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세계의 고주파 질화갈륨(RF GaN) 시장 : 예측(2025-2030년)

Radio Frequency Gallium Nitride (RF Gan) Market - Forecasts from 2025 to 2030

발행일: | 리서치사: Knowledge Sourcing Intelligence | 페이지 정보: 영문 148 Pages | 배송안내 : 1-2일 (영업일 기준)

    
    
    



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고주파 질화갈륨(RF GaN) 시장은 2025년 18억 9,400만 달러에서 2030년까지 35억 3,600만 달러에 이르고, 13.29%의 연평균 복합 성장률(CAGR)로 확대될 것으로 예측됩니다.

고주파 질화갈륨(RF GaN) 시장은 질화갈륨 반도체와 고주파 용도의 통합이 특징이며, 이 조합은 우수한 전력 밀도 효율과 향상된 열전도율을 제공합니다. 질화갈륨의 재료 특성은 실리콘, 갈륨비소 등 기존 반도체 재료에 비해 뚜렷한 성능 우위를 제공하여 중요하고 고성능인 산업 분야에서의 채택을 촉진하고 있습니다. 수요를 주도하는 주요 부문으로는 통신, 항공우주 및 방위, 자동차 등이 있습니다. 제품 유형별로는 실리콘 상 질화갈륨(GaN-on-Si) 제품이 소비량이 가장 많은 카테고리를 차지하여 시장 발전에 크게 기여하고 있습니다. 네트워크 기술의 지속적인 발전과 위성 통신에서 RF GaN 기반 장치의 사용 확대는 예측 기간 동안 수요를 촉진할 것으로 예상되는 중요한 요인입니다.

주요 시장 성장 요인

RF GaN 시장의 주요 촉진요인은 항공우주 및 군사 분야의 첨단 통신 및 감지 시스템에 대한 수요가 증가하고 있다는 점입니다. 국방 분야에서는 RF GaN 기술이 차세대 레이더 제조에 활용되고 있습니다. 이 시스템은 GaN-on-SiC 기술 기반의 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로(MMIC)와 통합 위상 배열 모듈 및 전자 주사식 위상배열를 채택하여 출력과 신뢰성을 향상시켰습니다. 동시에 항공우주 분야에서는 우주 통신을 강화하기 위해 RF GaN을 채택하여 위성에서 데이터 전송의 품질과 무결성을 향상시키고 있습니다. 위성 플랫폼에 RF GaN 기반 증폭기를 도입한 것은 견고한 통신 링크를 보장하는 데 있어 이 기술이 중요한 역할을 한다는 것을 입증합니다. 계획 중인 레이더 위성 및 지구관측 위성을 포함한 향후 위성 프로그램에서는 설계 단계부터 RF GaN 증폭기 및 모듈을 내장하는 것을 상정하고 있습니다. 이러한 분야에서 고성능, 고효율의 레이더 및 통신 시스템에 대한 지속적인 수요가 RF GaN 솔루션에 대한 수요를 지속적으로 견인하고 있습니다.

세계 통신 인프라의 구축과 진화는 두 번째 주요 성장 요인입니다. 5G 기술의 발전과 6G 네트워크 인프라에 대한 초기 단계의 조사는 RF GaN 기술에 크게 의존하고 있습니다. 5G 기지국 및 기타 네트워크 장비에 RF GaN 기반 부품을 구현하는 것은 원하는 연결 품질, 데이터 속도 및 네트워크 신뢰성을 달성하는 데 매우 중요합니다. 전 세계적으로 소비자 및 산업용 5G 네트워크의 도입이 가속화됨에 따라 기반 RF GaN 부품에 대한 수요는 직접적이고 비례적으로 증가하고 있습니다. 이러한 급속한 보급은 동시에 미래의 6G 인프라를 위한 연구개발을 촉진하고 있습니다. 주요 업계 기업 간의 공동 이니셔티브는 고주파수 대역에서 작동할 수 있는 질화갈륨 반도체를 통합한 무선 장치 제조에 초점을 맞추었습니다. 따라서 셀룰러 표준의 지속적인 진화는 RF GaN 제품의 소비를 주도하는 두드러지고 지속적인 요인이 되고 있습니다.

시장의 과제

성능상의 장점에도 불구하고 RF GaN 부품의 고비용은 시장에 심각한 도전이 되고 있습니다. RF GaN 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼 및 원자재는 기존의 실리콘 기반 RF 솔루션용 소재에 비해 구하기 어렵고 제조 공정이 복잡합니다. 이러한 희소성과 제조의 복잡성은 생산 비용의 상승으로 이어져 결국 소비자에게 전가됩니다. 실리콘 기반 부품은 여전히 저렴한 대체품이지만, RF GaN 시장은 아직 상용화 초기 단계에 있습니다. 추가 연구, 기술 성숙, 규모의 경제로 인해 생산 효율이 향상되고 RF GaN 제품의 비용이 점차 감소하여 이러한 제약이 완화될 것으로 예측됩니다.

