|
½ÃÀ庸°í¼
ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º¸¦ À§ÇÑ GaN ±â¼ú : ¾÷°è ¹× ½ÃÀå ÇöȲ°ú ¿¹Ãø
Power GaN 2011
|
Yole Developpement ¿¡¼ 2010³â 10¿ù ¿¡ ¹ßÇàÇÑ ¡¸ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º¸¦ À§ÇÑ GaN ±â¼ú : ¾÷°è ¹× ½ÃÀå ÇöȲ°ú ¿¹Ãø¡¹ º¸°í¼´Â 163 Pages·Î ±¸¼ºµÇ¾î, US $5,390 ºÎÅÍ ±¸¸Å °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
½Ç¸®ÄÜ¿¡ ºñÇØ ¿ì¼öÇÑ Æ¯¼ºÀ» Áö´Ï´Â ÁúȰ¥·ý(GaN)Àº ÀÌÀüºÎÅÍ LED¸¦ ½ÃÀÛÀ¸·ÎÇÏ´Â ±¤ÀüÀÚ ±â±â·Î ³Î¸® ÀÌ¿ëµÇ¾î ¿Ô½À´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ ¹«¼± ºÐ¾ß¿¡¼µµ ½Ç¸®ÄÜ Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ´ë½ÅÇÏ´Â GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °³¹ßÀÌ 10³â ÀüºÎÅÍ ÁøÇàµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÃÖ±Ù ±× ¿ëµµ´Â ³·Àº Á֯ļö´ëÀÇ ½ºÀ§Ä¡¿Í ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ºÐ¾ß·Î È®´ëµÇ°í ÀÖ½À´Ï´Ù. ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ¿ëµµ¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â GaN µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀåÀ» Á¶»çÇÏ°í ½ÃÀå ÇöȲ°ú ¼¼ºÐÈ, GaN ¾÷°èÀÇ ÇöȲ, GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °³¹ß ¹× »ý»ê µ¿Çâ, °¢Á¾ Á¦Ç° µîÀ» ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù. 3. ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ½ÃÀåÀÇ °³¿ä - ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Á¤ÀÇ
- ÆÄ¿ö ¸ðµâ°ú ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö ¸ðµâ(IPM)ÀÇ Á¤ÀÇ
- 2006~2015³âÀÇ ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ½ÃÀå ±Ô¸ð
- µð¹ÙÀ̽ºº° ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ½ÃÀå ±Ô¸ð
- ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀåÀÇ 2009³â ¸ÅÃâ¾×°ú 2009~2012³âÀÇ Áö¿ªº° µ¥ÀÌÅÍ
- ¹ë·ù üÀÎ ºÐ¼® : ¿þÀÌÆÛ(Wafer), µð¹ÙÀ̽º, ½Ã½ºÅÛ
- ¿þÀÌÆÛ(Si+SOI) Á÷°æÀÇ º¯È
- ½ÃÀå ºÎ¹®ÀÇ Á¤ÀÇ¿Í ³»¿ë
- ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½ºÀÇ ½ÃÀå ¼¼ºÐÈ
- Àü¾Ð ¹üÀ§º° µð¹ÙÀ̽º ¸ÅÃâ¾×
- 2015³âÀÇ ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ½ÃÀå
4. GaN ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½ºÀÇ ½ÃÀå ¼¼ºÐÈ - ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ºÐ¾ß¿¡¼ GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ¿ëµµ
- °¢Á¾ ¿ëµµÀÇ Àü·Â ¼öÁØ
- GaNÀÇ À̿뿡 ÀÇÇÑ Àü·Â º¯È¯ ±â´É °³¼±
- ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ºÐ¾ßÀÇ GaN µð¹ÙÀ̽º Æò°¡
- À¯È¿ ½ÃÀå ¹× ¼ºÀå·ü, Á¦Ç° ÅõÀÔ ½Ã±â
- GaN vs. SiC : SWOT ºÐ¼®
- GaN vs. SiC vs. Si : ¼º´É Áö¼ö
5. GaN ¾÷°è Ȱµ¿ - GaNÀ» »ç¿ëÇÑ ÁÖ¿ä Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ Á¦Ç°
- ºÏ¹ÌÀÇ »ê¾÷¿ë GaN °ø±Þ¸Á
- À¯·´ÀÇ »ê¾÷¿ë GaN °ø±Þ¸Á
- ¾Æ½Ã¾ÆÀÇ »ê¾÷¿ë GaN °ø±Þ¸Á
- À¯·´ÀÇ ¿¬±¸ °³¹ß ÇÁ·Î±×·¥
- À¯·´¿¡¼ ÁøÇàµÇ°í ÀÖ´Â G2REC ÇÁ·ÎÁ§Æ®
- Fuji Electric¿Í FurukawaÀÇ Á¦ÈÞ
- Furukawa°ú PowdecÀÇ Á¦ÈÞ
- ÃֽŠÀü·«°ú ¼±ÅÃÁö
5. GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °³¹ß - ÇöÀç ÁøÇà ÁßÀÎ GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °³¿ä
- GaN ¼îƮŰ ´ÙÀÌ¿Àµå(Schottky diode) ¼³°è¸¦ À§ÇÑ ¾îÇÁ·ÎÄ¡
- GaN ¼îƮŰ ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ À̷лóÀÇ ÇѰè
- ±âÆÇ ¼±Åÿ¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ
- °¢ ±â¾÷ÀÇ GaN µð¹ÙÀ̽º
- GaN Á¦Ç°ÀÇ °³¹ß ½ºÄÉÁÙ
6. GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Á¦Á¶ ºñ¿ë ºÐ¼® - GaN/Si FETÀÇ Á¦Á¶ ºñ¿ë ³»¿ª
- 200V/12A Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Á¦Á¶ ´Ü°¡
- GaN Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ »ç¾ç°ú ½ÃÀå °¡°Ý ºÐ¼®
- ½Ç¸®ÄÜ MOS FET¿ÍÀÇ ºñ±³
7. GaN ±âÆÇ °³¹ßÀÇ ÇöȲ - GaN ¿¡ÇÇÅýÃ(Epitaxy)¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â °¢Á¾ ±âÆÇ
- ¹úÅ© GaN : Á¦Ç°È Àü¸Á, Á¦Á¶¿Í ¿¬±¸ °³¹ß ÇöȲ, 2007~2015³â ½ÃÀå °¡°Ý
- ±â¼úÀû °¡´É¼º°ú Á¦Á¶ ºñ¿ë
- GaN°ú °æÀïÇÏ´Â ±â¼úÀÇ ¸®½ºÅ© ºÐ¼®
