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질화갈륨 디바이스 시장 예측(2025-2030년)

Gallium Nitride Device Market - Forecasts from 2025 to 2030

발행일: | 리서치사: Knowledge Sourcing Intelligence | 페이지 정보: 영문 148 Pages | 배송안내 : 1-2일 (영업일 기준)

    
    
    



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세계 질화갈륨 디바이스 시장 규모는 2025년 248억 500만 달러, 2030년에는 323억 4,200만 달러에 이르고, CAGR 5.45%로 성장할 전망입니다.

우수한 절연 파괴 강도, 고속 스위칭, 높은 열전도율 및 낮은 저항을 특징으로 하는 와이드 밴드갭 반도체인 질화갈륨(GaN) 디바이스는 파워 일렉트로닉스 분야에 혁명을 가져왔습니다. 실리콘 기판 상에 GaN층을 에피택셜 성장시킴으로써 제조업체는 기존 인프라를 활용하여 비용 절감을 실현하고 전용 설비 없이 대형 웨이퍼 생산을 가능하게 하고 있습니다. GaN은 전력 효율에 있어서 실리콘을 상회하여 고주파·고전압 용도에서의 채택을 촉진하고 있습니다. 세계의 GaN 디바이스 시장은 5G 확대, 소비자용 전자기기 수요, 신재생에너지 통합, 자동차 전동화, 고성능 컴퓨팅의 진보에 힘입어 견고한 성장이 전망되고 있습니다. 아시아태평양의 제조 우위와 실리콘 기반 GaN의 비용 절감은 시장 기세를 더욱 가속화하고 있습니다.

시장 동향

GaN의 범용성은 통신 네트워크의 강화에서 스마트 장치의 구동에 이르기까지 각 분야에서 컴팩트하고 효율적인 설계를 지원합니다. 신재생에너지 분야에서는 태양광·풍력 인버터의 최적화에 공헌하고, 자동차 분야에서는 EV의 전력 관리와 효율성을 향상시킵니다. 고성능 컴퓨팅은 GaN의 고속 프로세서의 혜택을 받으며 아시아태평양의 지역 제조가 수요를 끌어올리고 있습니다. 실리콘 기반 GaN의 혁신은 생산을 효율화하고 진입 장벽을 줄이고 접근성을 확대합니다.

성장의 견인역

소비자용 전자기기 및 통신 분야의 급성장

가처분 소득 증가에 견인되는 소비자용 전자기기 시장의 급성장은 고효율 충전기나 콤팩트 기기에의 GaN 채택을 촉진하고 있습니다. 통신 분야에서는 5G 전개에 의한 지수함수적 성장이 예상되어 고속·고전력 밀도의 부품이 요구되고 있습니다. GaN의 RF 증폭기와 기지국의 뛰어난 성능은 급증하는 데이터 트래픽과 네트워크 수요에 대응하여 이 전환을 지원하고 있습니다.

신재생에너지와 자동차 분야에서의 채택

GaN은 태양광·풍력 시스템의 전력 변환을 최적화하여 효율 향상과 손실 저감을 실현합니다. 자동차 분야에서는 EV용 선진적인 전력 관리를 가능하게 해, 항속 거리와 충전 속도를 향상시킵니다. 이러한 분야의 확대와 지구규모의 지속가능성 목표가 결합되어 에너지 절약 솔루션에서 GaN의 역할이 더욱 확대되고 있습니다.

시장 성장 억제요인

GaN 전용 프로세스의 초기 개발 비용의 높이와 희소 재료에 대한 공급망 의존성은 확장성의 제약 요인이 될 수 있습니다. 또한 기존의 실리콘 시스템과의 통합 과제도 특히 비용에 중점을 둔 용도에서 과제가 됩니다.