지역 시장 전망

북미는 세계 RF GaN 시장에서 큰 비중을 차지하고 있으며, 앞으로도 그 영향력을 유지할 것으로 예측됩니다. 이러한 우위는 이 지역의 국방, 항공우주, 통신 산업의 지속적인 기술 발전에 기인합니다. 주요 상업용 위성 통신 기업의 존재는 위성 별자리 및 네트워크에 사용되는 RF GaN 부품에 대한 큰 수요를 주도하고 있습니다. 이들 기업의 신규 위성 개발 및 발사가 지속적으로 이루어짐에 따라 안정적인 수요가 예상됩니다. 또한, 미군과 국방부는 산업계와 적극적으로 협력하여 특수 군용 RF GaN 기술의 발전을 위해 많은 자금을 투자하고 있습니다. 웨이퍼 생산을 위한 실리콘 상부 질화갈륨 기술 향상을 목표로 하는 프로젝트는 국내 기술 발전에 대한 깊은 노력을 담고 있습니다. 대규모 위성 네트워크 프로젝트와 국방 부문의 전용 R&D 자금이 결합되어 북미 RF GaN 시장의 성장을 크게 촉진할 것으로 예측됩니다.

본 보고서의 주요 장점:

  • 통찰력 있는 분석 : 주요 지역 및 신흥 지역을 포괄하는 상세한 시장 인사이트를 제공하며, 고객 부문, 정부 정책 및 사회경제적 요인, 소비자 선호도, 산업 분야, 기타 하위 부문에 초점을 맞추었습니다.
  • 경쟁 구도 : 주요 기업들의 세계 전략 움직임을 이해하고, 적절한 전략을 통한 시장 진입 가능성을 파악합니다.
  • 시장 성장 촉진요인 및 미래 동향 : 시장을 형성하는 역동적인 요인과 주요 트렌드, 그리고 이들이 향후 시장 발전에 미치는 영향을 살펴봅니다.
  • 실천적 제안: 이러한 지식을 활용하여 전략적 의사결정을 내리고, 역동적인 환경에서 새로운 비즈니스 스트림과 수익원을 창출할 수 있도록 지원합니다.
  • 스타트업, 연구기관, 컨설턴트, 중소기업, 대기업 등 다양한 독자층에게 유익하고 비용 대비 효과가 높은 내용입니다.

본 보고서의 기업 활용 사례

산업 및 시장 분석, 기회 평가, 제품 수요 예측, 시장 진출 전략, 지역 확장, 자본 투자 결정, 규제 프레임워크 및 영향, 신제품 개발, 경쟁사 정보

목차

제1장 주요 요약

제2장 시장 개요

  • 시장 개요
  • 시장의 정의
  • 조사 범위

제2장 시장 세분화

제3장 비즈니스 상황

  • 시장 성장 촉진요인
  • 시장 성장 억제요인
  • 시장 기회
  • Porter의 Five Forces 분석
  • 업계 밸류체인 분석
  • 정책과 규제
  • 전략적 제안

제4장 기술 전망

제5장 고주파 질화갈륨(RF GAN) 시장 : 유형별

  • 서론
  • GaN-on-SiC
  • GaN-on-GaN
  • GaN-on-Diamond
  • GaN-on-Si

제6장 고주파 질화갈륨(RF GAN) 시장 : 최종사용자별

  • 서론
  • 항공우주
  • 통신
  • 자동차 산업
  • 군 및 방위 분야

제7장 고주파 질화갈륨(RF GAN) 시장 : 지역별

  • 서론
  • 북미
    • 미국
    • 캐나다
    • 멕시코
  • 남미
    • 브라질
    • 아르헨티나
    • 기타
  • 유럽
    • 독일
    • 프랑스
    • 영국
    • 스페인
    • 기타
  • 중동 및 아프리카
    • 사우디아라비아
    • 아랍에미리트(UAE)
    • 기타
  • 아시아태평양
    • 중국
    • 인도
    • 일본
    • 한국
    • 인도네시아
    • 태국
    • 기타

제8장 경쟁 환경과 분석

  • 주요 기업과 전략 분석
  • 시장 점유율 분석
  • 합병, 인수, 합의 및 합작투자(JV)
  • 경쟁 대시보드

제9장 기업 개요

  • Aethercomm Inc
  • Analog Devices Inc
  • Wolfspeed Inc
  • Integra Technologies inc
  • MACOM Technology Solutions Holdings Inc
  • Microsemi Corporation
  • NXP Semiconductors NV
  • Qorvo Inc
  • Sumitomo Electric Device Innovations Inc
  • Mercury Systems Inc

제10장 부록

  • 통화
  • 전제조건
  • 기준연도 및 예측연도 타임라인
  • 이해관계자에게 있어서의 주요 이점
  • 조사 방법
  • 약어
LSH 25.12.26

Radio Frequency Gallium Nitride (RF GaN) Market is projected to expand at a 13.29% CAGR, attaining USD 3.536 billion by 2030 from USD 1.894 billion in 2025.