8. Àü·Â °ø±Þ°ú ¿ª·ü º¸Á¤(PFC) ±â±â ½ÃÀå - PFC ½ÃÀåÀÇ ÁÖ¿ä ÁöÇ¥
- GaNÀÇ ÁÖ¿ä ºÎ°¡ °¡Ä¡
- PFC È¿À²ÀÇ ºñ±³(Si, SiC, GaN)
- ÁÖ¿ä Á¦Á¶»ç µ¿Çâ(15»ç)
- ÁÖ¿ä ½ÃÀå ÁøÃâ ¿ä°Ç
- Si, SiC, GaN ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ºñ¿ë ºñ±³
9. Àü±â ÀÚµ¿Â÷(EV)/ÇÏÀ̺긮µå ÀÚµ¿Â÷(HEV) ½ÃÀå - µð¹ÙÀ̽º À¯Çü°ú ÃâÇÏ »óȲ
- ¿ø¸®¿Í ±â´É¼º
- EV, HEV, ¿¬·á ÀüÁö ÀÚµ¿Â÷(FCV), ³»¿¬ ±â°ü(ICE) ÀÚµ¿Â÷ÀÇ 2019³â ½ÃÀå Á¡À¯À² ¿¹Ãø
- 2019³â ÆÇ¸Å ¿¹Ãø
- GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀåÁ¡
- ÇöÀç »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â µð¹ÙÀ̽º ±â¼ú
- 2°³ÀÇ Áß¿ä ÆÄ¿ö ¸ðµâ
- GaN µð¹ÙÀ̽º µµÀÔ¿¡ ÀÇÇÑ °³¼± È¿°ú
- GaN Á¦Ç°ÀÇ ºÎ°¡ °¡Ä¡ ºÐ¼®
- HEV¿ë ÀιöÅÍ(Inverter) ¸ðµâÀÇ ºñ¿ë ³»¿ª
- »ç·Ê ¿¬±¸ : ½Ç¸®ÄÜ ¹× GaNÀ» »ç¿ëÇÑ HEV¿ë ÀιöÅÍÀÇ ºñ¿ë ºÐ¼®
- EV/HEV ÀιöÅÍ ½ÃÀåÀÇ GaN µð¹ÙÀ̽º ÆÇ¸Å Àü¸Á
- EV/HEV¿ë 6ÀÎÄ¡ GaN ¿þÀÌÆÛÀÇ ÃâÇÏ·®
10. ¼Ö¶ó ÆÐ³Î¿ë ÀιöÅÍ ½ÃÀå - ¼Ö¶ó ½ÃÀå ¼¼ºÐÈ
- 2019³â±îÁöÀÇ ¼Ö¶ó ÆÐ³Î ¼³Ä¡ ±â¹Ý°ú ¿¬°£ ¼ö¿ä
- ÀιöÅÍ ¸ðµâÀÇ ÁÖ¿ä Á¶°Ç
- ¼Ö¶ó ÆÐ³Î ¼³Ä¡ ºñ¿ë°ú ÀιöÅÍ ºñ¿ëÀÇ ³»¿ª
- ÁÖÅÿë ÀιöÅÍÀÇ ÀϹÝÀû ºñ¿ë ³»¿ª
- ž籤 ¹ßÀü µ¿Çâ
- ¼Ö¶ó ÆÐ³Î¿ë ÀιöÅÍ ½ÃÀåÀÇ GaN µð¹ÙÀ̽º
11. ¹«Á¤Àü Àü¿ø ÀåÄ¡(UPS) ½ÃÀå - ¼¼°èÀÇ UPS ½ÃÀå : ½ÃÀå ±Ô¸ð, ÁÖ¿ä »ç¿ëÀÚ, ¼¼°èÀÇ ¼Òºñ·®
- UPS Á¦Ç°
- 2015³â±îÁöÀÇ ¼¼°è UPS ½ÃÀå ¿¹Ãø
- UPS¿ë ½Ç¸®ÄÜ µð¹ÙÀ̽º ¹× GaN µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀå : 2009~2015³â
- UPS¿ë 6ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛÀÇ ¼ö¿ä : 2009~2015³â
- UPS ½ÃÀå¿¡¼ GaNÀÇ ¼º°ø °¡´É¼º
12. AC ¸ðÅÍ µå¶óÀÌºê ½ÃÀå - ¿ëµµ
- ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺êÀÇ ¿ª»ç
- ½ÃÀåÀÇ º¸Æí¼º
- ½ÃÀå Àü¸Á : 2009~2015³â
- À¯È¿ ½ÃÀå ±Ô¸ð
- ½ÃÀå Á¡À¯À²
- AC µå¶óÀ̺êÀÇ ÀüÀÚ ¾ÆÅ°ÅØÃ³
- AC µå¶óÀ̺ê¿ë ½Ç¸®ÄÜ µð¹ÙÀ̽º ¹× GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ½ÃÀå ±Ô¸ð : 2009~2015³â
- AC ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺ê¿ë 6ÀÎÄ¡ ±âÆÇÀÇ ½ÃÀå ±Ô¸ð
KJS
|