시장 부문 분석

최종 사용자별로는 고효율 RF·파워 디바이스 수요에 견인되어 소비자용 전자기기와 통신 분야가 주류입니다. 신재생에너지와 자동차분야는 급속히 성장하고 있으며, 인버터와 자동차 충전기용 GaN을 활용하고 있습니다. 방위 분야와 컴퓨팅을 포함한 기타 분야도 꾸준히 공헌하고 있습니다. 기술별로는 비용 우위로 인해 GaN-on-Si가 주도적인 입장에 있는 반면 GaN-on-SiC는 고전력 수요를 목표로 하고 있습니다. 지역별로는 중국과 일본의 제조 거점, 급증하는 스마트 디바이스의 보급, 재생에너지 프로젝트에 견인되어 아시아태평양이 최대의 점유율을 차지하고 있습니다.

경쟁 구도

인피니언, 로옴, 게릴라 RF 등 주요 기업들은 시장 점유율 획득을 위한 파트너십 구축, 웨이퍼 기술 혁신, 고출력 솔루션에 주력하고 있습니다. 전략면에서는 통신, 자동차, 재생에너지 분야에서 진화하는 수요에 대응하기 위해 비용 절감, 성능 향상, 업계 특화형 솔루션의 제공을 중시하고 있습니다.

지역별 분석

아시아태평양은 산업화, 저비용 제조, 소비자용 전자기기 수요 증가로 성장을 견인하고 있으며, 스마트폰 보급률은 세계적으로 60%를 넘고 있습니다. 대규모 태양광 발전 프로젝트와 같은 신재생에너지 시책이 이 지역의 추가 성장을 지원하고 있습니다. 북미와 유럽은 전기자동차(EV)와 5G 연구개발에 힘입어 이에 이어집니다. 한편 신흥 시장은 확대 기회를 제공합니다.

GaN 디바이스 시장은 5G, EV, 재생에너지를 원동력으로 급성장할 것으로 전망되며 아시아태평양이 주도합니다. 실리콘 기반 혁신으로 비용 절감이 진행되고 실리콘 대체품에 대한 경쟁력이 강화되고 있습니다. 최근의 웨이퍼 기술의 발전과 파트너십의 진전은 채택 가속을 나타내고 있으며, GaN은 효율적이고 고성능의 전자 기기의 요점이 될 것입니다.

이 보고서의 주요 이점 :

  • 통찰력 있는 분석 : 고객 부문, 정부 정책 및 사회경제 요인, 소비자 선호, 산업별 및 기타 부문 부문에 초점을 맞추어 주요 지역뿐만 아니라 신흥 지역도 다루는 상세한 시장 고려사항을 얻을 수 있습니다.
  • 경쟁 구도 : 세계 주요 기업이 채택한 전략적 전략을 이해하고 적절한 전략으로 시장 침투 가능성을 이해할 수 있습니다.
  • 시장 성장 촉진요인과 미래 동향 : 역동적인 요인과 매우 중요한 시장 동향, 그리고 그것이 향후 시장 전개를 어떻게 형성해 나갈지 탐구합니다.
  • 행동 가능한 제안 : 역동적인 환경에서 새로운 비즈니스 스트림과 수익을 발굴하기 위한 전략적 의사결정에 통찰력을 활용합니다.
  • 폭넓은 이용자에 대응 : 신흥기업, 연구기관, 컨설턴트, 중소기업, 대기업에 유익하고 비용 효율적입니다.

어떤 용도로 사용됩니까?

업계·시장 인사이트, 사업 기회 평가, 제품 수요 예측, 시장 진출 전략, 지리적 확대, 설비 투자 결정, 규제 프레임워크과 영향, 신제품 개발, 경쟁의 영향

분석 범위

  • 과거 데이터(2022-2024년)와 예측 데이터(2025-2030년)
  • 성장 기회, 과제, 공급망 전망, 규제 프레임워크, 고객 행동, 동향 분석
  • 경쟁 기업의 포지셔닝, 전략, 시장 점유율 분석
  • 수익 성장률과 예측 분석 : 부문별, 지역별(국가별)
  • 기업 프로파일 링(전략, 제품, 재무 정보, 주요 동향 등)

