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파워앰프 : 시장 점유율 분석, 업계 동향 및 통계, 성장 예측(2026-2031년)

Power Amplifier - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)

발행일: | 리서치사: 구분자 Mordor Intelligence | 페이지 정보: 영문 | 배송안내 : 2-3일 (영업일 기준)

    
    
    




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Mordor Intelligence에 의하면, 파워앰프 시장 규모는 2025년에 282억 달러, 2026년 301억 5,000만 달러에서 2031년까지 421억 3,000만 달러에 이를 것으로 예측되며, 예측 기간(2026-2031년) CAGR은 6.91%를 기록할 전망입니다.

Power Amplifier-市場-IMG1

본 보고서는 기술별(실리콘, 갈륨 비소, 기타), 제품별(오디오용 파워 앰프 및 RF·마이크로파 파워 앰프), 주파수 대역별(1GHz 미만, 1-6GHz, 기타), 등급별(클래스 A, 클래스 B, 클래스 AB, 기타), 산업별(가전, 산업용, 기타), 지역별(북미, 남미, 유럽, 아시아태평양, 중동 및 아프리카)로 분류되어 있습니다.

전 세계 파워 앰프 시장 동향 및 인사이트

5G 매시브 MIMO에서의 GaN PA 통합

1.35GHz-7.6GHz에서 작동하는 일반적인 매크로셀 무선 장치는 2024년 실제 운영 환경에서 최대 38%의 드레인 효율을 기록하여 통신 사업자의 운영 비용을 절감했습니다. GaN 다이의 소형화로 인해 안테나 패널의 고밀도화와 방열 레이아웃의 단순화가 가능해졌으며, 도시 지역의 네트워크 고밀도화 프로젝트를 위해 64-T/64-R 어레이가 대량으로 출하되기 시작했습니다. 일본과 한국의 지역 통신 사업자들은 이러한 효율 향상을 활용하여 탄소 배출 감축 로드맵 달성을 도모하고, 2025년 입찰 주기를 통해 GaN 프런트엔드 모듈 조달을 강화했습니다. 와트당 비용이 지속적으로 하락함에 따라, 파워 앰프 시장에서 GaN의 보급률은 2028년까지 매크로셀 부문에서 GaAs와 어깨를 나란히 하는 수준에 도달할 것으로 전망됩니다.

Wi-Fi 6·7 라우터의 교체

가정용 및 기업용 액세스 포인트 벤더들은 2024년에 2세대 Wi-Fi 6 및 초기 단계의 Wi-Fi 7 출시를 가속화함에 따라, 5GHz 및 6GHz 대역에 걸쳐 멀티링크 작동을 유지할 수 있는 중출력 선형 PA가 필요하게 되었습니다. AsiaRF의 AP7988-002 플랫폼과 같은 솔루션에는 처리량을 19Gbps까지 확대하는 고출력 프런트엔드 모듈이 통합되어, 그 결과 RF 프런트엔드의 단가(ASP)가 상승했습니다. 2025년 1분기, HPE Aruba Networking은 총 용량을 30% 향상시킨 트라이밴드 Wi-Fi 7 액세스 포인트를 출시하여, EVM 및 인접 채널 누설 사양이 더욱 엄격해진 프리미엄 실리콘에 대한 수요를 높였습니다. 이러한 리프레시 주기로 인해 파워 앰프 시장은 적어도 2027년까지 견조한 출하 추세를 유지할 것으로 전망됩니다.

GaAs 웨이퍼 공급 제약으로 BOM 비용 상승

2024년 하반기, 수출 규제 조치로 인해 중국 제련소의 생산량이 억제된 결과, 갈륨 공급이 부족해지면서 GaAs 에피택셜 웨이퍼 가격은 최대 18% 상승했습니다. 그 결과, 다층 RF 프런트엔드 모듈에서는 부품 원가(BOM)가 증가하여 휴대폰 OEM의 이익률에 압박을 가하는 한편, GaN-on-silicon 공정으로의 전환을 가속화하는 요인이 되었습니다. Finwave Semiconductor는 GaAs의 비용 변동을 상쇄하기 위해 GlobalFoundries와 파운드리 계약을 체결하고, 6GHz 미만의 휴대폰용 강화 모드 GaN-on-Si의 상용화를 추진하고 있습니다. 장기적인 조달처 다각화는 인플레이션 리스크를 완화하지만, 단기적인 조달난으로 인해 파워 앰프 시장의 연평균 성장률(CAGR)은 1% 가까이 하락했습니다.

