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세계의 GaN 파워 디바이스 시장 조사 보고서 : 산업 분석, 규모, 점유율, 성장, 동향 및 예측(2023-2030년)Global Power GaN Devices Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2023 to 2030 |
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GaN 파워 디바이스 시장의 세계 수요는 2023-2030년의 조사 기간 중 43.84%의 CAGR로 2022년 8,784만 달러에서 2030년에는 약 23억 1,530만 달러 규모에 도달할 것으로 추정됩니다.
파워 GaN(Gallium Nitride) 디바이스는 질화갈륨 기술을 사용하여 만든 전자 부품입니다. 고전압, 고주파, 고출력 용도의 파워 일렉트로닉스 시스템에 사용되며, GaN 파워 디바이스는 기존 실리콘 기반 파워 디바이스에 비해 빠른 스위칭 속도, 높은 전력 밀도, 고효율 등 여러 가지 장점을 가지고 있습니다. GaN 파워 디바이스는 일반적으로 전기자동차, 태양광 및 풍력발전 시스템, 전원 공급 장비, 데이터센터 등 다양한 용도에 사용됩니다. GaN 파워 디바이스는 자동차, 산업, 통신 등의 분야에서 볼 수 있듯이 고효율, 고출력 밀도, 높은 스위칭 속도가 필요한 용도에 적합하며, GaN 파워 디바이스에는 GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터), GaN 쇼트키 다이오드, GaN 기반 집적회로(IC) 등 다양한 제품이 있습니다. GaN HEMT는 고전압, 고전력 용도에 사용할 수 있으므로 파워 일렉트로닉스 시스템에서 자주 사용되며, GaN 쇼트키 다이오드는 정류 회로에 사용되며, 고주파 스위칭 애플리케이션을 처리할 수 있으며, GaN 기반 IC는 통합 파워 일렉트로닉스 용도에 사용됩니다.
시장 역학 :
재생 에너지 시스템, 전기자동차, 데이터센터 등 다양한 응용 분야에서 전자기기 사용이 증가하고 효율적이고 안정적인 전력 변환이 필요함에 따라 파워 일렉트로닉스에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있으며, GaN 파워 디바이스는 고효율, 고출력 밀도, 고속 스위칭을 구현하는 파워 일렉트로닉스 용도에 이상적인 소자입니다. GaN 파워 디바이스는 기존 실리콘 기반 소자보다 더 높은 전압과 전류를 처리할 수 있으므로 높은 전력 밀도, 고주파 동작 및 높은 스위칭 속도를 필요로 하는 고성능 용도에 이상적입니다. 적합합니다. 결정 성장, 기판 품질, 소자 설계 개선 등 GaN 기술의 발전으로 기존 실리콘 기반 소자보다 더 높은 효율과 신뢰성을 갖춘 고성능 GaN 파워 디바이스가 개발되고 있습니다. 풍력 및 태양광과 같은 재생 가능 에너지에 대한 수요가 증가함에 따라 이러한 에너지원에서 발생하는 에너지를 변환하고 제어하는 고성능 파워 일렉트로닉스에 대한 수요가 증가하고 있으며, GaN 파워 디바이스는 높은 효율과 신뢰성으로 인해 이러한 용도에 적합합니다. 적합합니다. 전기자동차에 대한 수요가 증가함에 따라 전기 모터 및 배터리 시스템을 제어하는 고성능 파워 일렉트로닉스에 대한 필요성이 증가하고 있으며, GaN 파워 디바이스는 고효율, 고출력 밀도 및 고속 스위칭을 제공하여 전기자동차 용도에 이상적입니다.
이 조사 보고서는 Portre's Five Forces 모델, 시장 매력도 분석 및 밸류체인 분석에 대해 설명합니다. 이러한 툴은 산업 구조를 명확하게 파악하고 세계 수준에서 경쟁의 매력도를 평가하는 데 도움이 됩니다. 또한 이러한 툴은 세계 GaN 파워 디바이스 시장의 각 부문을 종합적으로 평가할 수 있으며, GaN 파워 디바이스 산업의 성장과 동향은 본 연구에 대한 전체적인 접근 방식을 제공합니다.
