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시장보고서
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MRAM : 세계 시장 점유율과 순위, 총판매량 및 수요 예측(2025-2031년)MRAM - Global Market Share and Ranking, Overall Sales and Demand Forecast 2025-2031 |
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세계의 MRAM 시장 규모는 2024년에 2억 5,000만 달러로 추정되며, 2025-2031년의 예측 기간에 CAGR 23.3%로 확대하며, 2031년까지 11억 3,500만 달러로 재조정될 전망입니다.
이 보고서는 최근 관세 조정과 국제적인 전략적 대응 조치가 MRAM의 국경 간 산업 기반, 자본 배분 패턴, 지역 경제의 상호 의존성, 공급망 재구축에 미치는 영향에 대한 종합적인 평가를 제공합니다.
자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM)는 자기저항 효과에 기반한 비휘발성 메모리 기술이며, 그 핵심 단위는 자기 터널 접합(MTJ)입니다. MTJ는 절연 터널 장벽층을 사이에 두고 두 개의 강자성 층으로 구성되어 있습니다. 자유층과 고정층의 자화 방향을 평행 또는 반평행으로 제어함으로써 MTJ는 저저항 상태(논리 0) 또는 고저항 상태(논리 1)를 나타내며, 이를 통해 데이터 저장이 가능합니다.
MRAM의 기술적 진화는 3세대에 걸쳐 이루어졌습니다.
1세대: 자기 구동형 MRAM. 쓰기에는 외부 자기장이 필요하고, 상대적으로 효율이 낮습니다.
2세대: 스핀 전이 토크 MRAM(STT-MRAM). MTJ에 수직인 전류를 이용하여 자기모멘트를 반전시키는 방식으로 SRAM에 근접한 속도와 10의 15제곱 사이클 이상의 내구성을 가지고 있으며, 상업적 대량생산이 가능합니다.
3세대: 스핀 궤도 토크 MRAM(SOT-MRAM) 및 전압 제어 자기 이방성 MRAM(VCMA-MRAM). 이 중 SOT-MRAM은 면내 전류를 이용하여 스핀 궤도 토크를 발생시켜 자기모멘트를 반전시켜 최대 0.4나노초의 쓰기 속도를 구현하고, 소비전력은 STT-MRAM의 1%에 불과하며, 인메모리 컴퓨팅에도 대응하고 있으며, 차세대 주류 기술이 될 것으로 예측됩니다. 입니다.
기존 스토리지와 비교:
DRAM: 휘발성이며, 지속적인 전원 공급이 필요합니다. MRAM은 비휘발성 캐시로 DRAM을 대체할 수 있습니다.
NAND 플래시: 쓰기 속도가 느리고(마이크로초 단위), 내구성이 낮으며, 실시간 데이터 저장 시나리오에서는 MRAM이 우위를 점합니다.
SRAM : 고속이지만, 저밀도 및 고소비 전력입니다. MRAM은 임베디드 용도에서 성능과 비용의 균형을 맞추고 있습니다.
기술적 혁신 :
SOT-MRAM 상용화: TSMC와 ITRI가 개발한 SOT-MRAM은 쓰기 속도 0.4나노, 소비전력 99% 절감, 자동차 등급 검증 단계에 진입했습니다. 도호쿠대학이 개발한 SOT-MRAM은 쓰기 전력 소모량이 156fJ로 세계 최저 수준입니다.
인메모리 컴퓨팅 통합: TSMC는 SOT-MRAM을 컴퓨팅 아키텍처와 통합하여 직접 인메모리 컴퓨팅을 실현합니다. 에너지 효율을 10배 이상 향상시켜 AI 엣지 컴퓨팅에 적합합니다.
재료 혁신 : 그래핀 자성 복합재료로 읽기/쓰기 속도 50% 향상, 전력 소비 30% 감소. 3차원 적층 구조로 디바이스 크기를 나노미터 수준까지 축소하여 밀도를 크게 향상시켰습니다.
시장 시장 성장 촉진요인:
새로운 용도 수요:
AI와 엣지 컴퓨팅: MRAM의 저전력 및 고속 특성은 AI 추론 칩에 적합합니다. 예를 들어 Alibaba의 MRAM 내장형 AI 칩 PingTouGe는 전력 소비를 62% 줄였습니다.