부문 분석

GaAs 소자는 1-6GHz 대역의 휴대전화용 시장에서 확고한 입지를 다진 것을 배경으로 2025년에도 매출 점유율 40.62%를 유지했으나, 매크로셀의 전개와 Ku 대역 게이트웨이의 보급에 따라 GaN의 출하량은 급증했습니다. 2031년까지 GaN의 연평균 성장률(CAGR)은 16.92%로 예측되며, 이에 따라 예측 기간이 끝날 무렵에는 무선 액세스 인프라용 파워 앰프 시장 규모에서 GaN의 점유율이 거의 절반에 달할 것으로 전망됩니다. Qorvo는 3.5GHz 도하티 단을 GaN-on-SiC로 전환한 결과, 동일한 출력 전력에서 접합 온도가 15℃ 낮아졌음을 입증하여 통신 사업자의 총 소유 비용(TCO) 절감을 뒷받침했습니다.

실리콘-게르마늄은 위상 배열 빔 포밍 코어에서 여전히 필수적인 존재인 반면, 벌크 CMOS는 저전력 Bluetooth 및 Wi-Fi IoT 노드에서 여전히 중요한 역할을 수행하고 있습니다. IMEC의 GaN MISHEMT 바이어스 안정성에 관한 연구를 통해, 기존에 30GHz 이상에서 드레인 효율을 제한하던 게이트 지연의 장벽이 해소되어, 휴대폰 밀리파 모듈에 GaN이 보급될 수 있는 길이 열렸습니다. 새롭게 등장한 GaN-on-diamond 기판은 더 큰 열적 여유를 제공할 것으로 기대되며, 이는 향후 6G 및 X-밴드 레이더에의 통합을 실현하는 중요한 요소가 될 것입니다.

RF 및 마이크로파 부문은 5G 매크로 기지국, 스몰 셀, 위성 통신 지상국에 힘입어 2025년 매출의 56.85%를 차지했습니다. Filtronic은 정격 80W의 Ku-밴드 GaN MMIC를 출하하여, 기존 GaAs 제품군보다 PAE에서 40% 더 뛰어난 성능을 발휘함으로써 더욱 컴팩트한 어레이 개구부 구현을 가능하게 했습니다. 오디오용 파워 앰프는 비중은 작지만 급성장하고 있는 부문입니다. 스마트 스피커와 멀티 드라이버가 탑재된 자동차 엔터테인먼트 시스템의 보급이 출하 대수를 끌어올렸으며, GaN FET의 채택으로 고출력 클래스 D 기판에서 실리콘 MOSFET의 충실도를 제한하던 데드타임 제약이 해소되었습니다.

플라즈마 및 가열용 산업·과학용 RF 발생기도 SiC 및 GaN 트랜지스터 수요를 끌어올렸습니다. Texas Instruments는 산업용 레이저 및 MRI용 자석의 파워 스테이지에 대응하기 위해 광대역 LDMOS 프리드라이버 제품 라인업을 확충함으로써, RF 제품 카테고리가 파워 앰프 시장의 수익 주축으로서의 역할을 강화했습니다.

지역별 분석

2025년, 아시아태평양은 전 세계 매출의 48.12%를 차지했습니다. 이는 해당 지역의 저대역 GaAs 다이의 절반 이상을 소비한 중국의 휴대전화 조립 거점에 힘입은 결과입니다. 한국의 팹은 수직 통합을 활용하여 5G RF 프런트엔드 생산을 확대한 반면, 일본의 소재 공급업체들은 GaN 기판공급 부족을 완화하기 위해 SiC 웨이퍼 생산량을 확대했습니다. 인도에서는 스마트폰 EMS 제조업체를 대상으로 한 생산 연계형 인센티브로 인해 내수 수요가 확대되었으며, RF 테스트 및 패키징 기업 중심으로 아직 발전 단계에 있지만 활기찬 클러스터가 형성되었습니다. 단기적으로는 아시아 각국이 자국산 화합물 반도체 공급망을 중시하는 정책을 추진하고 있어, 파워 앰프 시장에서 이 지역의 지배력이 강화될 전망입니다.

북미는 매출액 기준 2위를 차지했습니다. Qorvo, Broadcom, Wolfspeed와 같은 주요 기업들은 GaN의 전력 밀도 및 열 패키징에 관한 특허 포트폴리오를 활용하여 방위 부문 및 5G O-RAN의 신규 수주를 확보했습니다. 미국 국방부의 레이더 현대화 프로그램에서는 X-밴드 GaN 타일이 채택되어, 디바이스의 평균 판매 가격(ASP)은 상용 등급을 크게 상회하는 수준이 되었습니다. 통신 사업자는 여전히 주요 구매자이며, 인구 밀집 도시권에서 중대역 캐리어를 64T/64R 어레이로 업그레이드하고 있습니다.

