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시장보고서
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반도체 CVD 장비 시장 : 시장 점유율 분석, 업계 동향 및 통계, 성장 예측(2026-2031년)Semiconductor CVD Equipment - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts (2026 - 2031) |
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Mordor Intelligence
Mordor Intelligence에 의하면, 반도체 CVD 장비 시장 규모는 2026년에 167억 1,000만 달러로 추정되고, 예측 기간(2026-2031년) CAGR 5.62%로 성장을 지속할 전망이며, 2031년에는 219억 6,000만 달러에 이를 전망입니다.

본 보고서는 용도별(파운드리, IDM, 파워 및 아날로그 디바이스 공장 등), CVD 기술 유형별(플라즈마 강화 CVD, 저압 CVD 등), 장비 구성별(싱글 웨이퍼 클러스터 등), 웨이퍼 크기별(150mm 이하 등), 최종 사용자 유형별(퓨어플레이 파운드리 등), 지역별로 분류되어 있습니다. 시장 예측은 금액(달러) 기준으로 제시되어 있습니다.
2나노미터 이하의 게이트 올 어라운드(GaA) 아키텍처에서는 기존 FinFET에 비해 성막 공정이 40-50% 증가하여, 웨이퍼 1장당 장비 사용 빈도가 약 1.8배로 높아졌습니다. 2025년 하반기부터 양산이 시작된 TSMC의 N2 공정은 고유전율(high-k) 유전체에는 사이클릭 플라즈마 강화 ALD를, 콘택트에는 선택적 텅스텐 CVD를 채택하고 있는 반면, 삼성은 뒷면 전원 공급 기능을 통합하여, 이를 통해 평탄화 및 재성막 루프가 반복적으로 삽입되는 구조를 갖추고 있습니다. 2026년 하반기에 도입될 예정인 인텔의 18A 노드는 RibbonFET와 PowerVia의 기능을 결합한 것으로, 단일 진공 환경에서 열 모드와 플라즈마 모드를 전환할 수 있는 하이브리드 ALD-CVD 챔버가 필요합니다. 따라서 최첨단 팹 1곳당 80-100대의 공정 챔버를 구매하게 되어, 사이트별로 20억-30억 달러의 추가 증착 비용이 발생하게 됩니다.
Wolfspeed, 인피니온, 온세미는 각각 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 팹 건설에 착수했으며, 이 3사의 2025년 설비 투자 계획 총액은 100억 달러를 넘어섰습니다. SiC 드리프트 층의 성장 속도는 여전히 처리량에 제약을 받고 있기 때문에 금속 유기 CVD 반응기가 이 예산의 약 4분의 1을 차지하고 있습니다. 데이터센터 전원 장치에서 갈륨 질화물(GaN)의 채택이 확대됨에 따라, 화합물 반도체 파운드리 가동률은 85%에 달했으며, 이는 AIXTRON사의 행성형 반응기에 대한 장기적인 설비 발주를 촉발하고 있습니다. 2030년까지 광대역 갭 웨이퍼의 시작 수가 연평균 18% 증가할 것으로 예상되는 가운데, 반도체 CVD 장비 시장에서는 특수 금속 유기 CVD 플랫폼으로 수요 전환이 예상됩니다.
게이트 올 어라운드(GAA) 로직용으로 구성된 원자층 증착(ALD) 클러스터의 가격은 5,000만 유로(5,650만 달러)를 초과하며, 초기 투자액의 8-12%에 해당하는 연간 서비스 계약이 별도로 필요합니다. 그 결과, 성숙 노드를 전문으로 하는 기업들은 재생 PECVD 챔버의 유효 수명을 12년으로 연장하고 있으며, 이로 인해 교체 속도가 둔화되고 있습니다. 자본 집약도의 격차로 인해 전 세계 필름 형성 장비 구매의 78%가 상위 10개 제조업체에 집중되어 있으며, 이로 인해 양극화된 고객 현황이 형성되어 2차 파브의 확장이 억제되고 있습니다.
