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세계의 와이드 밴드갭 반도체 시장 : 시장 규모, 점유율, 성장 및 산업 분석 - 유형별, 용도별, 지역별 인사이트 및 예측(2024-2032년)

Wide Band Gap Semiconductor Market Size, Share, Growth and Global Industry Analysis By Type & Application, Regional Insights and Forecast to 2024-2032

발행일: | 리서치사: Fortune Business Insights Pvt. Ltd. | 페이지 정보: 영문 150 Pages | 배송안내 : 문의

    
    
    



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와이드 밴드갭 반도체 시장의 성장 요인

세계의 와이드 밴드갭 반도체 시장은 산업이 고효율 전자기기로의 이행을 가속시키는 가운데 급속한 변화를 이루고 있습니다. 뛰어난 열 성능, 높은 절연 파괴 전압, 저전력 손실을 제공하는 첨단 반도체 재료의 채용 확대에 힘입어 2024년 시장 규모는 20억 8,000만 달러로 평가되었습니다. 2025년에는 전기자동차(EV), 5G 통신, 신재생 에너지 시스템, 산업용 전자기기의 채용 확대를 배경으로 시장 규모는 23억 8,000만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 2032년까지 시장은 크게 성장하여 62억 2,000만 달러에 이를 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 견조한 CAGR 14.71%로 반영하고 있습니다.

탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AIN) 등의 와이드 밴드갭(WBG) 재료는 고온, 고전압, 고주파수에서의 동작이 가능하기 때문에 기존 실리콘에 비해 점점 지지되고 있습니다. 이러한 특성으로 인해 WBG 반도체는 차세대 파워 일렉트로닉스, EV 파워트레인, 5G 기지국, 스마트 그리드, 고성능 컴퓨팅 시스템에서 매우 중요한 역할을 담당하고 있습니다.

시장 동향 및 주요 성장 요인

주요 시장 동향은 특히 전기자동차(EV) 및 신재생 에너지 시스템 분야에서 SiC 및 GaN 기술의 채택 확대를 포함합니다. EV 제조업체는 인버터 효율 향상, 배터리 수명 연장, 빠른 충전 실현을 위해 SiC 기반 파워 디바이스에 크게 의존합니다. 한편 GaN은 뛰어난 고주파 성능으로 5G 통신 분야에서의 채용이 더욱 가속화되고 있습니다. 2024년까지 세계 320개 이상의 5G 네트워크가 도입될 전망이며, GaN 탑재 RF 부품에 대한 수요는 계속 가속화되고 있습니다.

게다가 청정 에너지로의 세계 전환은 업계의 기세를 뒷받침하고 있습니다. 태양광 인버터, 풍력 터빈, 에너지 저장 시스템은 전력 변환 효율 향상 및 전력 계통 근대화 이니셔티브를 지원하기 위해 광대역 갭 반도체에 대한 의존도를 높이고 있습니다.

시장 성장에 영향을 미치는 제약 요인

수요는 견조한 반면, 높은 제조 비용이 보급의 장벽이 되고 있습니다. SiC 및 GaN의 제조에는 고급 공정, 특수 기판, 복잡한 제조 장치가 필요하며 실리콘 반도체보다 훨씬 비쌉니다. 숙련 노동력 부족과 공급망 제약은 대규모 도입을 더욱 방해하고 있습니다. 시스템 아키텍처를 변경해야 하는 등의 통합 과제는 레거시 전자 시스템을 갖춘 업계 전반의 확산을 늦추고 있습니다.

시장 기회

세계 전동 이동성의 보급은 WBG 반도체 제조업체에게 가장 중요한 기회 중 하나입니다. 2023년 세계에서 약 1,400만대가 판매된 전기자동차(EV)용으로 SiC 기반의 파워 모듈 및 GaN 기반의 충전 부품에 대한 수요는 계속 확대되고 있습니다. EV 보급을 지원하는 정부 인센티브가 이 수요를 가속화하고 있습니다. 급속 충전소 및 에너지 절약형 자동차용 전자기기에 대한 요구의 확대는 차세대 이동성 솔루션에서 와이드 밴드갭 반도체의 역할을 더욱 확고하게 할 것입니다.

