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시장보고서
차세대 파워 반도체 : 시장, 재료, 기술
Next-Generation Power Semiconductors: Markets Materials, Technologies
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The Information Network 에서 2011년 11월 에 발행한 「차세대 파워 반도체 : 시장, 재료, 기술」 보고서는 US $2,495 부터 구매 가능합니다.
실리콘을 기반으로 한 기존의 파워 반도체가 이론상 한계에 가까워지고 있는 가운데, 우수한 재료 특성과 와이드 밴드갭(wide-bandgap)을 보유한 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 기반 파워 반도체가 차세대 파워 디바이스로서 큰 기대를 모으고 있으며, 그 중에서도 IGBT와 파워 MOSFET는 시장 성장의 원동력이 될 것으로 보입니다. 파워 반도체 시장규모는 연평균 성장률 3.7%로, 2011년 142억 달러에서 2013년에는 167억 달러에 달할 전망입니다. 또한 차세대 파워 반도체 시장이 크게 성장함에 따라 가공 설비 업계에도 혜택이 미칠 것으로 예상되며, 특히 실리콘 기판상에서의 GaN 에피택시 성장 프로세스 관련 기기 제조업체와 플립 칩 업계용 설비 제조업체의 호업적이 전망됩니다.
차세대 파워 반도체(Power Semiconductors) 시장에 대해 재생에너지 및 전기자동차 대상 용도와 반도체 시장의 지위, 향후 성장 분야 등을 상세히 분석하고, SiC 및 GaN을 사용한 차세대 반도체 제조 기술과 향후 과제, 주요 기업 개요 등을 함께 전해드립니다.
제1장 서론
- 차별화 요인은 제조 공정
- 기존 MOS 디바이스와 다른 적층 구조 디바이스
- 슈퍼 접합 프로세스(Super Junction Processes)
제2장 파워 반도체의 용도
- 재생에너지 분야의 파워 반도체
- 하이브리드자동차 및 전기자동차 분야의 파워 반도체
- 자동차 업계의 메가트렌드
- 와이드 밴드갭 디바이스
- LED 조명 분야의 파워 반도체
- 산업용 모터 구동장치 분야의 파워 반도체
- 스마트홈 시장의 파워 반도체
제3장 시장 분석
- 반도체 시장의 파워 반도체 지위
- IGBT와 파워 MOSFET의 잠재적인 성장성
- 최종용도 시장
- 와이드 밴드갭 파워 반도체 시장
제4장 차세대 파워 반도체
- 실리콘 제약 극복에 대한 기대감
- 차세대 기판으로서의 SiC와 GaN에 대한 기대감
- 와이드 밴드갭 반도체의 이점
- SiC와 GaN 비교
- 재료 특성
- 재료 품질
- SiC 횡형 소자
- GaN 종형 소자
- SiC 디바이스 제조
- SiC의 벌크 단결정 성장과 에피택시얼 성장(Epitaxial Growth)
- 표면처리
- 에칭
- 리소그래피
- 이온주입
- 표면안정화
- 금속화
- GaN 디바이스 제조
- GaN 과제
- 가격
- 신뢰성
- 컴포넌트 패키징과 열신뢰성
- 관리
- 디바이스 모델링
- 패키징
제5장 주요 기업 개요
- 파워 반도체 제조업체
- Infineon
- Mitsubishi Electric
- Toshiba
- STMicroelectronics
- Vishay
- International Rectifier
- Fairchild
- Fuji Electric
- Renesas
- Semikron
- NXP Semiconductors
- SiC 웨이퍼 관련 기업
- GaN 웨이퍼 관련 기업
- 차세대 파워 반도체 개발을 추진하는 기업 개요
- Mitsubishi Electric
- Fuji Electric Holdings
- Toshiba
- Rohm
- Sanken Electric
- Shindengen Electric
- Infineon
- Microsemi
- Cree
- GeneSiC Semiconductor
- Semisouth Laboratories
- United Silicon Carbide
- MicroGaN
- Powerex
- Fairchild
- International Rectifier
- Nitronix
도표
KSM
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