시장보고서
상품코드
2124321

극자외선(EUV) 리소그래피 시장 : 점유율 분석, 업계 동향과 통계, 성장 예측(2026-2031년)

Extreme Ultraviolet Lithography - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031)

발행일: | 리서치사: 구분자 Mordor Intelligence | 페이지 정보: 영문 | 배송안내 : 2-3일 (영업일 기준)

    
    
    




■ 보고서에 따라 최신 정보로 업데이트하여 보내드립니다. 배송일정은 문의해 주시기 바랍니다.

가격
PDF & Excel (Single User License) help
PDF & Excel 보고서를 1명만 이용할 수 있는 라이선스입니다. 파일 내 텍스트 등의 Copy & Paste 가능합니다. 인쇄 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 4,750 금액 안내 화살표 ₩ 6,469,000
PDF & Excel (Team License: Up to 7 Users) help
PDF & Excel 보고서를 동일 기업내 7명까지 이용할 수 있는 라이선스입니다. 파일 내 텍스트 등의 Copy & Paste 가능합니다. 인쇄 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 5,250 금액 안내 화살표 ₩ 7,150,000
PDF & Excel (Site License) help
PDF & Excel 보고서를 동일한 지리적 위치에 있는 사업장내 모든 분이 이용할 수 있는 라이선스입니다. 파일 내 텍스트 등의 Copy & Paste 가능합니다. 인쇄 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 6,500 금액 안내 화살표 ₩ 8,853,000
PDF & Excel (Corporate License) help
PDF & Excel 보고서를 동일 기업의 전 세계 모든 분이 이용할 수 있는 라이선스입니다. 파일 내 텍스트 등의 Copy & Paste 가능합니다. 인쇄 가능하며 인쇄물의 이용 범위는 PDF 이용 범위와 동일합니다.
US $ 8,750 금액 안내 화살표 ₩ 11,917,000
※ 부가세 별도
한글목차
영문목차

Mordor Intelligence에 의하면, 2026년 극자외선 리소그래피 시장 규모는 259억 3,000만 달러로 추정되고 있어 2025년 237억 1,000만 달러에서 성장하여 2031년 예측은 405억 4,000만 달러가 되어, 2026-2031년까지 CAGR 9.35%로 성장할 전망입니다.

Extreme Ultraviolet Lithography-Market-IMG1

본 보고서는 제품 유형(광원, 미러·광학계, 기타), 최종 사용자 유형별(파운드리, 수직 통합형 디바이스 제조업체(IDM)), 기술 노드(7nm 이상, 5nm, 기타), 광원 기술(레이저 생성 플라즈마, 가스 방전 플라즈마, 기타),지역(북미, 유럽, 기타)별로 분류되어 있습니다. 시장 전망은 금액(달러) 기준으로 제시되어 있습니다.

전 세계 극자외선(EUV) 리소그래피 시장 동향 및 인사이트

5nm 미만 노드에 대한 수요

2025년에 예정된 2nm 칩 양산 계획에서는 EUV 노광으로만 실현 가능한 선폭이 요구되고 있습니다. TSMC는 EUV 장비군에 123억 달러를 배정하고 있으며, 이 예산은 3nm 설계와 비교하여 10-15%의 속도 향상 또는 25-30%의 전력 소비 감축을 목표로 하고 있습니다. 스마트폰 및 데이터센터용 칩을 구매하는 기업들은 이미 이러한 노드에 대한 주문을 줄지어 놓았으며, 이로 인해 공급업체들은 수년 치의 수주 잔고를 확보하고 있습니다. 그 결과, EUV 리소그래피 시장은 노드의 미세화가 진행됨에 따라 예측 가능한 출하 파이프라인을 누리고 있습니다.