The Radio Frequency Gallium Nitride (RF GaN) market is characterized by the integration of the gallium nitride semiconductor with radio frequency applications, a combination that delivers superior power density efficiency and enhanced thermal conductivity. The material properties of gallium nitride provide a distinct performance advantage over conventional semiconductor materials like silicon or gallium arsenide, encouraging its adoption across critical, high-performance industries. Key sectors driving demand include telecommunications, aerospace and defense, and automotive. Among product types, gallium nitride on silicon (GaN-on-Si) products represent a highly consumed category, contributing significantly to market development. The ongoing evolution of network technology and the expanding use of RF GaN-based devices in satellite communication are pivotal factors expected to fuel demand throughout the forecast period.

Primary Market Growth Drivers

A principal driver for the RF GaN market is the stringent demand for advanced communication and sensing systems within the aerospace and military sectors. In defense applications, RF GaN technology is being leveraged to produce next-generation radars. These systems utilize phased array modules and electronically scanned arrays that are integrated with Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) based on GaN-on-SiC technology, offering improved power and reliability. Concurrently, the aerospace sector is adopting RF GaN to strengthen space communications, enhancing the quality and integrity of data transmission from satellites. The deployment of RF GaN-based amplifiers in satellite platforms underscores its critical role in ensuring robust communication links. Future satellite programs, including planned radar and Earth observation satellites, are being designed to incorporate RF GaN amplifiers and modules from their inception. This sustained need for high-performance, efficient radars and communication systems in these sectors continues to drive the demand for RF GaN solutions.

The global rollout and evolution of telecommunications infrastructure represent a second major growth vector. The advancement of 5G technology and nascent research into 6G network infrastructure are heavily reliant on RF GaN technology. The implementation of RF GaN-based components in 5G base stations and other network hardware is crucial for achieving the desired connection quality, data speed, and network reliability. As consumer and industrial adoption of 5G networks accelerates globally, the demand for the underlying RF GaN components experiences a direct and proportional increase. This rapid adoption is simultaneously catalyzing research and development efforts aimed at future 6G infrastructures. Collaborative initiatives between major industry players are focused on manufacturing wireless devices that integrate gallium nitride semiconductors capable of operating at high radio frequencies. The continuous evolution of cellular standards is therefore a prominent and sustained driver for the consumption of RF GaN products.

Market Challenges

Despite its performance benefits, the market faces a significant challenge in the high cost associated with RF GaN components. The wafers and raw materials used in the production of RF GaN semiconductors are less common and more complex to manufacture than those used for traditional silicon-based RF solutions. This scarcity and manufacturing complexity result in elevated production costs, which are ultimately passed on to the consumer. While silicon-based components remain a cheaper alternative, the RF GaN market is still in a relatively early stage of commercialization. Further research, technological maturation, and economies of scale are anticipated to lead to greater production efficiencies, which should gradually lower the cost of RF GaN products and alleviate this restraint.

Geographical Market Outlook

North America holds a significant share of the global RF GaN market and is expected to maintain its influential position. This prominence is attributable to continuous technological evolution in the region's defense, aerospace, and telecommunications industries. The presence of major commercial satellite communication companies drives substantial demand for RF GaN components used in satellite constellations and networks. The ongoing development and launch of new satellites by these firms are expected to generate consistent demand. Furthermore, the U.S. military and defense sector is actively collaborating with industry and allocating significant funding to advance RF GaN technology for specialized military applications. Projects aimed at improving gallium nitride on silicon technology for wafer production exemplify the deep commitment to domestic technological advancement. The confluence of expansive satellite network projects and dedicated R&D funding in the defense sector is expected to significantly propel the growth of the North American RF GaN market.

Key Benefits of this Report:

  • Insightful Analysis: Gain detailed market insights covering major as well as emerging geographical regions, focusing on customer segments, government policies and socio-economic factors, consumer preferences, industry verticals, and other sub-segments.
  • Competitive Landscape: Understand the strategic maneuvers employed by key players globally to understand possible market penetration with the correct strategy.
  • Market Drivers & Future Trends: Explore the dynamic factors and pivotal market trends and how they will shape future market developments.
  • Actionable Recommendations: Utilize the insights to exercise strategic decisions to uncover new business streams and revenues in a dynamic environment.
  • Caters to a Wide Audience: Beneficial and cost-effective for startups, research institutions, consultants, SMEs, and large enterprises.