부문 분석

재료 유형별

  • 2024년에는 고출력 자동차 및 산업 용도 수요에 견인되었으며, 탄화규소(SiC)가 57.50%의 점유율로 지배적이었습니다.
  • 질화갈륨(GaN)은 5G 네트워크와 고주파 통신 시스템에서의 도입 증가로 인해 가장 빠른 성장이 예상됩니다.

기기 유형별

  • 파워 디바이스는 전기자동차용 인버터, 신재생 에너지 변환 장치, 산업용 기기에서의 대규모 이용에 힘입어 2025년에는 48.47%의 점유율로 주도적인 지위를 차지할 전망입니다.
  • RF 디바이스는 5G 및 첨단 레이더 기술의 확대로 인해 15.62%의 연평균 복합 성장률(CAGR)로 가장 높은 성장률을 나타낼 것으로 예측됩니다.

최종 사용자별

  • 자동차 분야는 EV 생산 증가 및 SiC 기반 파워 일렉트로닉스의 채용으로 29.84%의 최고 점유율을 유지할 것으로 전망됩니다.
  • 소비자용 전자기기는 GaN 탑재 충전기, 콤팩트 전원, 고효율 모바일 기기 수요에 견인되어 16.56%의 연평균 복합 성장률(CAGR)을 나타낼 전망입니다.

지역별 전망

아시아태평양

2024년에는 아시아태평양이 8억 7,000만 달러로, 세계 점유율의 41.83%를 차지해 주도적인 지위를 유지했습니다. 반도체 제조, EV 보급, 5G 전개에 대한 강력한 투자로 이 지역은 가장 빠르게 성장하는 시장이 되었습니다. 중국, 일본, 한국이 계속 지역의 생산 및 소비를 견인하고 있습니다.

북미

북미는 EV 생산의 견고함, 신재생 에너지 투자, 최첨단 반도체 연구 능력에 힘입어 2025년에는 6억 5,000만 달러에 이를 전망입니다. 미국 단독으로도 2025년에는 3억 4,000만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다.

유럽

유럽은 적극적인 EV 정책, 스마트 그리드 개발, SiC/GaN 기술에 대한 투자에 힘입어 2025년에는 5억 1,000만 달러 규모에 달할 것으로 전망됩니다. 독일, 프랑스, 영국 등의 국가들이 주요 도입국으로 자리매김하고 있습니다.

목차

제1장 서론

제2장 주요 요약

제3장 시장 역학

  • 매크로 및 마이크로 경제 지표
  • 성장 촉진요인, 억제요인, 기회 및 동향

제4장 경쟁 구도

  • 주요 기업이 채용하는 사업 전략
  • 주요 기업의 통합 SWOT 분석
  • 세계의 와이드 밴드갭 반도체 주요 기업(상위 3-5사) 시장 점유율 및 랭킹(2024년)

제5장 세계의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 주요 조사 결과
  • 재료 유형별
    • 탄화규소(SiC)
    • 질화갈륨(GaN)
    • 기타(질화알루미늄(AIN), 다이아몬드 등)
  • 기기 유형별
    • 파워 디바이스
    • 고주파 디바이스
    • 광전자 디바이스
  • 최종 사용자별
    • 자동차
    • 소비자용 전자기기
    • 통신
    • 항공우주 및 방위
    • 에너지 및 전력
    • 기타(의료 등)
  • 지역별
    • 북미
    • 남미
    • 유럽
    • 중동 및 아프리카
    • 아시아태평양

제6장 북미의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 국가별
    • 미국
    • 캐나다
    • 멕시코

제7장 남미의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 국가별
    • 브라질
    • 아르헨티나
    • 기타 남미 국가

제8장 유럽의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 국가별
    • 영국
    • 독일
    • 프랑스
    • 이탈리아
    • 스페인
    • 러시아
    • 베네룩스
    • 북유럽 국가
    • 기타 유럽

제9장 중동 및 아프리카의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 국가별
    • 튀르키예
    • 이스라엘
    • GCC
    • 북아프리카
    • 남아프리카
    • 기타 중동 및 아프리카

제10장 아시아태평양의 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모 추정 및 예측 : 부문별(2019-2032년)

  • 국가별
    • 중국
    • 인도
    • 일본
    • 한국
    • ASEAN
    • 오세아니아
    • 기타 아시아태평양