TSMC와 삼성이 3나노미터 및 2나노미터 노드의 양산에 착수함에 따라 파운드리 사업은 2025년 매출의 41.64%를 차지하며 반도체 CVD 장비 시장의 기반이 되었습니다. 전기자동차 및 재생에너지용 컨버터에는 저압 CVD로 형성된 두꺼운 에피택셜 층이 필요하기 때문에 파워 및 아날로그 팹은 용도 중 가장 높은 연평균 성장률(CAGR) 6.04%로 확대될 것으로 예측됩니다. 메모리는 19%를 차지했으나, 3D-NAND의 미세화에 따라 장비 집약도가 가장 급격하게 높아지고 있습니다. 집적 소자 제조업체는 23%를 차지하며, 로직용 싱글 웨이퍼 클러스터와 비용 중심의 아날로그 라인용 배치로 간의 균형을 맞추고 있습니다. LED 및 옵토일렉트로닉스는 6%로 여전히 틈새 분야이지만, 마이크로 LED 및 LiDAR의 채택으로 인해 성장세가 가속화되고 있습니다.
파운드리 부문은 2031년까지 약 40%의 점유율을 유지할 것으로 예상되지만, 성숙 노드 라인에서는 신규 플랫폼 구매보다 기존 챔버의 개조가 증가하고 있어 성장은 완만해질 전망입니다. 대조적으로, 독일, 미국, 말레이시아에서는 파워 디바이스의 생산 능력이 급속히 확대되고 있어 특수 용도의 MOCVD 수요를 끌어올리고 있습니다. 메모리 분야에 대한 투자는 HBM 및 NAND의 가격 동향에 좌우되기 때문에 여전히 주기적인 움직임을 유지하고 있습니다. LED 생산과 관련된 반도체 화학 기상 증착(CVD) 장비 시장 규모는 증강현실(AR) 디스플레이의 로드맵에 따라 변동할 것으로 보입니다.
2025년 도입 대수의 45.09%를 싱글 웨이퍼 클러스터가 차지하며, 모든 최첨단 로직 및 메모리 로드맵을 뒷받침하고 있습니다. 한편, 28나노미터 및 40나노미터 아날로그 팹에서는 공정 정밀도를 희생하여 웨이퍼당 비용을 40-50% 절감하고 있으므로, 배치식 수직로 시장은 연평균 성장률(CAGR) 6.18%를 나타낼 것으로 예측됩니다. 듀얼 챔버 클러스터는 처리량과 유연성을 모두 확보함으로써 18%를 차지한 반면, 플래네터리 리액터는 주로 화합물 반도체의 MOCVD 분야에서 12%를 차지했습니다. 나머지는 기존의 싱글 챔버 장비와 파일럿 장비가 차지했습니다.
게이트 올 어라운드(GaA) 소자는 웨이퍼 내 균일성을 1% 이하로 달성하여, 최첨단 분야에서 싱글 웨이퍼의 중요성을 확고히 하고 있습니다. 그럼에도 불구하고, 전 세계 웨이퍼 투입의 구성 비율은 여전히 성숙 노드가 72%를 차지하고 있으며, 허용 오차 ±5%로 충분한 분야에서는 수직형로가 점유율을 되찾고 있습니다. 듀얼 챔버 설계는 하이브리드 ALD-CVD 스택에서 인기가 높아지고 있으며, 사이클 타임을 30% 단축하고 있습니다. 플래네터리 리액터는 LED 에피택시 분야에서 경쟁력을 유지하고 있지만, GaN 파워 디바이스 분야에서는 싱글 웨이퍼 방식의 진출에 직면해 있습니다.
아시아태평양은 2025년 매출의 47.57%를 차지했으며, TSMC, 삼성, SK하이닉스가 최첨단 및 파워 디바이스용 생산 능력을월100만 웨이퍼 분량으로 확대함에 따라 2031년까지 연평균 성장률(CAGR) 7.83%를 달성할 것으로 예측됩니다. 수출 규제에도 불구하고, 중국 내 성숙 노드에 대한 수요는 지속되고 있으며, NAURA Technology와 AMEC이 현지 시장 점유율을 22%까지 끌어올리고 있습니다. 일본이 지원한 2조 엔의 보조금 덕분에 TSMC의 구마모토 공장과 마이크론의 히로시마 공장 확장이 확보되었습니다. 동남아시아에서는 말레이시아에 위치한 인피니언의 200mm SiC 생산 라인을 포함하여 백엔드 및 파워 디바이스에 대한 투자가 계속해서 집중되고 있습니다.
