공지 : 도쿄증권거래소 JASDAQ 스탠다드 시장 신규 상장 관련 안내

Global Information
회사소개 | 문의 | 비교리스트

트랜지스터 기술의 미래

Future of Transistor Technology

리서치사 Frost & Sullivan
발행일 2017년 12월 상품 코드 599563
페이지 정보 영문 47 Pages
가격
US $ 4,950 ₩ 5,594,000 Web Access (Regional License) help
리서치사의 웹사이트에 로그인할 수 있는 패스워드가 발급되며, PDF를 다운로드 받는 형태로 제공됩니다. 동일 국가 내에 있는 사업장의 모든 분들이 이용할 수 있는 라이선스이며, 이용 인원수 제한은 없습니다. 텍스트 등의 PDF 내용 편집은 불가능합니다. 인쇄횟수에 제한은 없으나, 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위에 준합니다.


트랜지스터 기술의 미래 Future of Transistor Technology
발행일 : 2017년 12월 페이지 정보 : 영문 47 Pages

본 상품은 영문 자료로 한글과 영문목차에 불일치하는 내용이 있을 경우 영문을 우선합니다. 정확한 검토를 위해 영문목차를 참고해주시기 바랍니다.

트랜지스터 기술의 최신 혁신에 대해 조사분석했으며, 와이드 밴드 갭(WBD) 트랜지스터에 초점을 맞추고 기술 상황, 응용 평가, 영향요인, 세계 동향과 혁신, 기술과 응용 로드맵 등의 정보를 정리하여 전해드립니다.

제1장 개요

제2장 기술 상황

  • 현재 전자 산업에서 트랜지스터의 기술적 의의
  • 트랜지스터의 세분화
  • BJT와 FET는 가장 일반적으로 사용되는 트랜지스터
  • 응용의 다양성

제3장 와이드 밴드 갭(WBD) 트랜지스터가 진보를 촉진

  • WBG 트랜지스터 - 기술적 의의와 세분화
  • 회로 사이즈와 실리콘의 한계가 WBG 반도체의 성장을 가능하게 한다.
  • 에너지 절약과 그린 에너지에 대한 수요가 WBG 트랜지스터의 개발을 촉진
  • WBG 트랜지스터의 도입을 늦추는 과제
  • SiC와 GaN 트랜지스터의 비교 평가
  • 특허 공보 동향
  • 특허 분석으로부터의 추론 : 주요 중점 분야
  • 주요 특허권자가 혁신을 촉진
  • 일렉트로닉스 산업에서 WBG 트랜지스터의 실장
  • WBG 트랜지스터 부문의 자금조달 시나리오
  • WBG 트랜지스터용 공급망 모델

제4장 혁신이 트랜지스터의 개발을 촉진

  • 고속 바이 스테이트 레이저 트랜지스터
  • 다이아몬드 트랜지스터에 의한 고출력 응용의 실현
  • 유기 트랜지스터 기반 AC/DC 컨버터
  • 인슐린 레벨 모니터링용 그래핀 FET 나노센서
  • 뉴런 스타일 시행 트랜지스터
  • 질화갈륨 기반 고전압 FET
  • 질화갈륨을 사용하는 E-HEMT
  • 고전자 이동도 트랜지스터를 사용하는 차세대 RF 디바이스
  • 탄소 기반 트랜지스터를 사용하는 초고속 컴퓨팅
  • 플렉서블 트랜지스터를 사용하는 휴대용 전자기기
  • 초고속 스위칭 SiC MOSFET
  • 유기 박막 트랜지스터를 사용하는 플렉서블 디스플레이

제5장 향후 성장 기회와 전략적 전망

  • 트랜지스터 기술의 향후 로드맵
  • Analyst's Desk로부터의 견해 : WBG 트랜지스터에 대한 경쟁의 본질과 세계의 도입 시나리오
  • Analyst's Desk로부터의 견해 : WBG 트랜지스터의 매력적인 응용과 향후 기회

제6장 업계 연락처

KSA 18.01.24

Wide Band Gap Transistor Drive Opportunities in High Power Electronics

Transistors are the fundamental electronic components present in any device. They have evolved over a period of 30 years in size and performance. Their capability to act as a switch or amplify current or voltage has enabled them to serve diverse applications ranging from logic gates in the computer processors to sound amplifiers. Research and development towards improving the performance parameters of transistors and to determine new semiconductor materials apart from silicon is an on-going process. Transistors are being developed in order to support the rapid advancements in technology like wireless charging and energy conversion.