제11장 주요 10개 기업의 기업 프로파일

  • Infineon Technologies AG
  • STMicroelectronics
  • NXP Semiconductors
  • ROHM Co., Ltd.
  • Macom Technology Solutions
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES &STORAGE CORPORATION
  • Mitsubishi Electric
  • Fuji Electric Co., Ltd.
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • Nexperia
AJY 26.01.02

Growth Factors of wide band gap semiconductor Market

The global wide band gap semiconductor market is undergoing rapid transformation as industries accelerate their shift toward high-efficiency electronics. The market was valued at USD 2.08 billion in 2024, supported by increasing uptake of advanced semiconductor materials that offer superior thermal performance, higher breakdown voltages, and lower power losses. In 2025, the market is projected to reach USD 2.38 billion, driven by expanding adoption in electric vehicles (EVs), 5G telecommunications, renewable energy systems, and industrial electronics. By 2032, the market is forecast to grow significantly to USD 6.22 billion, reflecting a robust CAGR of 14.71% during the forecast period.

Wide band gap (WBG) materials such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), and aluminum nitride (AIN) are increasingly favored over traditional silicon due to their ability to operate at high temperatures, high voltages, and high frequencies. These characteristics make WBG semiconductors crucial to next-generation power electronics, EV powertrains, 5G base stations, smart grids, and high-performance computing systems.

Market Trends and Key Growth Drivers

A primary market trend is the growing adoption of SiC and GaN technologies, especially in electric vehicles and renewable power systems. EV manufacturers rely heavily on SiC-based power devices to improve inverter efficiency, enhance battery life, and deliver faster charging speeds. GaN, meanwhile, continues to gain momentum in 5G telecommunications due to its superior high-frequency performance. With over 320 global 5G networks launched by 2024, demand for GaN-enabled RF components continues to accelerate.

Industry momentum is further reinforced by the global shift toward clean energy. Solar inverters, wind turbines, and energy storage systems increasingly rely on WBG semiconductors to improve power conversion efficiency and support grid modernization initiatives.

Restraints Impacting Market Growth

Despite strong demand, adoption is challenged by high production costs. The manufacturing of SiC and GaN requires advanced processes, specialized substrates, and complex fabrication equipment, making them significantly more expensive than silicon semiconductors. Limited skilled labor availability and supply chain restrictions further hinder large-scale deployment. Integration challenges-such as the need for modified system architectures-also slow adoption across industries with legacy electronic systems.

Market Opportunities

The global rise of electric mobility presents one of the most significant opportunities for WBG semiconductor manufacturers. With nearly 14 million EVs sold globally in 2023, the need for SiC-based power modules and GaN-based charging components continues to grow. Government incentives supporting EV adoption accelerate this demand. Expanding requirements for fast-charging stations and energy-efficient automotive electronics will further cement the role of WBG semiconductors in next-generation mobility solutions.

Segmentation Analysis

By Material Type

  • Silicon Carbide (SiC) dominated with 57.50% share in 2024, driven by demand for high-power automotive and industrial applications.
  • Gallium Nitride (GaN) is expected to grow fastest due to rising deployment in 5G networks and high-frequency communication systems.

By Device Type

  • Power Devices will lead in 2025 with a 48.47% share, supported by large-scale use in EV inverters, renewable energy converters, and industrial equipment.
  • RF Devices are projected to record the highest growth with a 15.62% CAGR, fueled by expansion of 5G and advanced radar technologies.

By End User

  • Automotive will retain the highest share at 29.84% due to increasing EV production and adoption of SiC-based power electronics.
  • Consumer Electronics will grow at 16.56% CAGR, driven by demand for GaN-powered chargers, compact power supplies, and high-efficiency mobile devices.

Regional Outlook

Asia Pacific

Asia Pacific dominated in 2024 with USD 0.87 billion, accounting for 41.83% of global share. Strong investments in semiconductor manufacturing, EV adoption, and 5G deployment make it the fastest-growing regional market. China, Japan, and South Korea continue to lead regional production and consumption.

North America

North America will reach USD 0.65 billion in 2025, driven by strong EV production, renewable energy investments, and leading semiconductor research capabilities. The U.S. alone is projected to reach USD 0.34 billion in 2025.

Europe

Europe is expected to achieve USD 0.51 billion in 2025, supported by aggressive EV policies, smart grid development, and investments in SiC/GaN technologies. Countries such as Germany, France, and the U.K. remain key adopters.

