁö(a_Si, CIGS, CdTe)¿ÍÀÇ ºñ±³, Â÷º°È­¿¡ À־ °íÈ¿À²È­ÀÇ Á߿伺, ¼¿ ¹× ¸ðµâ Á¦Á¶ÀÇ °¢Á¾ ÇÁ·Î¼¼½º, Àåºñ, Àç·á °³¿ä, ÁÖ¿ä ¼¿ ¹× ¸ðµâ Á¦Á¶ ÀåºñÀÇ ¸ÅÃâ°ú ÃâÇÏ·® ¿¹Ãø(¡­2017³â) µîÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Flow Chemistry Technologies
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :234682
Flow Chemistry ½ÃÀå¿¡ °üÇÑ Æ÷°ýÀûÀÎ °ßÇØ¿Í MRT(Micro-reaction Technology) ½ÃÀå µ¥ÀÌÅÍ, ¸ðµâ, ½Ã½ºÅÛ, Á¦Á¶ À¯´Ö ½ÃÀå ¿¹Ãø(2012-2017³â), ÁÖ¿ä µ¿Çâ°ú °úÁ¦, ¸ðµâ, ½Ã½ºÅÛ, Á¦Á¶ À¯´Ö °ø±Þ¸Á, ÁÖ¿ä ºñÁö´Ï½º ¸ðµ¨ µî¿¡ ´ëÇÑ Á¶»ç °á°ú¸¦ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
III-V Epitaxy Substrates & Equipment Market
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :236914
°¥·ýºñ¼Ò(GaAs) °íÁÖÆÄ µð¹ÙÀ̽º, ÁúÈ­°¥·ý(GaN) ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º, °íÁý±¤ žçÀüÁö(HCPV), °íÈÖµµ LED µî¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â III-VÁ· ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶¿¡ ÀÌ¿ëµÇ´Â ¿¡ÇÇÅýÃ(Epitaxy) ±â¼ú ½ÃÀåÀ» »ó¼¼ÇÏ°Ô ºÐ¼®Çϰí, °¢Á¾ Á¦Á¶ ÀåºñÀÇ ÃѺ¸À¯ºñ¿ë°ú ±â¼ú°³¹ß µ¿Çâ, ÁÖ¿ä ±â¾÷ °³¿ä µîÀÇ Á¤º¸¸¦ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :235731
MEMS ÆÐŰ¡, ¾î¼Àºí¸®, °Ë»ç¿¡ °üÇÑ ¿ä°ÇÀ» ÀÀ¿ëºÎ¹®º°·Î ºÐ¼®ÇßÀ¸¸ç, ¼¼¶ó¹Í, ¸®µå ÇÁ·¹ÀÓ, À¯±â ÀûÃþ µî MEMS ÆÐŰÁö ±âÆÇ¿¡ ´ëÇØ »ó¼¼È÷ Á¶»çÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :233557
ÇâÈÄ ¹ßÀüÀÌ ±â´ëµÇ´Â ¼¼°è Àڿܼ±(UV) LED ½ÃÀåÀÇ À¯È¿ ½ÃÀåÀ» Á¶»çÇϰí, ±âÁ¸ Àڿܼ± ·¥ÇÁ¿Í ºñ±³ÇÑ °­Á¡°ú ¾àÁ¡ ºÐ¼®, ÇöÀç Àڿܼ± ·¥ÇÁ ½ÃÀå »óȲ, ÁÖ¿ä ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼Ç, ÁÖ¿ä ±â¾÷, °¢Á¾ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿë Á¦Ç° ½ÃÀå ±Ô¸ð µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 04¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :235103
ÈÞ´ëÆù¿ë FEM(Front-End-Module)À¸·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â °¢Á¾ RF ºÎǰ ½ÃÀåÀ» Á¾ÇÕÀûÀ¸·Î ºÐ¼®Çϰí, °¢Á¾ ±â¼úÀÇ °¡´É¼º, ÀüüÀû ¾ÆÅ°ÅØÃ³ ·¹º§¿¡¼­ÀÇ ¿µÇâ, ÃÖ±Ù °¢±¤À» ¹Þ°í ÀÖ´Â ¾ÈÅ׳ª Æ©³Ê¿¡ ´ëÇØ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 03¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
