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½ÃÀ庸°í¼
2011³â SiC ½ÃÀå
SiC Market 2011
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Yole Developpement ¿¡¼ 2011³â 11¿ù ¿¡ ¹ßÇàÇÑ ¡¸2011³â SiC ½ÃÀ塹 º¸°í¼´Â US $5,390 ºÎÅÍ ±¸¸Å °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
źȱԼÒ(SiC) µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀå¿¡´Â ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í Æ®·£Áö½ºÅͶó´Â ÆÄ¿öÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º ¾÷°è¿¡¼ °¡Àå Å« ±â´ë¸¦ ¸ðÀ¸°í ÀÖ´Â µð¹ÙÀ̽º°¡ Æ÷ÇԵǾî ÀÖÀ¸¸ç, 2011³â¿¡´Â Rohm°ú CREE°¡ SiC¸¦ »ç¿ëÇÑ ÃÖÃÊÀÇ MOSFET¸¦ ÅõÀÔÇß½À´Ï´Ù. ÀÌ µð¹ÙÀ̽º´Â ÀÌ¹Ì °øÁ¶±â±â ¹× ¸ðÅͱ¸µ¿ÀåÄ¡, ž籤¹ßÀü(PV) ÀιöÅÍ µî¿¡¼ »ç¿ëµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, SiCÀÇ ºÎ°¡°¡Ä¡¸¦ ÃÖ´ëÇÑ »ì¸± ¼ö ÀÖ´Â Æ÷Àå ±â¼ú °³¹ß¿¡µµ Å« ³ë·ÂÀ» ±â¿ïÀ̰í ÀÖ½À´Ï´Ù. 2010³âÀÇ SiC µð¹ÙÀ̽º ½ÃÀåÀº 5,000¸¸ ´Þ·¯¸¦ ¿ôµµ´Â ±Ô¸ð·Î ±× Áß½ÉÀº ¿ª·ü °³¼±(PFC) ½Ã½ºÅÛ ¹× PV ÀιöÅÍÀ̳ª, ÇâÈÄ¿¡´Â Àü±âÀÚµ¿Â÷(EV) ¹× ÇÏÀ̺긮µå Àü±âÀÚµ¿Â÷(HEV) µî¿¡¼µµ »ç¿ëµÉ °ÍÀÌ¸ç ½ÃÀå³»¿¡¼ Å« ºñÁßÀ» Â÷ÁöÇÏ°Ô µÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµË´Ï´Ù. ¼¼°èÀÇ SiC ½ÃÀåÀ» ´Ù·ç¾úÀ¸¸ç, °¢Á¾ ¿ëµµ¿ë Á¦Ç° ½ÃÀåÀÇ 2020³â±îÁöÀÇ Àü¸Á ¹× SiC ±âÆÇ ½ÃÀå µ¿Ç⠺м®, SiC µð¹ÙÀ̽ºÀÇ À¯È¿ ½ÃÀå ¹× °ü·Ã ¾÷°è Àü¸Á, µð¹ÙÀ̽º ¹× ÆÄ¿ö ¸ðµâÀ» Æ÷ÇÔÇÑ SiC ±â¼ú ÇØ¼³ µîÀ» Á¤¸®ÇÏ¿© ÀüÇØµå¸³´Ï´Ù. 3. ½Ç¸®ÄÜ¿¡¼ SiC·Î : À¯È¿ ½ÃÀå ºÐ¼® 6. ÁßÀü¾Ð ¿ëµµ - EV¿Í HEV
- ¼Ö¶ó ¸ðµâ¿ë ÀιöÅÍ
- ¹«Á¤ÀüÀü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡(UPS)
- »ê¾÷¿ë AC ¸ðÅÍ ±¸µ¿ÀåÄ¡
- °øÁ¶¼³ºñ
7. °íÀü¾Ð ¿ëµµ - öµµ
- ½º¸¶Æ® ±×¸®µå
- ¼±¹Ú
- dz·Â¹ßÀü
8. SiC ±âÆÇ ½ÃÀå : n Á¾·ù¿Í S.I. 10. SiC ±â¼ú : µð¹ÙÀ̽º¿Í ÆÄ¿ö ¸ðµâ KSA
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