목차

제1장 주요 요약

제2장 시장 현황

  • 시장 개요
  • 시장의 정의
  • 분석 범위
  • 시장 구분

제3장 비즈니스 상황

  • 시장 성장 촉진요인
  • 시장 성장 억제요인
  • 시장 기회
  • Porter's Five Forces 분석
  • 업계의 밸류체인 분석
  • 정책 및 규정
  • 전략적 제안

제4장 기술 전망

제5장 세계의 질화갈륨 디바이스 시장 : 웨이퍼 사이즈별

  • 소개
  • 2인치
  • 4인치
  • 6인치

제6장 세계의 질화갈륨 디바이스 시장 : 전압별

  • 소개
  • 40볼트 이하
  • 40-100볼트
  • 100볼트 이상

제7장 세계의 질화갈륨 디바이스 시장 : 최종 사용자별

  • 소개
  • 가전제품
  • IT 및 통신
  • 자동차
  • 항공우주 및 방위
  • 의료
  • 기타

제8장 세계의 질화갈륨 디바이스 시장 : 지역별

  • 소개
  • 아메리카
    • 웨이퍼 사이즈별
    • 전압별
    • 최종 사용자별
    • 국가별
    • 미국
  • 유럽·중동 및 아프리카
    • 웨이퍼 사이즈별
    • 전압별
    • 최종 사용자별
    • 국가별
      • 독일
      • 프랑스
      • 네덜란드
      • 기타
  • 아시아태평양
    • 웨이퍼 사이즈별
    • 전압별
    • 최종 사용자별
    • 국가별
      • 중국
      • 일본
      • 한국
      • 대만
      • 기타

제9장 경쟁 환경과 분석

  • 주요 기업과 전략 분석
  • 시장 점유율 분석
  • 기업 합병·인수(M&A), 합의, 사업 협력
  • 경쟁 대시보드

제10장 기업 프로파일

  • Infineon Technologies AG
  • ROHM Semiconductor
  • Broadcom Inc.
  • Renesas Electronics Corporation
  • Qorvo, Inc.
  • Northrop Grumman
  • Texas Instruments Inc.
  • Sumitomo Electric Industries Ltd.
  • MACOM
  • Mitsubishi Electric Corporation

제11장 부록

  • 통화
  • 전제조건
  • 기준연도와 예측연도의 타임라인
  • 이해 관계자에게 있어서의 주요 이점
  • 분석 방법
  • 약어
SHW 25.11.27

The Global Gallium Nitride Device Market will climb from USD 24.805 billion in 2025 to USD 32.342 billion in 2030, registering a 5.45% compound annual growth rate (CAGR).

Gallium Nitride (GaN) devices, leveraging a wide bandgap semiconductor with superior breakdown strength, faster switching speeds, higher thermal conductivity, and low resistance, are revolutionizing power electronics. By epitaxially growing GaN layers on silicon substrates, manufacturers reduce costs through existing infrastructure, enabling larger wafer production without specialized facilities. GaN outperforms silicon in power efficiency, driving adoption in high-frequency, high-voltage applications. The global GaN device market is poised for robust growth, fueled by 5G expansion, consumer electronics demand, renewable energy integration, automotive electrification, and high-performance computing advancements. Asia-Pacific's manufacturing dominance and cost reductions in silicon-based GaN further accelerate market momentum.

Market Trends

GaN's versatility supports compact, efficient designs across sectors, from enhancing telecommunication networks to powering smart devices. Its role in renewable energy optimizes solar and wind inverters, while in automotive, it improves EV power management and efficiency. High-performance computing benefits from GaN's faster processors, and regional manufacturing in Asia-Pacific boosts demand. Innovations in silicon-based GaN streamline production, lowering barriers to entry and expanding accessibility.

Growth Drivers

Surge in Consumer Electronics and Telecommunications

The booming consumer electronics market, driven by rising disposable incomes, propels GaN adoption for efficient chargers and compact devices. Telecommunications sees exponential growth from 5G rollout, requiring high-speed, power-dense components. GaN's superior performance in RF amplifiers and base stations supports this transition, addressing surging data traffic and network demands.