MEMJET COMPANY PROFILE
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :233462
À×Å©Á¬ ÇÁ¸°ÅÍ ¾÷°è¿¡ ¼±Ç³À» ÀÏÀ¸Å°°í ÀÖ´Â MEMJET¿¡ ´ëÇØ Á¶»çÇϰí, MEMJETÀÇ ±â¼ú, °ø±Þ¸Á, ±â¾÷ Àü·«, 2016³â±îÁöÀÇ Àü¸Á, Áö±Ý±îÁöÀÇ ¿ª»ç, Silverbrook¿ÍÀÇ °ü°è, Á¶Á÷, Áß¿ä Àι°, ºñÁö´Ï½º ¸ðµ¨¿¡ ´ëÇØ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 03¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :233025
ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ºÐ¾ß¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â GaN µð¹ÙÀ̽º¿Í GaN ±âÆÇ ¾÷°è¿¡ ´ëÇØ »ó¼¼ÇÏ°Ô ºÐ¼®Çϰí, ½ÃÀå °ü·Ã Áß¿ä ÁöÇ¥, °ü·Ã ±â¾÷°ú ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ »ó¼¼ Á¤º¸, È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ ±âÆÇ(GaN-on-Si ±âÆÇ)¿¡ ´ëÇÑ »ó¼¼ ºÐ¼® Á¤º¸¸¦ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 03¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Inverter Technology Trends & Market Expectations
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :231276
¼¼°èÀÇ ÀιöÅÍ ±â¼ú ½ÃÀåÀ» ´Ù·ç¾úÀ¸¸ç, PV(ž籤¹ßÀü) ÀιöÅÍ, EV(Àü±âÀÚµ¿Â÷)/HEV(ÇÏÀ̺긮µå ÀÚµ¿Â÷), dz·Â Åͺó, öµµ Æ®·¢¼Ç(°ßÀÎ), UPS(¹«Á¤ÀüÀü¿øÀåÄ¡) ¹× »ê¾÷¿ë ¸ðÅÍ ±¸µ¿ÀåÄ¡ µî ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼Ǻ° ½ÃÀå µ¿Çâ ¹× °ø±Þ¸Á ºÐ¼®, 2016³â±îÁöÀÇ ½ÃÀå ¿¹ÃøÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 02¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :230095
¼¼°èÀÇ Ç³·Â Åͺó¿ë ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º Á¦Ç°(Power Electronics for Wind Turbines) ½ÃÀå¿¡ ´ëÇØ, dz·Â Åͺó ½ÃÀå ±Ô¸ð, ÁøÃâ ±â¾÷, ½ÃÀå µ¿Çâ µîÀ» Á¶»çÇϰí, ÁÖ·Î Áß±¹ ½ÃÀå¿¡ ÁßÁ¡À» µÐ dz·Â Åͺó ÄÁ¹öÅÍ(º¯È¯±â) ¹× ÄÄÆ÷³ÍÆ® ½ÃÀå ºÐ¼®°ú ¿¹Ãø, ÆÐ½Ãºê ÄÄÆ÷³ÍÆ® ½ÃÀå ºÐ¼® µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 02¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Infrared Detector Market, Applications and Technology Trends
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :229835