유럽 시장 점유율은 독일과 프랑스가 중심을 이루고 있으며, 양국의 자동차 및 항공우주 제조업체들은 차량용 오디오, ADAS, 다중 대역 위성 통신용으로 고선형성 PA를 채택했습니다. EU의 에코디자인 관련 대기 전력 규제로 인해 클래스 D로의 급속한 전환이 촉진되었으며, 이로 인해 기존 재고와 신규 제조 사양 간에 일시적인 불일치가 발생했습니다. 영국의 팹은 아시아 경쟁사들에 대한 경쟁력을 유지하기 위해 민관 컨소시엄을 통해 GaN-on-diamond 에피택시 기술을 모색했습니다.

중동 및 아프리카는 규모는 작지만, Ka 대역 텔레포트 확대와 국가 주도의 LEO(저지구 궤도) 통신 프로그램의 뒷받침을 받아 연평균 성장률(CAGR) 11.18%로 가장 빠른 성장세를 보였습니다. 사우디아라비아와 나이지리아의 국영 통신 사업자들은 40W Ku-대역 SSPA를 통합한 게이트웨이에 대한 설비 투자를 배정하여, 파워 앰프 시장의 잠재적 대상 범위를 확대했습니다. 남미는 브라질의 5G 미드밴드 주파수 경매와 정부 주도의 지방 광대역 구축을 견인력으로 삼아 완만한 도입 확대가 나타났습니다.

기타 혜택

  • 엑셀 형식 시장 예측(ME) 시트
  • 3개월간의 애널리스트 지원

자주 묻는 질문

  • 파워 앰프 시장 규모는 어떻게 예측되나요?
  • 5G 매시브 MIMO에서 GaN PA의 통합은 어떤 효과를 가져왔나요?
  • Wi-Fi 6·7 라우터의 교체가 파워 앰프 시장에 미치는 영향은 무엇인가요?
  • GaAs 웨이퍼 공급 제약이 파워 앰프 시장에 미치는 영향은 무엇인가요?
  • 2025년 아시아태평양 지역의 파워 앰프 시장 점유율은 어떻게 되나요?
  • 주요 기업들은 어떤 전략을 통해 파워 앰프 시장에서 경쟁력을 유지하고 있나요?

목차

제1장 서론

제2장 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 시장 구도

제5장 시장 규모와 성장 예측

제6장 경쟁 구도

제7장 시장 기회와 향후 전망

LSH 26.08.26

According to Mordor Intelligence, the power amplifier market size was valued at USD 28.20 billion in 2025 and estimated to grow from USD 30.15 billion in 2026 to reach USD 42.13 billion by 2031, at a CAGR of 6.91% during the forecast period (2026-2031).

Power Amplifier - Market - IMG1

This report is Segmented by Technology (Silicon, Gallium Arsenide, and More), by Product (Audio Power Amplifiers and RF/Microwave Power Amplifiers), by Frequency Band (<1 GHz, 1 - 6 GHz, and More), by Class (Class A, Class B, Class AB, and More), by Industry Vertical (Consumer Electronics, Industrial, and More), and by Geography (North America, South America, Europe, Asia-Pacific, and Middle East and Africa).

Global Power Amplifier Market Trends and Insights

GaN PAs in 5G Massive-MIMO

Typical macro-cell radio units operating from 1.35 GHz to 7.6 GHz reported up to 38% drain efficiency in field deployments during 2024, cutting operating expenditure for carriers. The smaller footprint of GaN die enabled denser antenna panels and simplified thermal layouts, allowing 64-T/64-R arrays to ship in volume for urban densification projects. Regional operators in Japan and South Korea capitalized on the efficiency gains to comply with carbon-reduction roadmaps, reinforcing procurement of GaN front-end modules across 2025 bid cycles. As costs per watt continue to fall, GaN penetration in the power amplifier market should approach parity with GaAs in macro-cells before 2028.