Renewable Energy and Automotive Adoption

GaN optimizes power conversion in solar and wind systems, enhancing efficiency and reducing losses. In automotive, it enables advanced power management for EVs, improving range and charging speeds. These sectors' expansion, coupled with global sustainability goals, amplifies GaN's role in energy-efficient solutions.

Market Restraints

High initial development costs for GaN-specific processes and supply chain dependencies on rare materials may constrain scalability. Integration challenges with legacy silicon systems also pose hurdles, particularly in cost-sensitive applications.

Market Segment Analysis

By end-user, consumer electronics and telecommunications dominate, driven by demand for high-efficiency RF and power devices. Renewable energy and automotive segments grow rapidly, leveraging GaN for inverters and onboard chargers. Defense and others, including computing, contribute steadily. By technology, GaN-on-Si leads for cost advantages, while GaN-on-SiC targets high-power needs. Geographically, Asia-Pacific holds the largest share, propelled by manufacturing hubs in China and Japan, with surging smart device penetration and renewable projects.

Key Developments

In January 2025, Guerrilla RF Inc. launched GRF0020D and GRF0030D, GaN-on-SiC HEMT power amplifiers delivering up to 50W saturated power for wireless infrastructure, military, aerospace, and industrial heating markets. In December 2024, ROHM Semiconductor partnered with TSMC for GaN power device development and volume production targeting EV applications. In September 2024, Infineon Technologies developed 300 mm power GaN wafer technology, pioneering larger-scale production to substantially advance GaN-based power semiconductors.

Competitive Landscape

Leading players like Infineon, ROHM, and Guerrilla RF focus on partnerships, wafer innovations, and high-power solutions to capture market share. Strategies emphasize cost reduction, performance enhancement, and sector-specific tailoring to meet evolving demands in telecom, automotive, and renewables.

Regional Analysis

Asia-Pacific drives growth through industrialization, low-cost manufacturing, and rising consumer electronics demand, with smartphone penetration exceeding 60% globally. Renewable initiatives, like large-scale solar projects, further bolster the region. North America and Europe follow, supported by R&D in EVs and 5G, while emerging markets offer expansion opportunities.

The GaN device market is set for exponential growth, propelled by 5G, EVs, and renewables, with Asia-Pacific leading. Silicon-based innovations reduce costs, enhancing competitiveness against silicon alternatives. Recent advancements in wafer tech and partnerships signal accelerated adoption, positioning GaN as pivotal for efficient, high-performance electronics.

Key Benefits of this Report:

  • Insightful Analysis: Gain detailed market insights covering major as well as emerging geographical regions, focusing on customer segments, government policies and socio-economic factors, consumer preferences, industry verticals, and other sub-segments.
  • Competitive Landscape: Understand the strategic maneuvers employed by key players globally to understand possible market penetration with the correct strategy.
  • Market Drivers & Future Trends: Explore the dynamic factors and pivotal market trends and how they will shape future market developments.
  • Actionable Recommendations: Utilize the insights to exercise strategic decisions to uncover new business streams and revenues in a dynamic environment.
  • Caters to a Wide Audience: Beneficial and cost-effective for startups, research institutions, consultants, SMEs, and large enterprises.

What do businesses use our reports for?

Industry and Market Insights, Opportunity Assessment, Product Demand Forecasting, Market Entry Strategy, Geographical Expansion, Capital Investment Decisions, Regulatory Framework & Implications, New Product Development, Competitive Intelligence

Report Coverage:

  • Historical data from 2022 to 2024 & forecast data from 2025 to 2030
  • Growth Opportunities, Challenges, Supply Chain Outlook, Regulatory Framework, and Trend Analysis
  • Competitive Positioning, Strategies, and Market Share Analysis
  • Revenue Growth and Forecast Assessment of segments and regions including countries
  • Company Profiling (Strategies, Products, Financial Information, and Key Developments among others.