IoT 디바이스: 전 세계 IoT 디바이스는 2030년까지 5,000억 개가 넘을 것으로 예상되며, MRAM의 비휘발성과 내구성은 센서 노드의 요구사항을 충족시킬 수 있습니다.
정책적 지원: 중국의 14차 5개년 계획은 MRAM을 주요 신메모리 기술로 선정하고 있습니다. 국가집적회로산업투자기금 2기에는 공급망 개발 지원에 35억 위안이 배정되어 베이징, 상하이 등 3개 지역에 국가급 연구개발센터가 설립되었습니다.
도전과 경쟁:
비용 및 공정: MRAM의 단가는 DRAM의 35배에 달할 전망입니다. 비용 절감을 위해서는 대규모 생산(예: 허페이창신의 28nm 생산라인)과 국내 소재 생산(현재 코발트, 철, 붕소 대상 소재의 75%는 수입에 의존하고 있음)이 필요합니다.
기술 경쟁: ReRAM은 컴퓨트 인 메모리 분야에서 빠르게 발전하고 있으며(예: 신원반도체의 차량용 제품), FeRAM도 차량용 전자기기에 대한 침투가 확대되고 있습니다. 그러나 MRAM은 속도와 내구성 측면에서 여전히 우위를 점하고 있습니다.
표준 및 생태계: JEDEC는 SOT-MRAM 인터페이스 표준 JESD232를 발표했으며, 2025년까지 완전한 시스템이 구축될 것으로 예상되며, 벤더 간 호환성을 촉진할 것입니다.
이 보고서는 세계 MRAM 시장에 대해 총판매량, 판매 매출, 가격, 주요 기업의 시장 점유율 및 순위를 중심으로 지역별, 국가별, 유형별, 용도별 분석을 종합적으로 제시하는 것을 목적으로 합니다.
2024년을 기준 연도, 2020-2031년의 과거 데이터와 예측 데이터를 포함하여 판매량(천 대)과 매출액(백만 달러)으로 MRAM 시장 규모 추정 및 예측을 제공했습니다. 정량적, 정성적 분석을 통해 독자들이 비즈니스/성장 전략 수립, 시장 경쟁 평가, 현재 시장에서의 포지셔닝 분석, MRAM에 대한 정보에 입각한 비즈니스 의사결정을 내릴 수 있도록 도와드립니다.
시장 세분화
기업별
유형별 부문
용도별 부문
지역별
The global market for MRAM was estimated to be worth US$ 250 million in 2024 and is forecast to a readjusted size of US$ 1135 million by 2031 with a CAGR of 23.3% during the forecast period 2025-2031.
This report provides a comprehensive assessment of recent tariff adjustments and international strategic countermeasures on MRAM cross-border industrial footprints, capital allocation patterns, regional economic interdependencies, and supply chain reconfigurations.
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) is a non-volatile storage technology based on the magnetoresistive effect, with its core unit being a magnetic tunnel junction (MTJ), composed of two ferromagnetic layers sandwiching an insulating tunnel barrier layer. By controlling the magnetization direction of the free layer and the fixed layer to be parallel or antiparallel, the MTJ exhibits a low-resistance state (logic 0) or a high-resistance state (logic 1), thereby enabling data storage.
The technological evolution of MRAM has undergone three generations:
First generation: Magnetically driven MRAM, which requires an external magnetic field for writing and has relatively low efficiency.
Second generation: Spin-transfer torque MRAM (STT-MRAM), which flips the magnetic moment using a current perpendicular to the MTJ, has been commercially mass-produced, with speeds approaching SRAM and durability exceeding 1E15 cycles.
Third generation: Spin-orbit torque MRAM (SOT-MRAM) and voltage-controlled magnetic anisotropy MRAM (VCMA-MRAM). Among these, SOT-MRAM uses in-plane current to generate spin-orbit torque to flip the magnetic moment, achieving write speeds of up to 0.4 nanoseconds, with power consumption only 1% of STT-MRAM, and supports in-memory computing, making it the next-generation mainstream technology.
Comparison with traditional storage:
DRAM: Volatile, requires continuous power supply; MRAM can replace it as non-volatile cache.