Wi-Fi 6/7 Router Refresh

Home and enterprise access-point vendors accelerated second-generation Wi-Fi 6 and early Wi-Fi 7 launches in 2024, requiring mid-power linear PAs capable of sustaining multi-link operation across 5 GHz and 6 GHz. Solutions such as AsiaRF's AP7988-002 platform integrated a high-power front-end module that extended throughput to 19 Gbps, thereby lifting unit ASPs for RF front ends. In Q1 2025, HPE Aruba Networking released tri-band Wi-Fi 7 access points that improved aggregate capacity by 30%, intensifying demand for premium silicon with tighter EVM and adjacent-channel leakage specifications. This refresh cycle is set to keep the power amplifier market on a robust shipment trajectory through at least 2027.

GaAs Wafer Supply Constraints Elevating BOM Costs

Gallium availability tightened in late 2024 after export-control measures constrained Chinese refinery output, inflating GaAs epi-wafer pricing by up to 18%. Multilayer RF front-end modules, therefore, faced higher bill-of-materials outlays, pressuring handset OEM margins and encouraging an accelerated pivot toward GaN-on-silicon processes. Finwave Semiconductor signed a foundry pact with GlobalFoundries to commercialize enhancement-mode GaN-on-Si for sub-6 GHz phones, aiming to neutralize GaAs cost volatility. While long-term diversification will damp inflationary risk, short-run sourcing difficulties are trimming the headline CAGR of the power amplifier market by nearly one percentage point.

Other drivers and restraints analyzed in the detailed report include:

  1. EV Infotainment and ADAS Adoption of Class-D Audio PAs
  2. LEO Satellite Constellations Driving Ku/Ka-band SSPAs
  3. EU Eco-Design Idle-Power Caps on Audio PAs

For complete list of drivers and restraints, kindly check the Table Of Contents.

Segment Analysis

GaAs devices retained a 40.62% revenue position in 2025 on the strength of entrenched 1-6 GHz handset sockets, yet GaN shipments surged on macro-cell roll-outs and Ku-band gateways. GaN's 16.92% CAGR through 2031 is projected to lift its portion of the power amplifier market size for radio-access infrastructure to almost half by the end of the forecast window. Qorvo documented a 15 °C reduction in junction temperature at identical output power after migrating a 3.5 GHz Doherty stage to GaN-on-SiC, validating cost-of-ownership savings for operators.

Silicon-germanium remained integral to phased-array beamforming cores, whereas bulk CMOS stayed relevant in low-power Bluetooth and Wi-Fi IoT nodes. Research at IMEC on GaN MISHEMT bias stability removed gate-lag barriers that previously capped drain efficiency above 30 GHz, clearing a pathway for GaN proliferation in handset mmWave modules. Emerging GaN-on-diamond substrates promise further thermal headroom, a key enabler for subsequent 6G and X-band radar design-ins.

RF and microwave categories generated 56.85% of 2025 revenue, anchored by 5G macros, small cells, and satcom earth stations. Filtronic shipped Ku-band GaN MMICs rated at 80 W that outperformed preceding GaAs line-ups by 40% PAE, unlocking more compact array apertures. Audio power amplifiers contributed a smaller but fast-growing slice: proliferation of smart-speakers and multi-driver in-vehicle entertainment lifted shipments, and GaN FETs removed dead-time limitations that constrained silicon MOSFET fidelity in high-power class-D boards.

Industrial and scientific RF generators for plasma and heating also elevated SiC and GaN transistor demand. Texas Instruments expanded its wideband LDMOS pre-driver catalog to service industrial laser and MRI magnet power stages, reinforcing the RF product category's role as the revenue mainstay of the power amplifier market.

Complete Report Scope:

  • By Technology
    • Silicon (Si)
    • Gallium Arsenide (GaAs)
    • Gallium Nitride (GaN)
    • Silicon Germanium (SiGe)
    • Complementary MOS (CMOS)
    • Other Technologies
  • By Product
    • Audio Power Amplifiers
    • RF / Microwave Power Amplifiers
  • By Frequency Band
    • <1 GHz
    • 1 - 6 GHz
    • 6 - 20 GHz
    • > 20 GHz
  • By Class
    • Class A
    • Class B
    • Class AB
    • Class D
    • Class E/F and Other Classes
  • By Industry Vertical
    • Consumer Electronics
    • Industrial
    • Telecommunications
    • Automotive
    • Other Industry Verticals
  • By Geography
    • North America
      • United States
      • Canada
    • South America
      • Brazil
      • Argentina
      • Rest of South America
    • Europe
      • Germany
      • United Kingdom
      • France
      • Italy
      • Sweden
      • Denmark
      • Rest of Europe
    • Asia-Pacific
      • China
      • Japan
      • South Korea
      • India
      • Rest of Asia-Pacific
    • Middle East and Africa
      • Middle East
        • Saudi Arabia
        • UAE
        • Turkey
        • Rest of Middle East
      • Africa
        • South Africa
        • Rest of Africa