This technology and innovation report offers insights on the recent innovations in the transistor technology. The report focuses mainly on the Wide Band Gap transistors which are opening up new avenues in power electronics industry as a promising alternative for silicon transistors. This report also offers insights on applications that might evolve in the next 5 to 6 years.

Coverage includes:

  • Technology landscape
  • Applications assessment
  • Factors influencing development and adoption-Key drivers and challenges
  • Global trends and innovation indicators
  • Breadth of applications impacted
  • Technology and application roadmaps showing the future prospect of Transistors
  • Strategic insights about market and emerging trends

Table of Contents

1.0 EXECUTIVE SUMMARY

  • 1.1 Research Scope
  • 1.2 Research Methodology
  • 1.2 Research Methodology (continued)
  • 1.3 Key Research Findings
  • 1.3 Key Research Findings (continued)

2.0 TECHNOLOGY LANDSCAPE

  • 2.1 Technological Significance of Transistors in Today's Electronic Industry
  • 2.2 Segmentation of Transistors
  • 2.3 BJT and FET are the Most Commonly Used Transistors
  • 2.4 Application Diversity

3.0 WIDE BAND GAP (WBG) TRANSISTORS ARE DRIVING ADVANCEMENTS

  • 3.1 WBG Transistors - Technological Significance and Segmentation
  • 3.2 Circuit Size and Silicon Limitations Enable growth of WBG Semiconductors
  • 3.3 Energy Savings and Emerging Demand for Green Energy Propels the Development of WBG Transistors
  • 3.4 Challenges Hindering the Adoption of WBG Transistors
  • 3.5 Comparative Assessment of SiC and GaN Transistors
  • 3.6 Patent Publication Trends
  • 3.7 Inference from Patent Analysis: Key Focus Areas
  • 3.8 Key Patent Holders Driving Innovation
  • 3.9 Implementation of WBG Transistors in the Electronics Industry
  • 3.10 Funding Scenarios in WBG Transistor Segment
  • 3.11 Supply Chain Model for WBG Transistors

4.0 INNOVATIONS DRIVING THE DEVELOPMENTS IN TRANSISTOR

  • 4.1 High-speed Bi-state Laser Transistors
  • 4.2 Enabling High Power Applications Through Diamond Transistors
  • 4.3 Organic Transistor-based AC/DC Converter
  • 4.4 Graphene Field Effect Transistor (FET) Nanosensor for Insulin Level Monitoring
  • 4.5 Neuron Styled Executing Transistors
  • 4.6 Gallium Nitride-based High Voltage Field-effect Transistor
  • 4.7 Enhancement Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMTs) using Gallium Nitride
  • 4.8 Next-Gen RF Devices using High Electron Mobility Transistors
  • 4.9 Ultra-fast computing using Carbon-based Transistors
  • 4.10 Portable Electronic Devices using Flexible Transistors
  • 4.11 Ultra-speed Switching SiC MOSFETs
  • 412 Flexible Displays using Organic Thin Film Transistors

5.0 FUTURE GROWTH OPPORTUNITIES AND STRATEGIC PERSPECTIVES

  • 51 Future Roadmap for Transistor Technology
  • 5.2 From the Analyst's Desk: What is the Nature of Competition and Global Adoption Scenario for WBG Transistors?
  • 5.3 From the Analyst's Desk: What are Key Attractive Applications and Future Opportunities for WBG Transistors?

6.0 INDUSTRY CONTACTS

  • 6.1 Key Contacts
  • Legal Disclaimer
Back to Top
전화 문의
F A Q