AI/5G/HPC용 생산 능력 확대 가속화

AI 가속기, 5G 베이스밴드용 반도체, 고대역폭 메모리는 모두 미세 피치의 메탈라이제이션이 필요합니다. TSMC의 2024년 4분기 매출은 전년 동기 대비 37% 증가한 268억 8,000만 달러에 달하여 수요 규모를 여실히 보여주고 있습니다. 이러한 수요에 대응하기 위해 TSMC는 2025년 설비 투자 예산으로 320억-360억 달러를 편성했으며, 여기에는 약 60대의 EUV 스캐너가 포함되어 있습니다. 이러한 수주로 인해 장비 리드타임이 단축되어, 페리클, 마스크 블랭크, 레지스트 등의 소규모 공급업체들도 EUV 리소그래피 시장의 성장 물결에 편승하게 될 것입니다.

1억 5,000만 달러 이상의 시스템 비용과 팹 개조의 복잡성

표준 EUV 스캐너의 정가는 약 1억 5,000만 달러이지만, 높은 NA(개구수) 모델의 경우 그 2배 이상의 가격이 됩니다. 또한 팹에서도 클린룸의 기류, 진동 억제, 전력 배선도 업그레이드해야 합니다. 중소규모 파운드리 업체들은 이러한 지출을 상각하는 데 어려움을 겪고 있어 기술 격차가 발생할 위험이 있으며, EUV 리소그래피 시장의 잠재적 고객층이 좁아질 우려가 있습니다. DUV와 EUV를 병행하여 가동하는 듀얼 레인 방식에서는 설비 투자 예산이 더욱 증가합니다.

부문 분석

2025년 EUV 리소그래피 시장 규모 중 광원이 45.85%를 차지하고 있으며, 이는 스캐너에서 가장 고가의 서브시스템이라는 위상을 뒷받침하고 있습니다. 현재의 레이저 생성 플라즈마(LPP) 모듈은 CO₂ 레이저 펄스와 주석 방울을 13.5nm의 복사 에너지로 변환하고 있지만, 변환 효율이 5% 미만에 그치고 있어 자유 전자 방식에 대한 대체 기술에 대한 연구가 지속적으로 진행되고 있습니다. 평균 출력이 높다는 점도 첨단 컬렉터 미러 코팅 및 데브리 필터 등의 업그레이드를 촉진하고 있으며, 출력 안정성을 보장하는 서비스 계약을 통해 공급업체에게는 지속적인 수익이 창출되고 있습니다.

페리클은 가장 빠르게 성장하는 제품으로, 2031년 연평균 성장률(CAGR)은 17.9%로 예측됩니다. 탄소나노튜브(CNT) 막은 현재 97-98%의 투과율을 실현하고 1,000W의 조사에 견딜 수 있어, 기존 실리콘 질화물 막에 비해 비약적인 발전을 이루었습니다. 주요 파운드리 기업들은 2nm 공정 흐름을 위한 CNT 페리클 사용을 승인했으며, 이에 따라 모든 마스크 층에 보호가 필요한 교체 주기가 시작되었습니다. 규모 확대로 인해 단가는 이미 하락하고 있습니다.

파운드리 기업들이 수탁 생산에 의존하고 있기 때문에 2025년 EUV 리소그래피 시장에서 파운드리 업체들이 52.75%를 차지했습니다. 파운드리 업체들은 전문화를 통해 스캐너를 로트 단위로 발주하고, 서비스 용량을 확보하며, 장비 공급업체와 공정을 공동 개발할 수 있습니다. TSMC 한 회사만으로도 도입된 EUV 노광 능력의 56%를 장악하고 있으며, 대만 내의 지리적 집적이 공급망 효율화와 학습 곡선에 따른 비용 절감으로 이어지고 있습니다.