북미는 인텔, 마이크론, 텍사스 기기의 확장을 뒷받침하는 527억 달러 규모의 CHIPS 보조금에 힘입어 2025년 매출의 28%를 차지했습니다. 그러나 허가 취득 지연으로 인해 미국의 여러 팹이 2027년부터 2028년으로 완공 시기가 밀렸고, 또한 많은 프로젝트가 장비 집약도가 낮은 성숙 노드의 아날로그 생산을 목표로 하고 있기 때문에 예측 연평균 성장률(CAGR)은 5.2%에 그쳐 아시아태평양보다 낮습니다. 캐나다의 실리콘 포토닉스 생태계와 멕시코에서 부상하고 있는 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 라인은 틈새 시장이지만 급속한 성장을 보이는 수요를 창출하고 있습니다.
유럽은 2025년 매출의 18%를 차지했으며, 2031년까지 연평균 4.8%의 성장률을 보일 전망입니다. 인텔의 300억 유로(350억 7,000만 달러) 규모의 마그데부르크 공장,TSMC의 100억 유로(116억 9,000만 달러) 규모 드레스덴 합작 사업, 그리고 인피니온의 50억 유로(58억 4,000만 달러) 규모 PowerFab이 단기적인 수주를 주도하고 있습니다. 엄격한 환경 규제로 인해 인시추(현장)에서의 배기가스 처리가 의무화됨에 따라, PECVD 시스템의 비용은 15-20% 상승할 전망입니다. 중동 및 아프리카 및 남미의 합계 점유율은 7% 미만이지만, 아부다비의 팹 건설 계획이나 브라질 정부가 자금을 지원하는 생산 라인이 실현되면 추가 수요가 발생할 가능성이 있습니다.
According to Mordor Intelligence, the semiconductor CVD equipment market size is estimated at USD 16.71 billion in 2026, and is expected to reach USD 21.96 billion by 2031, at a CAGR of 5.62% during the forecast period (2026-2031).

This report is Segmented by Application (Foundry, IDM, Power and Analog Device Fabs, and More), CVD Technology Type (Plasma-Enhanced CVD, Low-Pressure CVD, and More), Equipment Configuration (Single-Wafer Cluster, and More), Wafer Size (Less Than or Equal To 150 Mm, and More), End-User Type (Pure-Play Foundries, and More), and Geography. The Market Forecasts are Provided in Terms of Value (USD).
Gate-all-around architectures below the 2-nanometer threshold add 40-50% more deposition steps than FinFET predecessors, lifting tool intensity per wafer starts by roughly 1.8x. TSMC's N2 process, in high-volume manufacturing since late 2025, relies on cyclic plasma-enhanced ALD for high-k dielectrics and selective tungsten CVD for contacts, whereas Samsung integrates backside power delivery that inserts repeat planarization-and-re-deposit loops. Intel's 18A node, slated for the second half of 2026, combines RibbonFET and PowerVia features that demand hybrid ALD-CVD chambers able to toggle thermal and plasma modes under a single vacuum. A single leading-edge fab therefore purchases 80-100 process chambers, resulting in USD 2-3 billion in incremental deposition spend per site.
Wolfspeed, Infineon, and onsemi each broke ground on 200-millimeter silicon carbide fabs that, together, exceeded USD 10 billion in 2025 capital plans. Metal-organic CVD reactors constitute roughly one-quarter of those budgets because SiC drift-layer growth rates remain throughput-limited. Gallium-nitride adoption in data-center power supplies has pushed compound-semiconductor foundries to 85% utilization, triggering long-term equipment orders for AIXTRON planetary reactors. With wide-bandgap wafer starts set to rise 18% annually through 2030, the semiconductor CVD equipment market will see demand tilt toward specialized metal-organic platforms.
