|
½ÃÀ庸°í¼
À¯·´ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð ÆÕ µ¥ÀÌÅͺ£À̽º ¹× ¸®Æ÷Æ®(2012³â)
European Microelectronic Fab Database & Report 2012
|
Yole Developpement ¿¡¼ 2011³â 10¿ù ¿¡ ¹ßÇàÇÑ ¡¸À¯·´ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð ÆÕ µ¥ÀÌÅͺ£À̽º ¹× ¸®Æ÷Æ®(2012³â)¡¹ º¸°í¼´Â US $5,290 ºÎÅÍ ±¸¸Å °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
À¯·´¿¡´Â ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º Á¦Ç°ÀÇ »ý»ê°ú ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇϰí ÀÖ´Â 320°³ ÀÌ»óÀÇ ÆÕ(Fab)ÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, IC, MEMS, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º, ÇÁ¸°Æ¼µå ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º, ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ ¹× ÆÐŰ¡, ¿¬±¸°³¹ß µî ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß¿¡¼ »ç¾÷À» ÃßÁøÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. EU ȸ¿ø±¹ ¹× µ¿À¯·´°ú ÅÍŰ, ¸ð·ÎÄÚ, À̽º¶ó¿¤, ·¯½Ã¾Æ µî À¯·´ 50°³±¹ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð ÆÕÀ» Á¶»çÇßÀ¸¸ç, ±â¾÷¸í(À¥»çÀÌÆ® Á¤º¸ Æ÷ÇÔ), ±Ô¸ð(2010³â Á÷¿ø¼ö¿Í ÆÇ¸Å µ¥ÀÌÅÍ), ÁÖ¿ä ¾÷¹«³»¿ë(Á¦Ç° ¿ëµµ, µð¹ÙÀ̽º, ½ÃÀå), ¼ÒÀçÁö, ±â¼ú, »ý»ê ´É·Â(¿ù°£ ¿þÀÌÆÛ ÅõÀÔ·®), »ý»ê ´É·Â ¿¹Ãø, Ŭ¸°·ëÀÇ ±Ô¸ð¿Í µî±Þ, À繫 Á¤º¸ µîÀ» µ¥ÀÌÅͺ£À̽º¿Í Á¶»ç º¸°í¼·Î Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù. 1. µ¥ÀÌÅͺ£À̽º - IC
- ¸Þ¸ð¸®
- ·ÎÁ÷ µð¹ÙÀ̽º
- ¾Æ³¯·Î±× ¹× È¥ÇÕ ½ÅÈ£ ȸ·Î
- ASIC µîÀÇ IC µð¹ÙÀ̽º
- MEMS¿Í ¼¾¼
- À×Å©Á¬ ÇÁ¸°ÅÍ Çìµå
- ¾Ð·Â¼¾¼
- °ü¼º¼¾¼
- Àû¿Ü¼± ¿µ»ó ¼¾¼
- ƯÁ¤ ¾àǰ ¹× °¡½º¿ë ¼¾¼
- ±¤ÇÐ MEMS
- °íÁÖÆÄ MEMS
- MEMS ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆù
- MEMS µðÁöÅÐ ÄįĽº
- MEMS ¹ßÁø±â
- ±âŸ °¢Á¾ MEMS µð¹ÙÀ̽º
- ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼
- ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¿Í CPV
- ÇÁ¸°Æ¼µå ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º
- ÆÐŰ¡
- µð½ºÅ©¸®Æ® ÆÐŰ¡
- Á¦·Î ·¹º§ ÆÐŰ¡
- ÆÛ½ºÆ® ·¹º§ ÆÐŰ¡
- ¿þÀÌÆÛ ·¹º§ ÆÐŰ¡
- 3Â÷¿ø ÀûÃþ µîÀÇ ÆÐŰ¡ ±â¼ú
- ÁÖ¿ä ¿¬±¸°³¹ß Á¶Á÷
2. Á¶»ç º¸°í¼ - °³¿ä
- ±â¾÷°ú Á¦Á¶½Ã¼³ ±Ô¸ðº°, Áö¿ªº°, ±â¼úº°, Á¦Ç°º° Åë°è ºÐ¼®
- Á¦Ç°°ú Á¦Á¶ ±â¼ú¿¡ °üÇÑ µ¿Ç⠺м®
- ¼³ºñ¿Í Àç·áÀÇ °³¹ß, Á¶´Þ, À̿뿡 °ü·ÃµÈ ÁÖ¿ä ±â¾÷ ¹× ±¸»óÀ» Æ÷ÇÔÇÑ ¿äÁ¡ ¿ä¾à
KSA
|