지역별 분석 :
이 섹션에서는 북미, 유럽, 아시아태평양, 라틴아메리카, 중동 및 아프리카의 GaN 파워 디바이스 시장의 현재 및 미래 수요를 강조하는 지역 전망을 다룹니다. 또한 모든 주요 지역의 개별 용도 부문 수요, 추정 및 예측에 초점을 맞추고 있습니다.
또한 이 조사 보고서는 시장 주요 기업의 종합적 개요와 세계 경쟁 환경에 대한 자세한 관점을 다루고 있습니다. 이 섹션은 주요 M&A, 미래 역량, 파트너십, 재무 개요, 협업, 신제품 개발, 신제품 출시 등 다양한 전략적 발전을 포함한 경쟁 구도의 전체적인 관점으로 구성되어 있습니다.
목차
제1장 서문
- 본 보고서의 내용
- 조사 범위
- 조사 방법
- 시장 조사 프로세스
- 시장 조사 방법
제2장 주요 요약
- 시장 하이라이트
- 세계 시장 스냅숏
제3장 GaN 파워 디바이스 - 산업 분석
- 서론 - 시장 역학
- 시장 촉진요인
- 시장 억제요인
- 시장 기회
- 산업 동향
- Porter's Five Forces 분석
- 시장의 매력 분석
제4장 밸류체인 분석
- 밸류체인 분석
- 원재료 분석
- 원재료 리스트
- 원재료 제조업체 리스트
- 주요 원재료의 가격 동향
- 잠재적 바이어 리스트
- 마케팅 채널
- 다이렉트 마케팅
- 인다이렉트 마케팅
- 마케팅 채널의 동향
제5장 COVID-19 발생의 영향 분석
제6장 세계의 GaN 파워 디바이스 시장 분석 : 디바이스 유형별
- 디바이스 유형별 개요
- 실적 데이터와 예측 데이터
- 디바이스 유형별 분석
- 통합형 파워 디바이스
- 디스크리트 파워 디바이스
제7장 세계의 GaN 파워 디바이스 시장 분석 : 전압별
- 전압별 개요
- 실적과 예측 데이터
- 전압별 분석
- 200V 이하
- 200-600V
- 600V 이상
제8장 세계의 GaN 파워 디바이스 시장 분석 : 최종 용도 산업별
- 최종 용도 산업별 개요
- 실적 데이터와 예측 데이터
- 최종 용도 산업별 분석
- IT·통신
- 자동차 관련
- 반도체·일렉트로닉스
- 산업용
- 항공우주·방위
- 기타(에너지·유틸리티, 헬스케어 등)
제9장 세계의 GaN 파워 디바이스 시장 분석 : 지역별
- 지역별 전망
- 서론
- 북미의 판매 분석
- 개요, 실적과 예측
- 북미 : 부문별
- 북미 : 국가별
- 미국
- 캐나다
- 멕시코
- 유럽의 판매 분석
- 개요, 실적과 예측
- 유럽 : 부문별
- 유럽 : 국가별
- 영국
- 프랑스
- 독일
- 이탈리아
- 러시아
- 기타
- 아시아태평양의 판매 분석
- 개요, 실적과 예측
- 아시아태평양 : 부문별
- 아시아태평양 : 국가별
- 중국
- 인도
- 일본
- 한국
- 호주
- 기타
- 라틴아메리카의 판매 분석
- 개요, 실적과 예측
- 라틴아메리카 : 부문별
- 라틴아메리카 : 국가별
- 브라질
- 아르헨티나
- 페루
- 칠레
- 기타
- 중동 및 아프리카 판매 분석
- 개요, 실적과 예측
- 중동 및 아프리카 : 부문별
- 중동 및 아프리카 : 국가별
- 사우디아라비아
- UAE
- 이스라엘
- 남아프리카공화국
- 기타
제10장 GaN 파워 디바이스 기업의 경쟁 구도
- GaN 파워 디바이스 시장 경쟁
- 파트너십/협업/합의
- 합병·인수
- 신제품 발매
- 기타 개발
제11장 기업 개요
- 기업 점유율 분석
- 시장 집중도
- Efficient Power Conversion Corporation Inc.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 소개
- 최근 개발 상황
- Fujitsu limited
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- GaN Power Inc.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- GaN Systems
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Infineon Technologies
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Navitas Semiconductor
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- NexGen Power Systems
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- On Semiconductors
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Panasonic Corporation
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Power Integrations Inc.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- ROHM CO. LTD.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- SOITEC
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Texas Instruments Incorporated
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- Transphorm Inc.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 개발 상황
- VisIC Technologies.