NAND flash: Slow write speed (microseconds), low durability; MRAM has advantages in real-time data storage scenarios.
SRAM: Fast but low density and high power consumption; MRAM balances performance and cost in embedded applications.
Technological breakthroughs:
SOT-MRAM commercialization: TSMC and ITRI have developed SOT-MRAM with a write speed of 0.4 nanoseconds and a 99% reduction in power consumption, which has entered the automotive-grade verification phase. SOT-MRAM developed by Tohoku University in Japan has a write power consumption as low as 156 fJ, the lowest in the world.
In-memory computing integration: TSMC combines SOT-MRAM with computing architecture to enable direct in-memory computing, improving energy efficiency by over 10 times, suitable for AI edge computing.
Material innovation: Graphene magnetic composite materials increase read/write speeds by 50% and reduce power consumption by 30%; three-dimensional stacked structures reduce device sizes to the nanometer level, significantly increasing density.
Market drivers:
Emerging application demands:
AI and edge computing: MRAM's low power consumption and high-speed characteristics are well-suited for AI inference chips. For example, Alibaba's PingTouGe AI chip with integrated MRAM reduces power consumption by 62%.
IoT Devices: Global IoT devices are projected to exceed 500 billion units by 2030, with MRAM's non-volatility and durability meeting sensor node requirements.
Policy Support: China's 14th Five-Year Plan prioritizes MRAM as the leading new storage technology, with the second phase of the National Integrated Circuit Industry Investment Fund allocating 3.5 billion yuan to support supply chain development, and three national-level R&D centers established in Beijing, Shanghai, and other regions.
Challenges and competition:
Cost and process: The unit cost of MRAM is 35 times that of DRAM. Cost reduction requires large-scale production (e.g., Hefei Changxin's 28nm production line) and domestic material production (cobalt-iron-boron target materials currently have a 75% import dependency).
Technological Competition: ReRAM is making rapid progress in the field of compute-in-memory (e.g., XinYuan Semiconductor's automotive-grade products), and FeRAM is increasing its penetration in automotive electronics. However, MRAM still holds advantages in terms of speed and durability.
Standards and Ecosystem: JEDEC has released the SOT-MRAM interface standard JESD232, with a complete system expected to be established by 2025, promoting cross-vendor compatibility.
This report aims to provide a comprehensive presentation of the global market for MRAM, focusing on the total sales volume, sales revenue, price, key companies market share and ranking, together with an analysis of MRAM by region & country, by Type, and by Application.
The MRAM market size, estimations, and forecasts are provided in terms of sales volume (K Units) and sales revenue ($ millions), considering 2024 as the base year, with history and forecast data for the period from 2020 to 2031. With both quantitative and qualitative analysis, to help readers develop business/growth strategies, assess the market competitive situation, analyze their position in the current marketplace, and make informed business decisions regarding MRAM.
Market Segmentation
By Company
Segment by Type
Segment by Application
By Region
Chapter Outline
Chapter 1: Introduces the report scope of the report, global total market size (value, volume and price). This chapter also provides the market dynamics, latest developments of the market, the driving factors and restrictive factors of the market, the challenges and risks faced by manufacturers in the industry, and the analysis of relevant policies in the industry.
Chapter 2: Detailed analysis of MRAM manufacturers competitive landscape, price, sales and revenue market share, latest development plan, merger, and acquisition information, etc.
Chapter 3: Provides the analysis of various market segments by Type, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different market segments.
Chapter 4: Provides the analysis of various market segments by Application, covering the market size and development potential of each market segment, to help readers find the blue ocean market in different downstream markets.
Chapter 5: Sales, revenue of MRAM in regional level. It provides a quantitative analysis of the market size and development potential of each region and introduces the market development, future development prospects, market space, and market size of each country in the world.
Chapter 6: Sales, revenue of MRAM in country level. It provides sigmate data by Type, and by Application for each country/region.
Chapter 7: Provides profiles of key players, introducing the basic situation of the main companies in the market in detail, including product sales, revenue, price, gross margin, product introduction, recent development, etc.
Chapter 8: Analysis of industrial chain, including the upstream and downstream of the industry.
Chapter 9: Conclusion.