한편, IDM(수직 통합형 반도체 제조업체)은 연평균 성장률(CAGR) 13.6%라는 빠른 속도로 확대되고 있습니다. 인텔의 ‘IDM 2.0’ 모델에서는 자사 팹을 외부 고객에게 개방하는 동시에, 2025년까지 확보된 고NA(개구수) 생산 능력을 추가하고 있습니다. 보조금 지급으로 인해 실효 자본 비용이 낮아지면서, 순수 파운드리 기업과의 단위 비용 격차가 줄어들고 있습니다. 각 IDM 기업들이 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터로 전환함에 따라 설계와 공정의 피드백 루프를 사내로 통합하게 되며, 이러한 우위를 바탕으로 향후 10년 동안 EUV 리소그래피 시장에서 IDM 기업들의 점유율은 상승할 전망입니다.

지역별 분석

아시아태평양은 2025년 매출의 63.85%를 차지하며 EUV 리소그래피 시장을 주도했습니다. 대만의 TSMC만 해도 앞서 언급한 123억 달러 규모의 EUV 예산을 통해 자금을 조달한 약 60대의 스캐너를 도입했습니다. 삼성의 한국 내 팹에서는 2025년 1분기에 첫 High-NA 장비를 가동할 예정입니다. HOYA 등 일본공급업체들은 EUV 마스크 블랭크의 주요 공급원으로 계속 자리 잡고 있으며, 지역적 집적화를 더욱 강화하고 있습니다.

북미에서는 기세가 더욱 거세지고 있습니다. ‘CHIPS 법’에 따라 올버니의 EUV 가속기에 8억 2,500만 달러가 배정되었으며, 인텔의 고NA 장비 도입은 첫 번째 스캐너 전부에 대한 조기 접근이라는 혜택을 누리고 있습니다. 에너지부의 보조금을 통해 로렌스 리버모어 국립연구소의 차세대 광원 연구에 자금이 지원되고 있으며, 이 지역은 혁신의 거점으로서의 입지를 공고히 하고 있습니다.

중동 및 아프리카는 기반은 작지만, 아랍에미리트(UAE)와 사우디아라비아의 정부 계열 펀드가 장래에 고도화된 칩 공급이 필요한 AI 인프라에 투자하고 있어, 2031년까지 연평균 성장률(CAGR) 10.9%를 나타낼 것으로 예측됩니다. 미국 장비 공급업체와의 초기 단계 양해각서에는 파일럿 팹 및 클린룸 설계가 포함되어 있으며, 생태계가 성숙해지면 EUV 도입의 길이 열릴 전망입니다.

기타 혜택

  • 엑셀 형식 시장 예측(ME) 시트
  • 3개월간의 애널리스트 지원

목차

제1장 서론

제2장 조사 방법

제3장 주요 요약

제4장 시장 구도

제5장 시장 규모와 성장 예측

제6장 경쟁 구도

제7장 시장 기회와 향후 전망

JHS

According to Mordor Intelligence, the extreme ultraviolet lithography market size in 2026 is estimated at USD 25.93 billion, growing from the 2025 value of USD 23.71 billion, with 2031 projections showing USD 40.54 billion, growing at a 9.35% CAGR over 2026-2031.

Extreme Ultraviolet Lithography - Market - IMG1

This report is Segmented by Product Type (Light Sources, Mirrors / Optics, and More), End-User Type (Foundries, and Integrated Device Manufacturers (IDMs)), Technology Node (7 Nm and Above, 5 Nm, and More), Light-Source Technology (Laser-Produced Plasma, Gas-Discharge Plasma, and More), and Geography (North America, Europe and More). The Market Forecasts are Provided in Terms of Value (USD).

Global Extreme Ultraviolet Lithography Market Trends and Insights

Demand for Sub-5 nm Nodes

Mass-production plans for 2 nm chips scheduled for 2025 call for line widths that only EUV exposure can achieve. TSMC has set aside USD 12.3 billion for its EUV tool fleet, a budget that targets 10-15% speed gains or 25-30% power cuts versus 3 nm designs. Smartphone and data-center chip buyers have already queued for those nodes, allowing equipment vendors to lock in multi-year backlogs. As a result, the EUV lithography market enjoys a predictable shipment pipeline that mirrors each successive node shrink.