- 회사 개요
- 기업 매출
- 제품 정보
- 최근 동향
주 : 기업 개요에서 재무의 상세 내역과 최신 개발은 입수 상황에 따라 제공 가능하나 비공개 회사의 경우, 다루지 않을 수 있습니다.
KSA 23.07.05The global demand for Power GaN Devices Market is presumed to reach the market size of nearly USD 2315.3 MN by 2030 from USD 87.84 MN in 2022 with a CAGR of 43.84% under the study period 2023-2030. Regarding volume, the market was calculated XX Million Units in 2022 and forecast to touch XX Million Units by 2030 with a CAGR of XX% during 2023-2030.
Power GaN (Gallium Nitride) devices are electronic components that are made using Gallium Nitride technology. They are used in power electronic systems for high voltage, high frequency and high power applications. Power GaN devices offer several advantages over traditional silicon-based power devices, including higher switching speeds, higher power density, and higher efficiency. Power GaN devices are typically used in a variety of applications, including electric vehicles, solar and wind power systems, power supplies, and data centres. These devices are well-suited for applications that require high efficiency, high power density, and high switching speeds, such as those found in the automotive, industrial, and telecommunications sectors. There are several types of power GaN devices available on the market, including GaN HEMTs (High Electron Mobility Transistors), GaN Schottky diodes, and GaN-based integrated circuits (ICs). GaN HEMTs are commonly used in power electronic systems due to their ability to handle high voltage and high power applications. GaN Schottky diodes are used in rectifier circuits and can handle high-frequency switching applications, while GaN-based ICs are used in integrated power electronics applications.
Market Dynamics:
The demand for power electronics is growing rapidly owing to the increasing use of electronic devices and the need for efficient and reliable power conversion in a wide range of applications, including renewable energy systems, electric vehicles, and data centres. Power GaN devices offer high efficiency, high power density, and high switching speeds, making them ideal for power electronics applications. Power GaN devices are capable of handling higher voltages and currents than traditional silicon-based devices, making them ideal for high-performance applications that require high power density, high-frequency operation, and high switching speeds. Advances in GaN technology, including improvements in crystal growth, substrate quality, and device design, have led to the development of higher-performance power GaN devices that offer better efficiency and reliability than traditional silicon-based devices. The growing demand for renewable energy sources (wind and solar power) is driving the demand for high-performance power electronics to convert and control the energy generated by these sources. Power GaN devices are well-suited for these applications due to their high efficiency and reliability. The increasing demand for electric vehicles is driving the need for high-performance power electronics to control electric motor and battery systems. Power GaN devices offer high efficiency, high power density, and high switching speeds, making them ideal for electric vehicle applications.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of power gan devices. The growth and trends of power gan devices industry provide a holistic approach to this study.
Market Segmentation:
This section of the power gan devices market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
By Device Type
- Integrated Power Devices
- Discrete Power Devices
By Voltage
- Below 200V
- 200-600V
- Above 600V
By End-Use Industry
- IT & Telecommunication
- Automotive
- Semiconductor & Electronics
- Industrial
- Aerospace & Defense
- Others (Energy & Utilities, Healthcare, Etc.)
