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시장보고서

3중셀(3 bit per cell) NAND 플래시메모리의 비교

Comparison of 3-bit per cell NAND Flash Memories

리서치사 Forward Insights
발행일 2009년 08월 상품코드 97634
페이지 정보 54 Pages
가격
US $ 3,499 ￦ 3,973,100 PDF by E-mail (Unlimited User License)


Forward Insights 에서 2009년 08월 에 발행한 「3중셀(3 bit per cell) NAND 플래시메모리의 비교」 보고서는 54 Pages로 구성되어, US $3,499 부터 구매 가능합니다.

한글목차

SanDisk/Toshiba, Hynix, Samsung 각사의 3중셀(3 bit per cell) NAND 플래시메모리 아키텍처와 주요 파라미터를 비교하고, 각각의 장점 및 단점 등을 분석하여 전해드립니다.

    1. 개요
    2. 서론
    3. 3중셀(3 bit per cell) NAND 플래시메모리
    • Sandisk/Toshiba의 56nm 16Gb 3중셀 NAND 플래시메모리
      • 요약
      • 페이지 버퍼
      • 캐시 알고리즘
      • 소스 라인 바이어스(Source Line Bias) 에러 보정
      • 파워 라우팅
      • 데이터 버스
    • All Bitline과 인터리브(Interleave) 아키텍처
      • 프로그램 스피드
      • ABL : 확장성(Scalability)
    • Hynix의 48nm 32Gb 3중셀 NAND 플래시메모리
      • 요약
      • 칩 아키텍처
      • Pass Bit Detector 회로
      • Smart Blind 프로그램 알고리즘
      • Start Bias 제어 프로그램 알고리즘
    • 32Gb 32nm 3중셀 SanDisk/Toshiba
      • 요약
      • 칩 아키텍처
      • 프로그램에 따른 프로그래밍 전의 검증
      • Compact Row 디코더
      • Extended Column 아키텍처
    • Samsung 51nm 16Gb 3중셀 NAND 플래시메모리
      • 요약
    4. 참고 정보
    5. 저자에 대하여
    6. 향후 전망에 대하여
    7. 보고서 안내
    8. 도표
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