Atomic-layer-deposition clusters configured for gate-all-around logic list above EUR 50 million (USD 56.5 million) and carry annual service contracts worth an additional 8-12% of the initial spend. Mature-node specialists, therefore, extend the effective life of refurbished PECVD chambers to 12 years, slowing replacement velocity. Capital-intensity disparity concentrates 78% of global deposition purchases among the top-10 manufacturers, creating a two-tier customer landscape that tempers expansion at second-tier fabs.
Other drivers and restraints analyzed in the detailed report include:
For complete list of drivers and restraints, kindly check the Table Of Contents.
Foundry operations generated 41.64% of 2025 revenue as TSMC and Samsung ramped 3 nanometer and 2 nanometer nodes, anchoring the semiconductor CVD equipment market. Power and analog fabs are projected to advance at a 6.04% CAGR, the highest among applications, as electric vehicles and renewable-energy converters require thick epitaxial layers formed by low-pressure CVD. Memory accounted for 19% but sees the steepest tool-intensity gains from 3D-NAND scaling. Integrated device manufacturers contributed 23%, balancing single-wafer clusters for logic with batch furnaces for cost-sensitive analog lines. LED and optoelectronics remain niche at 6% yet gain momentum from micro-LED and LiDAR adoption.
Foundries are expected to maintain roughly 40% share through 2031, but growth moderates because mature-node lines increasingly retrofit existing chambers rather than purchase new platforms. In contrast, power-device capacity is expanding aggressively in Germany, the United States, and Malaysia, lifting specialty MOCVD demand. Memory spending remains cyclical, hinging on HBM and NAND pricing. The semiconductor chemical vapor deposition equipment market size tied to LED production will fluctuate with augmented-reality display roadmaps.
Single-wafer clusters accounted for 45.09% of 2025 installations, underpinning every leading-edge logic and memory roadmap. Batch vertical furnaces, however, are expected to grow at a 6.18% CAGR as 28-nanometer and 40-nanometer analog fabs trade process precision for 40-50% lower cost per wafer. Dual-chamber clusters accounted for 18% by blending throughput with flexibility, while planetary reactors accounted for 12%, largely in compound-semiconductor MOCVD. Legacy single-chamber and pilot tools filled the remainder.
Gate-all-around devices achieve within-wafer uniformity of less than or equal to 1%, cementing single-wafer relevance at the frontier. Still, the global wafer-start mix remains 72% mature nodes, allowing vertical furnaces to reclaim share where +-5% tolerance suffices. Dual-chamber designs are gaining popularity for hybrid ALD-CVD stacks, shaving 30% off cycle time. Planetary reactors stay competitive in LED epitaxy but face single-wafer encroachment for GaN power devices.
Asia-Pacific retained 47.57% of 2025 revenue and is projected to deliver a 7.83% CAGR through 2031 as TSMC, Samsung, and SK Hynix add 1 million wafer starts per month of leading-edge and power capacity. Chinese mature-node demand persists despite export controls, with NAURA Technology and AMEC lifting their local share to 22%. Japan's JPY 2 trillion subsidy pool secures both TSMC's Kumamoto and Micron's Hiroshima expansions. Southeast Asia continues to absorb back-end and power-device investments, including Infineon's 200 millimeter SiC line in Malaysia.
North America generated 28% of 2025 revenue, buoyed by USD 52.7 billion in CHIPS subsidies that anchor Intel, Micron, and Texas Instruments expansions. However, a 5.2% forecast CAGR trails Asia-Pacific because permitting delays push several U.S. fabs into 2027-2028 completion windows and because many projects target mature-node analog production with lower tool intensity. Canada's silicon-photonics ecosystem and Mexico's emerging wafer-level packaging lines add niche but growing demand.
Europe captured 18% of 2025 revenue and will expand at 4.8% through 2031. Intel's EUR 30 billion (USD 35.07 billion) Magdeburg fab, TSMC's EUR 10 billion (USD 11.69 billion) Dresden joint venture, and Infineon's EUR 5 billion (USD 5.84 billion) PowerFab drive near-term orders. Strict environmental mandates raise PECVD system costs by 15-20% as in-situ abatement becomes compulsory. The Middle East and Africa and South America collectively hold less than 7% but may unlock incremental demand should proposed fabs in Abu Dhabi or government-funded Brazilian lines proceed.