Conclusion

With the global market projected to grow from USD 2.08 billion in 2024 to USD 6.22 billion by 2032, wide band gap semiconductors are positioned to become foundational to future electronic systems. Their expanding role in electric vehicles, 5G telecommunications, renewable energy, and high-performance industrial applications will continue to drive strong, sustained market growth throughout the forecast period.

Segmentation By Material Type

  • Silicon Carbide (SiC)
  • Gallium Nitride (GaN)
  • Others (Aluminium Nitride (AIN), Diamond, etc.)

By Device Type

  • Power Devices
  • RF Devices
  • Optoelectronic Devices

By End-user

  • Automotive
  • Consumer Electronics
  • Telecommunications
  • Aerospace & Defense
  • Energy & Power
  • Others (Healthcare)

By Region

  • North America (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
    • U.S. (By End-user)
    • Canada (By End-user)
    • Mexico (By End-user)
  • South America (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
    • Brazil (By End-user)
    • Argentina (By End-user)
    • Rest of South America
  • Europe (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
    • U.K. (By End-user)
    • Germany (By End-user)
    • France (By End-user)
    • Italy (By End-user)
    • Spain (By End-user)
    • Russia (By End-user)
    • Benelux (By End-user)
    • Nordics (By End-user)
    • Rest of Europe
  • Middle East & Africa (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
    • Turkey (By End-user)
    • Israel (By End-user)
    • GCC (By End-user)
    • North Africa (By End-user)
    • South Africa (By End-user)
    • Rest of the Middle East & Africa
  • Asia Pacific (By Material Type, By Device Type, By End-user, and Region)
    • China (By End-user)
    • Japan (By End-user)
    • India (By End-user)
    • South Korea (By End-user)
    • ASEAN (By End-user)
    • Oceania (By End-user)
    • Rest of Asia Pacific

Companies Profiled in the Report * Infineon Technologies AG (Germany)

  • STMicroelectronics (Switzerland)
  • Analog Devices, Inc. (U.S.)
  • NXP Semiconductors (Netherlands)
  • ROHM Co., Ltd. (Japan)
  • Macom Technology Solutions (U.S.)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan)
  • Mitsubishi Electric (Japan)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
  • Vishay Intertechnology, Inc. (U.S.)
  • Nexperia (Netherlands)
  • KYOCERA AVX Components Corporation (U.S.)

Table of Content

1. Introduction

  • 1.1. Definition, By Segment
  • 1.2. Research Methodology/Approach
  • 1.3. Data Sources

2. Executive Summary

3. Market Dynamics

  • 3.1. Macro and Micro Economic Indicators
  • 3.2. Drivers, Restraints, Opportunities and Trends

4. Competition Landscape

  • 4.1. Business Strategies Adopted by Key Players
  • 4.2. Consolidated SWOT Analysis of Key Players
  • 4.3. Global Wide Band Gap Semiconductor Key Players (Top 3 - 5) Market Share/Ranking, 2024

5. Global Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 5.1. Key Findings
  • 5.2. By Material Type (USD)
    • 5.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 5.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 5.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 5.3. By Device Type (USD)
    • 5.3.1. Power Devices
    • 5.3.2. RF Devices
    • 5.3.3. Optoelectronic Devices
  • 5.4. By End-user (USD)
    • 5.4.1. Automotive
    • 5.4.2. Consumer Electronics
    • 5.4.3. Telecommunications
    • 5.4.4. Aerospace & Defense
    • 5.4.5. Energy & Power
    • 5.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 5.5. By Region (USD)
    • 5.5.1. North America
    • 5.5.2. South America
    • 5.5.3. Europe
    • 5.5.4. Middle East and Africa
    • 5.5.5. Asia Pacific

6. North America Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 6.1. Key Findings
  • 6.2. By Material Type (USD)
    • 6.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 6.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 6.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 6.3. By Device Type (USD)
    • 6.3.1. Power Devices
    • 6.3.2. RF Devices
    • 6.3.3. Optoelectronic Devices
  • 6.4. By End-user (USD)
    • 6.4.1. Automotive
    • 6.4.2. Consumer Electronics
    • 6.4.3. Telecommunications
    • 6.4.4. Aerospace & Defense
    • 6.4.5. Energy & Power
    • 6.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 6.5. By Country (USD)
    • 6.5.1. United States
      • 6.5.1.1. End-user
    • 6.5.2. Canada
      • 6.5.2.1. End-user
    • 6.5.3. Mexico
      • 6.5.3.1. End-user

