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시장보고서
GaN 기반 200V 파워 트랜지스터 EPC2010 : Reverse Costing 분석
EPC2010 GaN 200V power transistor Reverse Costing Analysis
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System Plus Consulting 에서 2011년 12월 에 발행한 「GaN 기반 200V 파워 트랜지스터 EPC2010 : Reverse Costing 분석」 보고서는 US $3,630 부터 구매 가능합니다.
Efficient Power Conversion(EPC)가 개발한 질화 갈륨(GaN) 기반 차세대 파워 트랜지스터 EPC2010를 상세히 분석했으며, 상세 사진, 재료 분석, 제조 공정 과정, 경제면의 면밀한 분석, 제조비용 내역, 판매가격 견적, GaN 트랜지스터 제조 공정의 변화에 대한 검토 등을 정리하여 전해드립니다.
제1장 개요/서론
제2장 기업 개요
- Reverse Costing 분석 방법
- EPC 기업 개요
- 제품 검증
제3장 물리적 분석
- 트랜지스터의 특성과 마킹
- 패드
- 범프(Bumps)
- 디바이스 치수
- 접점
- 단면 분석
- 백-앤드 공정(Back end process)
- 전공정(Front end process)
- 게이트
- GaN 에피택시(Epitaxy)
- 프로세스 파라미터 개요
- 총괄
제4장 제조 공정 과정
- Si기판상의 GaN 에피택시 공정 과정
- 트랜지스터 공정 과정
- 범프 공정 과정
- 웨이퍼 제조 유닛 해설
제5장 비용 분석
- 경제 분석의 주요 단계
- 에피택시 비용
- 웨이퍼 비용
- 스텝/설비/소모품 내역
- 공급망 분석
- 프로브 검사 비용
- 범프, 다이싱(Dicing) 및 최종 검사 비용
- 컴포넌트 제조원가
- 산출 총괄
제6장 제조업체 견적 가격 분석
제7장 결론
KSA
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