The Gallium Nitride Device Market is analyzed into the following segments:

By Wafer Size

  • 2 inch
  • 4 inch
  • 6 inch

By Voltage

  • Up to 40 Volts
  • 40 to 100 Volts
  • Greater than 100 Volts

By End-User

  • Consumer Electronics
  • IT & Telecommunication
  • Automotive
  • Aerospace & Defense
  • Healthcare
  • Others

By Geography

  • Americas
  • USA
  • Europe Middle East and Africa
  • Germany
  • France
  • Netherlands
  • Others
  • Asia Pacific
  • China
  • Japan
  • South Korea
  • Taiwan
  • Others

TABLE OF CONTENTS

1. EXECUTIVE SUMMARY

2. MARKET SNAPSHOT

  • 2.1. Market Overview
  • 2.2. Market Definition
  • 2.3. Scope of the Study
  • 2.4. Market Segmentation

3. BUSINESS LANDSCAPE

  • 3.1. Market Drivers
  • 3.2. Market Restraints
  • 3.3. Market Opportunities
  • 3.4. Porter's Five Forces Analysis
  • 3.5. Industry Value Chain Analysis
  • 3.6. Policies and Regulations
  • 3.7. Strategic Recommendations

4. TECHNOLOGICAL OUTLOOK

5. GLOBAL GALLIUM NITRIDE DEVICE MARKET BY WAFER SIZE

  • 5.1. Introduction
  • 5.2. 2 inch
  • 5.3. 4 inch
  • 5.4. 6 inch

6. GLOBAL GALLIUM NITRIDE DEVICE MARKET BY VOLTAGE

  • 6.1. Introduction
  • 6.2. Up to 40 Volts
  • 6.3. 40 to 100 Volts
  • 6.4. Greater than 100 Volts

7. GLOBAL GALLIUM NITRIDE DEVICE MARKET BY END-USER

  • 7.1. Introduction
  • 7.2. Consumer Electronics
  • 7.3. IT & Telecommunication
  • 7.4. Automotive
  • 7.5. Aerosapce & Defense
  • 7.6. Healthcare
  • 7.7. Others

8. GLOBAL GALLIUM NITRIDE DEVICE MARKET BY GEOGRAPHY

  • 8.1. Introduction
  • 8.2. Americas
    • 8.2.1. By Wafer Size
    • 8.2.2. By Voltage
    • 8.2.3. By End-User
    • 8.2.4. By Country
    • 8.2.5. USA
  • 8.3. Europe Middle East and Africa
    • 8.3.1. By Wafer Size
    • 8.3.2. By Voltage
    • 8.3.3. By End-User
    • 8.3.4. By Country
      • 8.3.4.1. Germany
      • 8.3.4.2. France
      • 8.3.4.3. Netherlands
      • 8.3.4.4. Others
  • 8.4. Asia Pacific
    • 8.4.1. By Wafer Size
    • 8.4.2. By Voltage
    • 8.4.3. By End-User
    • 8.4.4. By Country
      • 8.4.4.1. China
      • 8.4.4.2. Japan
      • 8.4.4.3. South Korea
      • 8.4.4.4. Taiwan
      • 8.4.4.5. Others

9. COMPETITIVE ENVIRONMENT AND ANALYSIS

  • 9.1. Major Players and Strategy Analysis
  • 9.2. Market Share Analysis
  • 9.3. Mergers, Acquisitions, Agreements, and Collaborations
  • 9.4. Competitive Dashboard

10. COMPANY PROFILES

  • 10.1. Infineon Technologies AG
  • 10.2. ROHM Semiconductor
  • 10.3. Broadcom Inc.
  • 10.4. Renesas Electronics Corporation
  • 10.5. Qorvo, Inc.
  • 10.6. Northrop Grumman
  • 10.7. Texas Instruments Inc.
  • 10.8. Sumitomo Electric Industries Ltd.
  • 10.9. MACOM
  • 10.10. Mitsubishi Electric Corporation

11. APPENDIX

  • 11.1. Currency
  • 11.2. Assumptions
  • 11.3. Base and Forecast Years Timeline
  • 11.4. Key benefits for the stakeholders
  • 11.5. Research Methodology
  • 11.6. Abbreviations
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