Accelerated AI/5G/HPC Capacity Build-out

AI accelerators, 5G base-band silicon, and high-bandwidth memory all need tight pitch metallization. TSMC's Q4 2024 revenue rose 37% year-on-year to USD 26.88 billion, illustrating the scale of demand. To keep pace, the company budgeted USD 32-36 billion for capex in 2025, including roughly 60 EUV scanners. Such orders shorten tool lead times and bring smaller suppliers-pellicle, mask blank, and resist vendors-into the growth loop of the EUV lithography market.

USD 150 m+ System Cost and Fab Retrofit Complexity

Baseline EUV scanners list at roughly USD 150 million, and high-NA units more than double that figure. Fabs also upgrade clean-room airflow, vibration damping, and power distribution. Smaller foundries struggle to amortize such outlays, risking a technology gap that narrows potential customers for the EUV lithography market. Dual-lane operations, where DUV and EUV run in parallel, further enlarge capital budgets.

Other drivers and restraints analyzed in the detailed report include:

  1. Government Semiconductor Subsidy Programs
  2. Transition to High-NA EUV Platforms
  3. Single-Vendor Dependency and Supply-Chain Bottlenecks

For complete list of drivers and restraints, kindly check the Table Of Contents.

Segment Analysis

Light sources accounted for 45.85% of the EUV lithography market size in 2025, underscoring their status as the most expensive subsystem in a scanner. Current laser-produced-plasma (LPP) modules convert CO2-laser pulses and tin droplets into 13.5 nm radiation, but sub-5% conversion efficiency continues to spur research into free-electron alternatives. High average power also drives upgrades such as advanced collector-mirror coatings and debris filters, with service contracts that guarantee power stability, adding annuity revenue for suppliers.

Pellicles are the fastest-growing product, with an 17.9% CAGR projected through 2031. Carbon-nanotube membranes now deliver 97-98% transmittance and withstand 1,000 W exposure, a step change from earlier silicon-nitride films. Major foundries have cleared CNT pellicles for 2 nm process flows, opening a replacement cycle in which every mask layer needs protection; rising scale is already trimming unit cost.

Foundries accounted for 52.75% of the EUV lithography market in 2025 because fab-less customers rely on contract manufacturing. Their specialization lets them order scanners in batches, lock in service capacity, and co-develop processes with tool suppliers. TSMC alone controlled 56% of installed EUV exposure capacity, translating geographic clustering in Taiwan into supply-chain efficiencies and learning-curve cost reductions.

IDMs, however, are expanding faster at a 13.6% CAGR. Intel's IDM 2.0 model reopens its fabs to external clients while adding High-NA capacity reserved through 2025. Subsidy grants lower its effective capital cost, narrowing the unit-cost gap with pure-play foundries. As IDMs upgrade to gate-all-around transistors, they internalize design-process feedback loops, an advantage that should lift their share of the EUV lithography market over the decade.

Complete Report Scope:

  • By Product Type
    • Light Sources
    • Mirrors / Optics
    • Masks
    • Pellicles
    • Mask Blanks
  • By End-User Type
    • Foundries
    • Integrated Device Manufacturers (IDMs)
  • By Technology Node
    • 7 nm and above
    • 5 nm
    • 3 nm
    • 2 nm and below
  • By Light-Source Technology
    • Laser-Produced Plasma (LPP)
    • Gas-Discharge Plasma
    • Vacuum Spark
    • ERL-EUV
  • By Geography
    • North America
      • United States
      • Canada
    • South America
      • Brazil
      • Rest of South America
    • Europe
      • Germany
      • Netherlands
      • United Kingdom
      • France
      • Italy
      • Russia
      • Rest of Europe
    • Asia-Pacific
      • Taiwan
      • South Korea
      • Japan
      • China
      • Singapore
      • Rest of Asia-Pacific
    • Middle East and Africa
      • Middle East
        • GCC
        • Turkey
        • Saudi Arabia
        • Rest of Middle East
      • Africa
        • South Africa
        • Rest of Africa

Geography Analysis

Asia-Pacific led the EUV lithography market with 63.85% of 2025 revenue. Taiwan's TSMC alone has installed roughly 60 scanners financed by the USD 12.3 billion EUV budget noted above. Samsung's Korean fabs will bring their first High-NA tool online in Q1 2025. Japanese suppliers such as Hoya remain the primary source of EUV mask blanks, further reinforcing regional clustering.