7. South America Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 7.1. Key Findings
  • 7.2. By Material Type (USD)
    • 7.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 7.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 7.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 7.3. By Device Type (USD)
    • 7.3.1. Power Devices
    • 7.3.2. RF Devices
    • 7.3.3. Optoelectronic Devices
  • 7.4. By End-user (USD)
    • 7.4.1. Automotive
    • 7.4.2. Consumer Electronics
    • 7.4.3. Telecommunications
    • 7.4.4. Aerospace & Defense
    • 7.4.5. Energy & Power
    • 7.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 7.5. By Country (USD)
    • 7.5.1. Brazil
      • 7.5.1.1. End-user
    • 7.5.2. Argentina
      • 7.5.2.1. End-user
    • 7.5.3. Rest of South America

8. Europe Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 8.1. Key Findings
  • 8.2. By Material Type (USD)
    • 8.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 8.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 8.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 8.3. By Device Type (USD)
    • 8.3.1. Power Devices
    • 8.3.2. RF Devices
    • 8.3.3. Optoelectronic Devices
  • 8.4. By End-user (USD)
    • 8.4.1. Automotive
    • 8.4.2. Consumer Electronics
    • 8.4.3. Telecommunications
    • 8.4.4. Aerospace & Defense
    • 8.4.5. Energy & Power
    • 8.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 8.5. By Country (USD)
    • 8.5.1. United Kingdom
      • 8.5.1.1. End-user
    • 8.5.2. Germany
      • 8.5.2.1. End-user
    • 8.5.3. France
      • 8.5.3.1. End-user
    • 8.5.4. Italy
      • 8.5.4.1. End-user
    • 8.5.5. Spain
      • 8.5.5.1. End-user
    • 8.5.6. Russia
      • 8.5.6.1. End-user
    • 8.5.7. Benelux
      • 8.5.7.1. End-user
    • 8.5.8. Nordics
      • 8.5.8.1. End-user
    • 8.5.9. Rest of Europe

9. Middle East and Africa Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 9.1. Key Findings
  • 9.2. By Material Type (USD)
    • 9.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 9.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 9.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 9.3. By Device Type (USD)
    • 9.3.1. Power Devices
    • 9.3.2. RF Devices
    • 9.3.3. Optoelectronic Devices
  • 9.4. By End-user (USD)
    • 9.4.1. Automotive
    • 9.4.2. Consumer Electronics
    • 9.4.3. Telecommunications
    • 9.4.4. Aerospace & Defense
    • 9.4.5. Energy & Power
    • 9.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 9.5. By Country (USD)
    • 9.5.1. Turkey
      • 9.5.1.1. End-user
    • 9.5.2. Israel
      • 9.5.2.1. End-user
    • 9.5.3. GCC
      • 9.5.3.1. End-user
    • 9.5.4. North Africa
      • 9.5.4.1. End-user
    • 9.5.5. South Africa
      • 9.5.5.1. End-user
    • 9.5.6. Rest of Middle East and Africa

10. Asia Pacific Wide Band Gap Semiconductor Market Size Estimates and Forecasts, By Segments, 2019-2032

  • 10.1. Key Findings
  • 10.2. By Material Type (USD)
    • 10.2.1. Silicon Carbide (SiC)
    • 10.2.2. Gallium Nitride (GaN)
    • 10.2.3. Others (Aluminum Nitride (AIN), Diamond, etc.)
  • 10.3. By Device Type (USD)
    • 10.3.1. Power Devices
    • 10.3.2. RF Devices
    • 10.3.3. Optoelectronic Devices
  • 10.4. By End-user (USD)
    • 10.4.1. Automotive
    • 10.4.2. Consumer Electronics
    • 10.4.3. Telecommunications
    • 10.4.4. Aerospace & Defense
    • 10.4.5. Energy & Power
    • 10.4.6. Others (Healthcare, etc.)
  • 10.5. By Country (USD)
    • 10.5.1. China
      • 10.5.1.1. End-user
    • 10.5.2. India
      • 10.5.2.1. End-user
    • 10.5.3. Japan
      • 10.5.3.1. End-user
    • 10.5.4. South Korea
      • 10.5.4.1. End-user
    • 10.5.5. ASEAN
      • 10.5.5.1. End-user
    • 10.5.6. Oceania
      • 10.5.6.1. End-user
    • 10.5.7. Rest of Asia Pacific