What do businesses use our reports for?

Industry and Market Insights, Opportunity Assessment, Product Demand Forecasting, Market Entry Strategy, Geographical Expansion, Capital Investment Decisions, Regulatory Framework & Implications, New Product Development, Competitive Intelligence

Report Coverage:

  • Historical data from 2022 to 2024 & forecast data from 2025 to 2030
  • Growth Opportunities, Challenges, Supply Chain Outlook, Regulatory Framework, and Trend Analysis
  • Competitive Positioning, Strategies, and Market Share Analysis
  • Revenue Growth and Forecast Assessment of segments and regions including countries
  • Company Profiling (Strategies, Products, Financial Information, and Key Developments among others.

Radio Frequency Gallium Nitride (RF GaN) Market Segmentaton:

  • RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY TYPE
  • GaN-on-SiC
  • GaN-on-GaN
  • GaN-on-Diamond
  • GaN-on-Si
  • RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY END-USER
  • Aerospace
  • Communications
  • Automotives
  • Military and Defense
  • RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY GEOGRAPHY
  • North America
  • USA
  • Canada
  • Mexico
  • South America
  • Brazil
  • Argentina
  • Others
  • Europe
  • Germany
  • France
  • United Kingdom
  • Spain
  • Others
  • Middle East and Africa
  • Saudi Arabia
  • UAE
  • Others
  • Asia Pacific
  • China
  • India
  • Japan
  • South Korea
  • Indonesia
  • Thailand
  • Others

TABLE OF CONTENTS

1. EXECUTIVE SUMMARY

2. MARKET SNAPSHOT

  • 2.1. Market Overview
  • 2.2. Market Definition
  • 2.3. Scope of the Study

2.4. Market Segmentation

3. BUSINESS LANDSCAPE

  • 3.1. Market Drivers
  • 3.2. Market Restraints
  • 3.3. Market Opportunities
  • 3.4. Porter's Five Forces Analysis
  • 3.5. Industry Value Chain Analysis
  • 3.6. Policies and Regulations
  • 3.7. Strategic Recommendations

4. TECHNOLOGICAL OUTLOOK

5. RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY TYPE

  • 5.1. Introduction
  • 5.2. GaN-on-SiC
  • 5.3. GaN-on-GaN
  • 5.4. GaN-on-Diamond
  • 5.5. GaN-on-Si

6. RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY END-USER

  • 6.1. Introduction
  • 6.2. Aerospace
  • 6.3. Communications
  • 6.4. Automotives
  • 6.5. Military and Defense

7. RADIO-FREQUENCY GALLIUM NITRIDE (RF GAN) MARKET BY GEOGRAPHY

  • 7.1. Introduction
  • 7.2. North America
    • 7.2.1. USA
    • 7.2.2. Canada
    • 7.2.3. Mexico
  • 7.3. South America
    • 7.3.1. Brazil
    • 7.3.2. Argentina
    • 7.3.3. Others
  • 7.4. Europe
    • 7.4.1. Germany
    • 7.4.2. France
    • 7.4.3. United Kingdom
    • 7.4.4. Spain
    • 7.4.5. Others
  • 7.5. Middle East and Africa
    • 7.5.1. Saudi Arabia
    • 7.5.2. UAE
    • 7.5.3. Others
  • 7.6. Asia Pacific
    • 7.6.1. China
    • 7.6.2. India
    • 7.6.3. Japan
    • 7.6.4. South Korea
    • 7.6.5. Indonesia
    • 7.6.6. Thailand
    • 7.6.7. Others

8. COMPETITIVE ENVIRONMENT AND ANALYSIS

  • 8.1. Major Players and Strategy Analysis
  • 8.2. Market Share Analysis
  • 8.3. Mergers, Acquisitions, Agreements, and Collaborations
  • 8.4. Competitive Dashboard

9. COMPANY PROFILES

  • 9.1. Aethercomm Inc
  • 9.2. Analog Devices Inc
  • 9.3. Wolfspeed Inc
  • 9.4. Integra Technologies inc
  • 9.5. MACOM Technology Solutions Holdings Inc
  • 9.6. Microsemi Corporation
  • 9.7. NXP Semiconductors NV
  • 9.8. Qorvo Inc
  • 9.9. Sumitomo Electric Device Innovations Inc
  • 9.10. Mercury Systems Inc

10. APPENDIX

  • 10.1. Currency
  • 10.2. Assumptions
  • 10.3. Base and Forecast Years Timeline
  • 10.4. Key Benefits for the Stakeholders
  • 10.5. Research Methodology
  • 10.6. Abbreviations
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