Àû¿Ü¼± °ËÃâ±â(Infrared Detector) ½ÃÀå, ¿ëµµ, ±â¼ú µ¿Çâ¿¡ ´ëÇØ Á¶»ç ºÐ¼®Çϰí, ÆÇ¸Å ´ë¼ö ¹× ¸ÅÃâ ÃßÀÌ¿Í ¿¹Ãø(¡­2016³â : ¿ëµµ, ±â¼úº°), ÁÖ¿ä Á¦Á¶¾÷üÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À², ÁÖ¿ä ±â¼ú °³¿ä¿Í ºñ±³, Àû¿Ü¼± °ËÃâ±âÀÇ °¢Á¾ ¿ëµµ, µµÀÔó, ´ëÇü IR °ËÃâ±âÀÇ »õ·Î¿î ¿ëµµ¿Í °¡´É¼º, ÁÖ¿ä ±â¾÷ÀÇ Æ÷Áö¼Å´×°ú °³¿ä µîÀÇ Á¤º¸¸¦ ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2012³â 01¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Technology Trends for Inertial MEMS
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :225970
MEMS °ü¼º¼¾¼­(Inertial MEMS) ½ÃÀåÀÇ ÁÖ¿ä ¼ºÀå ºÐ¾ß, ÆÐŰ¡ ±â¼ú°ú °Ë»ç ¹æ¹ý µ¿Çâ µîÀ» Á¶»ç ºÐ¼®Çϰí, °¢Á¾ MEMS µð¹ÙÀ̽ºÀÇ »ó¼¼ ºÐ¼®, ÁÖ¿ä Á¦Ç°ÀÇ Reverse Costing ºÐ¼® µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 12¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Emerging Markets For Microfluidic Application
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :216532
±Þ¼ºÀåÇϰí ÀÖ´Â ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀ¯Ã¼ µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀåÀ» ´Ù·ç¾úÀ¸¸ç, 2009³â ÀÌÈÄÀÇ µ¿Ç⠺м®, 2016³â±îÁöÀÇ Àü¸Á, ÁÖ¿ä ¿ëµµ ¹× ±â¼ú, °ø±Þ¸Á°ú ¹ë·ùüÀÎ »óȲ µîÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :221420
WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package) ±â¼ú°ú ½ÃÀå ÇöȲÀ» »ó¼¼ÇÏ°Ô ºÐ¼®Çϰí, ÇâÈÄÀÇ ±â¼ú °³¹ß°ú ÀÀ¿ë ºÐ¾ß, Fan-in WLCSP ¾÷°èÀÇ ÀÎÇÁ¶ó¿Í °ø±Þ¸Á, ÁÖ¿ä ±â¼ú, ºñ¿ë ±¸Á¶, ¿ëµµ, ÇÁ·ÐÆ®¿£µå¿¡ °ü·ÃµÈ ±â¾÷ ¸®½ºÆ®¿Í ·©Å·À» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :219497
¼¼°èÀÇ SiC ½ÃÀåÀ» ´Ù·ç¾úÀ¸¸ç, °¢Á¾ ¿ëµµ¿ë Á¦Ç° ½ÃÀåÀÇ 2020³â±îÁöÀÇ Àü¸Á ¹× SiC ±âÆÇ ½ÃÀå µ¿Ç⠺м®, SiC µð¹ÙÀ̽ºÀÇ À¯È¿ ½ÃÀå ¹× °ü·Ã ¾÷°è Àü¸Á, µð¹ÙÀ̽º ¹× ÆÄ¿ö ¸ðµâÀ» Æ÷ÇÔÇÑ SiC ±â¼ú ÇØ¼³ µîÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :219308
HEV ¹× EV¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(Power Electronics) Á¦Ç° ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®Çϰí, °ø±Þ¸Á ÇöȲ, ¼¼°èÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀå ¹× Áß±¹ ½ÃÀå µ¿Çâ µîÀ» Á¶»çÇÏ¿© 2±ÇÀÇ ±¸¼ºÀ¸·Î ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 7,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :219307