North America is gaining momentum. The CHIPS Act earmarks USD 825 million for an EUV Accelerator in Albany, while Intel's High-NA roll-out benefits from early access to all first-wave scanners. Department of Energy grants fund next-generation light-source research at Lawrence Livermore National Laboratory, positioning the region as an innovation hub.

The Middle East and Africa region, although starting from a small base, is forecast to grow at an 10.9% CAGR to 2031 as sovereign wealth funds in the UAE and Saudi Arabia invest in AI infrastructure that will ultimately require advanced chip supply. Early memoranda with U.S. tool vendors cover pilot fabs and clean-room engineering, leaving open a path to EUV adoption once ecosystems mature.

  1. ASML Holding N.V.
  2. Canon Inc.
  3. Nikon Corporation
  4. ZEISS SMT
  5. Ushio Inc.
  6. Gigaphoton Inc.
  7. Cymer LLC
  8. Toppan Photomasks Inc.
  9. Hoya Corporation
  10. AGC Inc.
  11. Shin-Etsu Chemical Co.
  12. JSR Corp.
  13. Tokyo Ohka Kogyo (TOK)
  14. DuPont de Nemours Inc.
  15. Carl Zeiss High-NA Systems
  16. Eulitha AG
  17. Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH
  18. KLA Corporation
  19. Applied Materials Inc.
  20. Lam Research Corp.
  21. Hitachi High-Tech Corp.
  22. Inpria Corporation
  23. JEOL Ltd.
  24. Veeco Instruments Inc.
  25. Onto Innovation Inc.

Additional Benefits:

  • The market estimate (ME) sheet in Excel format
  • 3 months of analyst support

TABLE OF CONTENTS

1 INTRODUCTION

  • 1.1 Study Assumptions and Market Definition
  • 1.2 Scope of the Study

2 RESEARCH METHODOLOGY

3 EXECUTIVE SUMMARY

4 MARKET LANDSCAPE

  • 4.1 Market Overview
  • 4.2 Market Drivers
    • 4.2.1 Demand for < 5 nm logic and memory nodes
    • 4.2.2 Accelerated AI/5G/HPC capacity build-out
    • 4.2.3 Government semiconductor subsidy programs
    • 4.2.4 Transition to High-NA (0.55 NA) EUV platforms
    • 4.2.5 Productivity leap from pellicle membrane breakthroughs
    • 4.2.6 ERL-based compact EUV light-source R&D momentum
  • 4.3 Market Restraints
    • 4.3.1 USD 150 m+ system cost and fab retrofit complexity
    • 4.3.2 Single-vendor dependency and supply-chain bottlenecks
    • 4.3.3 Stochastic defectivity of EUV photo-resists
    • 4.3.4 Scarcity of EUV-trained field service engineers
  • 4.4 Value Chain Analysis
  • 4.5 Regulatory Landscape
  • 4.6 Technological Outlook
  • 4.7 Porter's Five Forces Analysis
    • 4.7.1 Bargaining Power of Suppliers
    • 4.7.2 Bargaining Power of Buyers
    • 4.7.3 Threat of New Entrants
    • 4.7.4 Threat of Substitutes
    • 4.7.5 Intensity of Competitive Rivalry
  • 4.8 Assessment of the Impact of Macroeconomic Factors

