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시장보고서
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세계의 자동차용 게이트 드라이버 IC 시장 : 기회, 성장 요인, 업계 동향 분석 및 예측(2025-2034년)Automotive Gate Driver ICs Market Opportunity, Growth Drivers, Industry Trend Analysis, and Forecast 2025 - 2034 |
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세계의 자동차용 게이트 드라이버 IC 시장은 2024년 14억 달러로 평가되었으며, 2034년까지 연평균 복합 성장률(CAGR) 5.2%로 성장해 23억 달러에 이를 것으로 예측됩니다.

자동차 업계 전반에 걸친 급속한 전기화는 게이트 드라이버 IC 수요를 견인하는 주요 요인 중 하나로 계속되고 있습니다. 전기자동차가 신규 생산 라인을 지배하고 있는 가운데, 전기 모터, 배터리 시스템, 인버터의 정밀 제어에 대한 요구가 높아지고 있습니다. 게이트 드라이버 IC는 전력 트랜지스터를 관리하는 기반이 되는 부품으로 전기자동차의 항속 거리와 신뢰성을 최적화하기 위해 필수적인 효율성, 내열성, 스위칭 성능을 향상시킵니다. 제로 배출 수송과 지구 규모의 탄소 중립 목표의 추진에 의해 EV의 보급이 가속되고, 고성능 및 고전압 드라이버 IC 수요가 40%라는 대폭적인 증가를 보이고 있습니다. 자동차 및 부품 제조업체는 항속거리 향상, 에너지 손실 감소, 정부의 지속가능성 요구사항을 충족하는 고속충전시스템 실현을 위한 첨단 파워 일렉트로닉스를 통합하고 있습니다.
| 시장 범위 | |
|---|---|
| 시작 연도 | 2024년 |
| 예측 연도 | 2025-2034년 |
| 시작 금액 | 14억 달러 |
| 예측 금액 | 23억 달러 |
| CAGR | 5.2% |
업계에서는 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 반도체의 채용으로 자동차용 파워 일렉트로닉스의 설계 방법을 변화시키는 큰 기술적 전환이 진행되고 있습니다. 이러한 광대역 갭 재료는 기존 실리콘에 비해 우수한 에너지 효율, 높은 전력 밀도 및 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. 자동차 제조업체가 보다 컴팩트하고 고효율인 플랫폼을 개발하는 동안 SiC 및 GaN 디바이스에 최적화된 게이트 드라이버는 차세대 EV 아키텍처에 필수적이 되고 있습니다.
2024년 절연 게이트 드라이버 IC 부문은 2억 8,920만 달러의 매출을 기록했습니다. 이는 안전성과 성능을 위해 강력한 전기적 절연을 필요로 하는 전기자동차 및 하이브리드 자동차의 보급 확대에 뒷받침됩니다. 이러한 IC는 높은 과도 전압을 관리하면서 파워 스테이지와 제어 스테이지 간의 신뢰성 있는 통신을 가능하게 하며, 트랙션 인버터, 첨단 파워트레인, 에너지 관리 시스템에 필수적인 존재가 되고 있습니다.
실리콘 MOSFET(표준 Si MOSFET) 부문은 2024년 4억 7,260만 달러의 매출을 기록했습니다. 비용 효율성, 확립된 공급망 및 높은 신뢰성으로 인해 이러한 IC에 대한 수요는 안정적입니다. 차량 탑재 충전기, 보조 전원 시스템, 자동차용 전자 기기 등 저·중 전압의 차량 용도으로 널리 이용되고 있습니다. 기존 설계와의 호환성과 안정된 성능으로 자동차 전기 시스템에서 계속해서 우선적으로 채용되는 옵션이 되고 있습니다.
미국 자동차용 게이트 드라이버 IC 시장은 2024년 3억 8,800만 달러 규모였고, 2034년까지 연평균 복합 성장률(CAGR) 4.6%로 확대될 것으로 전망됩니다. 시장 확대는 청정 에너지 기술을 촉진하는 강력한 연방 정책과 전기자동차(EV) 제조의 급속한 성장에 의해 견인되고 있습니다. 국내 자동차 제조업체는 혁신적인 EV 파워트레인 시스템에 많은 투자를 하고 있으며, 고전압 구동·충전 솔루션에 사용되는 SiC(탄화규소) 및 GaN(질화갈륨) 파워 모듈과 호환되는 고효율 게이트 드라이버 IC 수요 증가로 이어지고 있습니다.