Geography Analysis

Asia-Pacific generated 48.12% of global revenue in 2025, anchored by China's handset assembly corridors, which consumed more than half of the region's low-band GaAs die. Korean fabs leveraged vertical integration to ramp 5G RF front ends, while Japanese material suppliers expanded SiC wafer output to mitigate GaN substrate gaps. India's production-linked incentives for smartphone EMS houses widened domestic demand, creating a nascent yet vibrant cluster of RF test and packaging firms. Over the near term, Asia's policy emphasis on indigenous compound-semiconductor supply chains is positioned to strengthen regional control over the power amplifier market.

North America ranked second by value. Dominant players such as Qorvo, Broadcom, and Wolfspeed exploited patent portfolios in GaN power density and thermal packaging to capture new defense and 5G O-RAN awards. The Pentagon's radar-modernization programs adopted X-band GaN tiles, pushing device ASPs significantly above commercial grades. Telecom operators remained central buyers, upgrading mid-band carriers to 64T/64R arrays in dense urban clusters.

Europe's share centered on Germany and France, where automotive and aerospace manufacturers absorbed high-linearity PAs for in-cabin audio, ADAS, and multi-band sat-comms. The EU Eco-Design idle-power regulation prompted a swift transition toward Class-D, creating a temporary mismatch between legacy inventory and new-build specs. United Kingdom fabs explored GaN-on-diamond epitaxy through public-private consortia to retain competitiveness against Asian peers.

The Middle East and Africa region, though smaller, exhibited the fastest growth at an 11.18% CAGR, fueled by Ka-band teleport expansion and sovereign LEO connectivity programs. National operators in Saudi Arabia and Nigeria earmarked capex for gateways that integrate 40 W Ku-band SSPAs, broadening the addressable slice of the power amplifier market. South America followed with moderate uptake, led by Brazil's 5G mid-band auctions and state-backed rural broadband.

  1. Broadcom Inc.
  2. Qorvo Inc.
  3. Skyworks Solutions Inc.
  4. Qualcomm Technologies Inc.
  5. Infineon Technologies AG
  6. Texas Instruments Inc.
  7. Analog Devices Inc.
  8. NXP Semiconductors N.V.
  9. STMicroelectronics N.V.
  10. Renesas Electronics Corp.
  11. Wolfspeed Inc.
  12. MACOM Technology Solutions Inc.
  13. ON Semiconductor Corp.
  14. Microchip Technology Inc.
  15. Rohm Semiconductor
  16. Panasonic Corp.
  17. Murata Manufacturing Co. Ltd.
  18. Mini-Circuits
  19. CAES (Cobham Advanced Electronics)
  20. Sumitomo Electric Device Innovations
  21. Empower RF Systems
  22. Falcomm Inc.
  23. Finwave Semiconductor Inc.

Additional Benefits:

  • The market estimate (ME) sheet in Excel format
  • 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

  • 1.1 Study Assumptions and Market Definition
  • 1.2 Scope of the Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET LANDSCAPE

  • 4.1 Market Overview
  • 4.2 Market Drivers
    • 4.2.1 Integration of GaN PAs in 5G Massive-MIMO
    • 4.2.2 Wi-Fi 6/7 Router Refresh Boosting Mid-Power PAs
    • 4.2.3 EV Infotainment and ADAS Adoption of Class-D Audio PAs
    • 4.2.4 LEO Satellite Constellations Driving Ku/Ka-band SSPAs
    • 4.2.5 Smart-Factory RF-Heating Demand via Industry 4.0
    • 4.2.6 O-RAN Disaggregation Creating Multi-Vendor PA Opportunities
  • 4.3 Market Restraints
    • 4.3.1 GaAs Wafer Supply Constraints Elevating BOM Costs
    • 4.3.2 EU Eco-Design Idle-Power Caps on Audio PAs
    • 4.3.3 Low-End CMOS PA Price Erosion from Chinese Fabless Entrants
    • 4.3.4 Thermal-Management Limits on >28 GHz Silicon PAs in Handsets
  • 4.4 Industry Value Chain Analysis
  • 4.5 Regulatory Outlook
  • 4.6 Technological Outlook
  • 4.7 Porter's Five Forces
    • 4.7.1 Threat of New Entrants
    • 4.7.2 Bargaining Power of Buyers
    • 4.7.3 Bargaining Power of Suppliers
    • 4.7.4 Threat of Substitutes
    • 4.7.5 Intensity of Competitive Rivalry
  • 4.8 Investment Analysis
  • 4.9 Key Performance Indicators
  • 4.10 Impact of Macroeconomic factors