Regional Analysis:
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the Power GaN Devices market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the power gan devices market include Efficient Power Conversion Corporation Inc., Fujitsu limited, GaN Power Inc., GaN Systems, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, NexGen Power Systems, On Semiconductors, Panasonic Corporation, Power Integrations Inc., ROHM CO. LTD., SOITEC, Texas Instruments Incorporated, Transphorm Inc., VisIC Technologies. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
TABLE OF CONTENTS
1 . PREFACE
- 1.1. Report Description
- 1.1.1. Objective
- 1.1.2. Target Audience
- 1.1.3. Unique Selling Proposition (USP) & offerings
- 1.2. Research Scope
- 1.3. Research Methodology
- 1.3.1. Market Research Process
- 1.3.2. Market Research Methodology
2 . EXECUTIVE SUMMARY
- 2.1. Highlights of Market
- 2.2. Global Market Snapshot
3 . POWER GAN DEVICES - INDUSTRY ANALYSIS
- 3.1. Introduction - Market Dynamics
- 3.2. Market Drivers
- 3.3. Market Restraints
- 3.4. Opportunities
- 3.5. Industry Trends
- 3.6. Porter's Five Force Analysis
- 3.7. Market Attractiveness Analysis
- 3.7.1 Market Attractiveness Analysis By Device Type
- 3.7.2 Market Attractiveness Analysis By Voltage
- 3.7.3 Market Attractiveness Analysis By End-use Industry
- 3.7.4 Market Attractiveness Analysis By Region
4 . VALUE CHAIN ANALYSIS
- 4.1. Value Chain Analysis
- 4.2. Raw Material Analysis
- 4.2.1. List of Raw Materials
- 4.2.2. Raw Material Manufactures List
- 4.2.3. Price Trend of Key Raw Materials
- 4.3. List of Potential Buyers
- 4.4. Marketing Channel
- 4.4.1. Direct Marketing
- 4.4.2. Indirect Marketing
- 4.4.3. Marketing Channel Development Trend
5 . IMPACT ANALYSIS OF COVID-19 OUTBREAK
6 . GLOBAL POWER GAN DEVICES MARKET ANALYSIS BY DEVICE TYPE
- 6.1 Overview by Device Type
- 6.2 Historical and Forecast Data
- 6.3 Analysis by Device Type
- 6.4 Integrated Power Devices Historic and Forecast Sales by Regions
- 6.5 Discrete Power Devices Historic and Forecast Sales by Regions
7 . GLOBAL POWER GAN DEVICES MARKET ANALYSIS BY VOLTAGE
- 7.1 Overview by Voltage
- 7.2 Historical and Forecast Data
- 7.3 Analysis by Voltage
- 7.4 Below 200V Historic and Forecast Sales by Regions
- 7.5 200-600V Historic and Forecast Sales by Regions
- 7.6 Above 600V Historic and Forecast Sales by Regions
8 . GLOBAL POWER GAN DEVICES MARKET ANALYSIS BY END-USE INDUSTRY
- 8.1 Overview by End-use Industry
- 8.2 Historical and Forecast Data
- 8.3 Analysis by End-use Industry
- 8.4 IT & Telecommunication Historic and Forecast Sales by Regions
- 8.5 Automotive Historic and Forecast Sales by Regions
- 8.6 Semiconductor & Electronics Historic and Forecast Sales by Regions
- 8.7 Industrial Historic and Forecast Sales by Regions
- 8.8 Aerospace & Defense Historic and Forecast Sales by Regions
- 8.9 Others (Energy & Utilities, Healthcare, Etc.) Historic and Forecast Sales by Regions
9 . GLOBAL POWER GAN DEVICES MARKET ANALYSIS BY GEOGRAPHY
- 9.1. Regional Outlook
- 9.2. Introduction
- 9.3. North America Sales Analysis
- 9.3.1. Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
- 9.3.2. North America By Segment Sales Analysis
- 9.3.3. North America By Country Sales Analysis
- 9.3.4. United State Sales Analysis
- 9.3.5. Canada Sales Analysis
- 9.3.6. Mexico Sales Analysis
- 9.4. Europe Sales Analysis
- 9.4.1. Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
- 9.4.2. Europe by Segment Sales Analysis
- 9.4.3. Europe by Country Sales Analysis
- 9.4.4. United Kingdom Sales Analysis
- 9.4.5. France Sales Analysis
- 9.4.6. Germany Sales Analysis
- 9.4.7. Italy Sales Analysis
- 9.4.8. Russia Sales Analysis