11. Company Profiles for Top 10 Players (Based on data availability in public domain and/or on paid databases)

  • 11.1. Infineon Technologies AG
    • 11.1.1. Overview
      • 11.1.1.1. Key Management
      • 11.1.1.2. Headquarters
      • 11.1.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.1.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.1.2.1. Employee Size
      • 11.1.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.1.2.3. Geographical Share
      • 11.1.2.4. Business Segment Share
      • 11.1.2.5. Recent Developments
  • 11.2. STMicroelectronics
    • 11.2.1. Overview
      • 11.2.1.1. Key Management
      • 11.2.1.2. Headquarters
      • 11.2.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.2.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.2.2.1. Employee Size
      • 11.2.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.2.2.3. Geographical Share
      • 11.2.2.4. Business Segment Share
      • 11.2.2.5. Recent Developments
  • 11.3. NXP Semiconductors
    • 11.3.1. Overview
      • 11.3.1.1. Key Management
      • 11.3.1.2. Headquarters
      • 11.3.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.3.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.3.2.1. Employee Size
      • 11.3.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.3.2.3. Geographical Share
      • 11.3.2.4. Business Segment Share
      • 11.3.2.5. Recent Developments
  • 11.4. ROHM Co., Ltd.
    • 11.4.1. Overview
      • 11.4.1.1. Key Management
      • 11.4.1.2. Headquarters
      • 11.4.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.4.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.4.2.1. Employee Size
      • 11.4.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.4.2.3. Geographical Share
      • 11.4.2.4. Business Segment Share
      • 11.4.2.5. Recent Developments
  • 11.5. Macom Technology Solutions
    • 11.5.1. Overview
      • 11.5.1.1. Key Management
      • 11.5.1.2. Headquarters
      • 11.5.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.5.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.5.2.1. Employee Size
      • 11.5.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.5.2.3. Geographical Share
      • 11.5.2.4. Business Segment Share
      • 11.5.2.5. Recent Developments
  • 11.6. TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
    • 11.6.1. Overview
      • 11.6.1.1. Key Management
      • 11.6.1.2. Headquarters
      • 11.6.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.6.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.6.2.1. Employee Size
      • 11.6.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.6.2.3. Geographical Share
      • 11.6.2.4. Business Segment Share
      • 11.6.2.5. Recent Developments
  • 11.7. Mitsubishi Electric
    • 11.7.1. Overview
      • 11.7.1.1. Key Management
      • 11.7.1.2. Headquarters
      • 11.7.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.7.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.7.2.1. Employee Size
      • 11.7.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.7.2.3. Geographical Share
      • 11.7.2.4. Business Segment Share
      • 11.7.2.5. Recent Developments
  • 11.8. Fuji Electric Co., Ltd.
    • 11.8.1. Overview
      • 11.8.1.1. Key Management
      • 11.8.1.2. Headquarters
      • 11.8.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.8.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.8.2.1. Employee Size
      • 11.8.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.8.2.3. Geographical Share
      • 11.8.2.4. Business Segment Share
      • 11.8.2.5. Recent Developments
  • 11.9. Vishay Intertechnology, Inc.
    • 11.9.1. Overview
      • 11.9.1.1. Key Management
      • 11.9.1.2. Headquarters
      • 11.9.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.9.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.9.2.1. Employee Size
      • 11.9.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.9.2.3. Geographical Share
      • 11.9.2.4. Business Segment Share
      • 11.9.2.5. Recent Developments
  • 11.10. Nexperia
    • 11.10.1. Overview
      • 11.10.1.1. Key Management
      • 11.10.1.2. Headquarters
      • 11.10.1.3. Offerings/Business Segments
    • 11.10.2. Key Details (Key details are consolidated data and not product/service specific)
      • 11.10.2.1. Employee Size
      • 11.10.2.2. Past and Current Revenue
      • 11.10.2.3. Geographical Share
      • 11.10.2.4. Business Segment Share
      • 11.10.2.5. Recent Developments
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