HEV ¹× EV¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(Power Electronics) Á¦Ç° °¡¿îµ¥ ÀúÇ×±â, Ä¿³ØÅÍ, Äܵ§¼­¿Í °°Àº ÆÐ½Ãºê ÄÄÆ÷³ÍÆ® ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®Çϰí, °ø±Þ¸Á ÇöȲ, ¼¼°èÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀå ¹× Áß±¹ ½ÃÀå µ¿Çâ µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :219306
HEV ¹× EV¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(Power Electronics) Á¦Ç° °¡¿îµ¥ IGBT, ÃÊÁ¢ÇÕ(Super Junction) MOSFET°ú °°Àº ¾×Ƽºê ÄÄÆ÷³ÍÆ® ½ÃÀåÀ» »ó¼¼È÷ ºÐ¼®Çϰí, °ø±Þ¸Á ÇöȲ, ¼¼°èÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀå ¹× Áß±¹ ½ÃÀå µ¿Çâ µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
Inertial Combo Sensors for Consumer & Automotive
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :219158
°¡Àü±â±â¿Í ÀÚµ¿Â÷¿¡ »ç¿ëµÇ´Â °ü¼º ÄÞº¸¼¾¼­ÀÇ ½ÃÀå ±âȸ¿Í °úÁ¦ ºÐ¼®, ½ÃÀå ÇöȲÀ» º¸¿©ÁÖ´Â »ó¼¼ÇÑ µ¥ÀÌÅÍ ¹× °ü·Ã ±â¾÷ °¢»çÀÇ °æÀï ±¸µµ, »õ·Î¿î MEMS Á¦Á¶ ±â¼ú ¹× ÆÐŰ¡ ±â¼ú µî¿¡ ´ëÇØ Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :218323
»çÆÄÀ̾î(Sapphire) Àç·á ¾÷°èÀÇ ¼ö½Ã·Î º¯È­ÇÏ´Â ½ÃÀå µ¿ÇâÀ» ºÐ¼®ÇÑ °ÍÀ¸·Î, 2020³â±îÁö °¡°øÀÌ ¿Ï·áµÇ´Â »çÆÄÀÌ¾î ¿þÀÌÆÛ¿Í Àç·áÀÇ ¼ö·® ¹× ±Ý¾× ±â¹Ý ¿¹Ãø, »ý»ê ´É·Â ºÐ¼®, °¡°Ý µ¿Çâ, ½Å±Ô ÁøÃâ ±â¾÷ °³¿ä µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,390
¹ßÇàÀÏ 2011³â 11¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  
»ùÇÃ
»óǰÄÚµå :217757
EU ȸ¿ø±¹ ¹× µ¿À¯·´°ú ÅÍŰ, ¸ð·ÎÄÚ, À̽º¶ó¿¤, ·¯½Ã¾Æ µî À¯·´ 50°³±¹ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð ÆÕÀ» Á¶»çÇßÀ¸¸ç, ±â¾÷¸í(À¥»çÀÌÆ® Á¤º¸ Æ÷ÇÔ), ±Ô¸ð(2010³â Á÷¿ø¼ö¿Í ÆÇ¸Å µ¥ÀÌÅÍ), ÁÖ¿ä ¾÷¹«³»¿ë(Á¦Ç° ¿ëµµ, µð¹ÙÀ̽º, ½ÃÀå), ¼ÒÀçÁö, ±â¼ú, »ý»ê ´É·Â(¿ù°£ ¿þÀÌÆÛ ÅõÀÔ·®), »ý»ê ´É·Â ¿¹Ãø, Ŭ¸°·ëÀÇ ±Ô¸ð¿Í µî±Þ, À繫 Á¤º¸ µîÀ» µ¥ÀÌÅͺ£À̽º¿Í Á¶»ç º¸°í¼­·Î Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù.
... ´õº¸±â
°¡°Ý US $ 5,290
¹ßÇàÀÏ 2011³â 10¿ù
¸®¼­Ä¡»ç Yole Developpement
ÆäÀÌÁö¼ö  

»ó±â ÀÚ·á ÀÌ¿ÜÀÇ Yole Developpement ÀÚ·áµµ ÁÖ¹® °¡´ÉÇÏ´Ï ¹®ÀÇÇÏ¿© Áֽñ⠹ٶø´Ï´Ù.