- 9.4.9. Rest Of Europe Sales Analysis
- 9.5. Asia Pacific Sales Analysis
- 9.5.1. Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
- 9.5.2. Asia Pacific by Segment Sales Analysis
- 9.5.3. Asia Pacific by Country Sales Analysis
- 9.5.4. China Sales Analysis
- 9.5.5. India Sales Analysis
- 9.5.6. Japan Sales Analysis
- 9.5.7. South Korea Sales Analysis
- 9.5.8. Australia Sales Analysis
- 9.5.9. Rest Of Asia Pacific Sales Analysis
- 9.6. Latin America Sales Analysis
- 9.6.1. Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
- 9.6.2. Latin America by Segment Sales Analysis
- 9.6.3. Latin America by Country Sales Analysis
- 9.6.4. Brazil Sales Analysis
- 9.6.5. Argentina Sales Analysis
- 9.6.6. Peru Sales Analysis
- 9.6.7. Chile Sales Analysis
- 9.6.8. Rest of Latin America Sales Analysis
- 9.7. Middle East & Africa Sales Analysis
- 9.7.1. Overview, Historic and Forecast Data Sales Analysis
- 9.7.2. Middle East & Africa by Segment Sales Analysis
- 9.7.3. Middle East & Africa by Country Sales Analysis
- 9.7.4. Saudi Arabia Sales Analysis
- 9.7.5. UAE Sales Analysis
- 9.7.6. Israel Sales Analysis
- 9.7.7. South Africa Sales Analysis
- 9.7.8. Rest Of Middle East And Africa Sales Analysis
10 . COMPETITIVE LANDSCAPE OF THE POWER GAN DEVICES COMPANIES
- 10.1. Power Gan Devices Market Competition
- 10.2. Partnership/Collaboration/Agreement
- 10.3. Merger And Acquisitions
- 10.4. New Product Launch
- 10.5. Other Developments
11 . COMPANY PROFILES OF POWER GAN DEVICES INDUSTRY
- 11.1. Company Share Analysis
- 11.2. Market Concentration Rate
- 11.3. Efficient Power Conversion Corporation Inc.
- 11.3.1. Company Overview
- 11.3.2. Company Revenue
- 11.3.3. Products
- 11.3.4. Recent Developments
- 11.4. Fujitsu limited
- 11.4.1. Company Overview
- 11.4.2. Company Revenue
- 11.4.3. Products
- 11.4.4. Recent Developments
- 11.5. GaN Power Inc.
- 11.5.1. Company Overview
- 11.5.2. Company Revenue
- 11.5.3. Products
- 11.5.4. Recent Developments
- 11.6. GaN Systems
- 11.6.1. Company Overview
- 11.6.2. Company Revenue
- 11.6.3. Products
- 11.6.4. Recent Developments
- 11.7. Infineon Technologies
- 11.7.1. Company Overview
- 11.7.2. Company Revenue
- 11.7.3. Products
- 11.7.4. Recent Developments
- 11.8. Navitas Semiconductor
- 11.8.1. Company Overview
- 11.8.2. Company Revenue
- 11.8.3. Products
- 11.8.4. Recent Developments
- 11.9. NexGen Power Systems
- 11.9.1. Company Overview
- 11.9.2. Company Revenue
- 11.9.3. Products
- 11.9.4. Recent Developments
- 11.10. On Semiconductors
- 11.10.1. Company Overview
- 11.10.2. Company Revenue
- 11.10.3. Products
- 11.10.4. Recent Developments
- 11.11. Panasonic Corporation
- 11.11.1. Company Overview
- 11.11.2. Company Revenue
- 11.11.3. Products
- 11.11.4. Recent Developments
- 11.12. Power Integrations Inc.
- 11.12.1. Company Overview
- 11.12.2. Company Revenue
- 11.12.3. Products
- 11.12.4. Recent Developments
- 11.13. ROHM CO. LTD.
- 11.13.1. Company Overview
- 11.13.2. Company Revenue
- 11.13.3. Products
- 11.13.4. Recent Developments
- 11.14. SOITEC
- 11.14.1. Company Overview
- 11.14.2. Company Revenue
- 11.14.3. Products
- 11.14.4. Recent Developments
- 11.15. Texas Instruments Incorporated
- 11.15.1. Company Overview
- 11.15.2. Company Revenue
- 11.15.3. Products
- 11.15.4. Recent Developments
- 11.16. Transphorm Inc.
- 11.16.1. Company Overview
- 11.16.2. Company Revenue
- 11.16.3. Products
- 11.16.4. Recent Developments
- 11.17. VisIC Technologies.
- 11.17.1. Company Overview
- 11.17.2. Company Revenue
- 11.17.3. Products
- 11.17.4. Recent Developments
Note - in company profiling, financial details and recent development are subject to availability or might not be covered in case of private companies