5 MARKET SIZE AND GROWTH FORECASTS (VALUE)

  • 5.1 By Product Type
    • 5.1.1 Light Sources
    • 5.1.2 Mirrors / Optics
    • 5.1.3 Masks
    • 5.1.4 Pellicles
    • 5.1.5 Mask Blanks
  • 5.2 By End-User Type
    • 5.2.1 Foundries
    • 5.2.2 Integrated Device Manufacturers (IDMs)
  • 5.3 By Technology Node
    • 5.3.1 7 nm and above
    • 5.3.2 5 nm
    • 5.3.3 3 nm
    • 5.3.4 2 nm and below
  • 5.4 By Light-Source Technology
    • 5.4.1 Laser-Produced Plasma (LPP)
    • 5.4.2 Gas-Discharge Plasma
    • 5.4.3 Vacuum Spark
    • 5.4.4 ERL-EUV
  • 5.5 By Geography
    • 5.5.1 North America
      • 5.5.1.1 United States
      • 5.5.1.2 Canada
    • 5.5.2 South America
      • 5.5.2.1 Brazil
      • 5.5.2.2 Rest of South America
    • 5.5.3 Europe
      • 5.5.3.1 Germany
      • 5.5.3.2 Netherlands
      • 5.5.3.3 United Kingdom
      • 5.5.3.4 France
      • 5.5.3.5 Italy
      • 5.5.3.6 Russia
      • 5.5.3.7 Rest of Europe
    • 5.5.4 Asia-Pacific
      • 5.5.4.1 Taiwan
      • 5.5.4.2 South Korea
      • 5.5.4.3 Japan
      • 5.5.4.4 China
      • 5.5.4.5 Singapore
      • 5.5.4.6 Rest of Asia-Pacific
    • 5.5.5 Middle East and Africa
      • 5.5.5.1 Middle East
        • 5.5.5.1.1 GCC
        • 5.5.5.1.2 Turkey
        • 5.5.5.1.3 Saudi Arabia
        • 5.5.5.1.4 Rest of Middle East
      • 5.5.5.2 Africa
        • 5.5.5.2.1 South Africa
        • 5.5.5.2.2 Rest of Africa

6 COMPETITIVE LANDSCAPE

  • 6.1 Market Concentration
  • 6.2 Strategic Moves
  • 6.3 Market Share Analysis
  • 6.4 Company Profiles (includes Global level Overview, Market level overview, Core Segments, Financials as available, Strategic Information, Market Rank/Share, Products and Services, Recent Developments)
    • 6.4.1 ASML Holding N.V.
    • 6.4.2 Canon Inc.
    • 6.4.3 Nikon Corporation
    • 6.4.4 ZEISS SMT
    • 6.4.5 Ushio Inc.
    • 6.4.6 Gigaphoton Inc.
    • 6.4.7 Cymer LLC
    • 6.4.8 Toppan Photomasks Inc.
    • 6.4.9 Hoya Corporation
    • 6.4.10 AGC Inc.
    • 6.4.11 Shin-Etsu Chemical Co.
    • 6.4.12 JSR Corp.
    • 6.4.13 Tokyo Ohka Kogyo (TOK)
    • 6.4.14 DuPont de Nemours Inc.
    • 6.4.15 Carl Zeiss High-NA Systems
    • 6.4.16 Eulitha AG
    • 6.4.17 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH
    • 6.4.18 KLA Corporation
    • 6.4.19 Applied Materials Inc.
    • 6.4.20 Lam Research Corp.
    • 6.4.21 Hitachi High-Tech Corp.
    • 6.4.22 Inpria Corporation
    • 6.4.23 JEOL Ltd.
    • 6.4.24 Veeco Instruments Inc.
    • 6.4.25 Onto Innovation Inc.

7 MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE OUTLOOK

  • 7.1 White-space and Unmet-need Assessment
샘플 요청 목록
0 건의 상품을 선택 중
목록 보기
전체삭제
문의
원하시는 정보를
찾아 드릴까요?
문의주시면 필요한 정보를
신속하게 찾아드릴게요.
02-2025-2992
email
문의하기