5 MARKET SIZE AND GROWTH FORECASTS (VALUE)

  • 5.1 By Technology
    • 5.1.1 Silicon (Si)
    • 5.1.2 Gallium Arsenide (GaAs)
    • 5.1.3 Gallium Nitride (GaN)
    • 5.1.4 Silicon Germanium (SiGe)
    • 5.1.5 Complementary MOS (CMOS)
    • 5.1.6 Other Technologies
  • 5.2 By Product
    • 5.2.1 Audio Power Amplifiers
    • 5.2.2 RF / Microwave Power Amplifiers
  • 5.3 By Frequency Band
    • 5.3.1 < 1 GHz
    • 5.3.2 1 - 6 GHz
    • 5.3.3 6 - 20 GHz
    • 5.3.4 > 20 GHz
  • 5.4 By Class
    • 5.4.1 Class A
    • 5.4.2 Class B
    • 5.4.3 Class AB
    • 5.4.4 Class D
    • 5.4.5 Class E/F and Other Classes
  • 5.5 By Industry Vertical
    • 5.5.1 Consumer Electronics
    • 5.5.2 Industrial
    • 5.5.3 Telecommunications
    • 5.5.4 Automotive
    • 5.5.5 Other Industry Verticals
  • 5.6 By Geography
    • 5.6.1 North America
      • 5.6.1.1 United States
      • 5.6.1.2 Canada
    • 5.6.2 South America
      • 5.6.2.1 Brazil
      • 5.6.2.2 Argentina
      • 5.6.2.3 Rest of South America
    • 5.6.3 Europe
      • 5.6.3.1 Germany
      • 5.6.3.2 United Kingdom
      • 5.6.3.3 France
      • 5.6.3.4 Italy
      • 5.6.3.5 Sweden
      • 5.6.3.6 Denmark
      • 5.6.3.7 Rest of Europe
    • 5.6.4 Asia-Pacific
      • 5.6.4.1 China
      • 5.6.4.2 Japan
      • 5.6.4.3 South Korea
      • 5.6.4.4 India
      • 5.6.4.5 Rest of Asia-Pacific
    • 5.6.5 Middle East and Africa
      • 5.6.5.1 Middle East
        • 5.6.5.1.1 Saudi Arabia
        • 5.6.5.1.2 UAE
        • 5.6.5.1.3 Turkey
        • 5.6.5.1.4 Rest of Middle East
      • 5.6.5.2 Africa
        • 5.6.5.2.1 South Africa
        • 5.6.5.2.2 Rest of Africa

6 COMPETITIVE LANDSCAPE

  • 6.1 Market Concentration
  • 6.2 Strategic Moves
  • 6.3 Market Share Analysis
  • 6.4 Company Profiles (includes Global and Market Level Overview, Core Segments, Financials, Strategic Information, Market Rank/Share, Products and Services, Recent Developments)
    • 6.4.1 Broadcom Inc.
    • 6.4.2 Qorvo Inc.
    • 6.4.3 Skyworks Solutions Inc.
    • 6.4.4 Qualcomm Technologies Inc.
    • 6.4.5 Infineon Technologies AG
    • 6.4.6 Texas Instruments Inc.
    • 6.4.7 Analog Devices Inc.
    • 6.4.8 NXP Semiconductors N.V.
    • 6.4.9 STMicroelectronics N.V.
    • 6.4.10 Renesas Electronics Corp.
    • 6.4.11 Wolfspeed Inc.
    • 6.4.12 MACOM Technology Solutions Inc.
    • 6.4.13 ON Semiconductor Corp.
    • 6.4.14 Microchip Technology Inc.
    • 6.4.15 Rohm Semiconductor
    • 6.4.16 Panasonic Corp.
    • 6.4.17 Murata Manufacturing Co. Ltd.
    • 6.4.18 Mini-Circuits
    • 6.4.19 CAES (Cobham Advanced Electronics)
    • 6.4.20 Sumitomo Electric Device Innovations
    • 6.4.21 Empower RF Systems
    • 6.4.22 Falcomm Inc.
    • 6.4.23 Finwave Semiconductor Inc.

7 MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE OUTLOOK

  • 7.1 White-Space and Unmet-Need Assessment
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