세계 자동차용 게이트 드라이버 IC 시장에서 주요 기업으로는 NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Monolithic Power Systems (MPS), Power Integrations Inc., Broadcom Inc., Analog Devices, Inc., Texas Instruments Incorporated, STMicroelectronics N.V., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ON Semiconductor Corporation (onsemi), ROHM Semiconductor, Diodes Incorporated, MACOM Technology Solutions Inc., Microchip Technology Inc., Semtech Corporation, Vishay Intertechnology, Inc., Skyworks Solutions, Inc 등을 들 수 있습니다. 자동차용 게이트 드라이버 IC 시장의 주요 기업은 시장에서의 지위를 강화하기 위해 혁신, 제품 차별화, 기술 제휴에 주력하고 있습니다. 각 회사는 EV 시스템의 효율성, 전력 밀도, 열 관리를 향상시키기 위해 SiC 및 GaN 트랜지스터에 최적화된 IC 개발에 많은 투자를 하고 있습니다. 자동차 제조업체와 Tier 1 공급업체와의 전략적 제휴로 구동 시스템 및 충전 시스템에 고전압 IC를 신속하게 통합할 수 있습니다.
The Global Automotive Gate Driver ICs Market was valued at USD 1.4 Billion in 2024 and is estimated to grow at a CAGR of 5.2% to reach USD 2.3 Billion by 2034.

Rapid electrification across the automotive sector remains one of the main factors driving demand for gate driver ICs. As electric vehicles continue to dominate new production lines, the need for precise control of electric motors, battery systems, and inverters is growing. Gate driver ICs are fundamental components that manage power transistors, enhancing efficiency, heat resistance, and switching performance vital for optimizing electric vehicle range and reliability. The push for zero-emission transportation and global carbon-neutral goals has accelerated EV adoption, driving a significant 40% increase in demand for high-performance, high-voltage driver ICs. Automakers and component manufacturers are integrating advanced power electronics to improve range, reduce energy loss, and deliver faster charging systems that meet government sustainability mandates.
| Market Scope | |
|---|---|
| Start Year | 2024 |
| Forecast Year | 2025-2034 |
| Start Value | $1.4 Billion |
| Forecast Value | $2.3 Billion |
| CAGR | 5.2% |
The industry is undergoing a significant technological shift with the adoption of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) semiconductors, transforming how power electronics are designed for vehicles. These wide-bandgap materials provide superior energy efficiency, greater power density, and faster switching speeds than traditional silicon. As automotive manufacturers develop more compact and high-efficiency platforms, gate drivers specifically optimized for SiC and GaN devices are becoming essential for next-generation EV architectures.
In 2024, the isolated gate driver ICs segment generated USD 289.2 million, supported by the growing use of electric and hybrid vehicles that demand strong electrical isolation for safety and performance. These ICs enable reliable communication between power and control stages while managing high transient voltages, making them indispensable in traction inverters, advanced powertrains, and energy management systems.
The silicon MOSFET (Standard Si MOSFET) segment generated USD 472.6 million in 2024. Demand for these ICs remains steady due to their cost efficiency, established supply chain, and high reliability. They are extensively utilized in low- and mid-voltage vehicle applications such as onboard chargers, auxiliary power systems, and automotive electronics. Their compatibility with conventional designs and consistent performance continues to make them a preferred option in automotive electrical systems.
United States Automotive Gate Driver ICs Market is USD 388 million in 2024, growing at a CAGR of 4.6% through 2034. Market expansion is driven by strong federal policies promoting clean energy technologies and the rapid growth of EV manufacturing. Domestic automakers are heavily investing in innovative EV powertrain systems, generating increased demand for efficient gate driver ICs compatible with SiC and GaN power modules used in high-voltage traction and charging solutions.
Prominent companies operating in the Global Automotive Gate Driver ICs Market include NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Monolithic Power Systems (MPS), Power Integrations Inc., Broadcom Inc., Analog Devices, Inc., Texas Instruments Incorporated, STMicroelectronics N.V., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ON Semiconductor Corporation (onsemi), ROHM Semiconductor, Diodes Incorporated, MACOM Technology Solutions Inc., Microchip Technology Inc., Semtech Corporation, Vishay Intertechnology, Inc., and Skyworks Solutions, Inc. Leading players in the Automotive Gate Driver ICs Market are focusing on innovation, product differentiation, and technology partnerships to reinforce their market position. Companies are investing heavily in the development of ICs optimized for SiC and GaN transistors to enhance efficiency, power density, and thermal management in EV systems. Strategic collaborations with automakers and Tier-1 suppliers are enabling faster integration of high-voltage ICs in traction and charging systems.